一种用于中子/γ混合场辐射防护的Gd1–2xCexBixBO3功能填料的制备方法、材料及应用技术

技术编号:41090542 阅读:28 留言:0更新日期:2024-04-25 13:51
本发明专利技术提供了一种用于中子/γ混合场辐射防护的Gd<subgt;1–2x</subgt;Ce<subgt;x</subgt;Bi<subgt;x</subgt;BO<subgt;3</subgt;功能填料的制备方法及其复合材料。按化学计量比(1‑2x):x:x:1称量硝酸钆、硝酸铈、硝酸铋、硼酸,加入超纯水溶解至溶液澄清透明,缓慢滴加等体积氨水使之产生白色絮状沉淀,然后离心分离、洗涤、烘干后,加入碳粉进行高温烧结,得到所述功能填料;本申请采用共沉淀和高温烧结的简单工艺,实现了不同类型辐射防护功能元素的多元复合,改善了各元素的分布均匀性以及填料‑基体间的界面相容性。利用所述功能填料制得的复合材料具有良好的中子/γ混合场辐射防护性能、力学性能和综合性能;此外,本发明专利技术还可以精准调控功能填料中各元素的配比,满足中子/γ混合场辐射防护的多元化需求。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及核辐射防护,特别是一种用于中子/γ混合场辐射防护的gd1–2xcexbixbo3功能填料的制备方法、材料及应用。


技术介绍

1、核能技术的发展对用于中子/γ混合场辐射防护的复合材料提出了更高要求,复合材料需具备良好的综合性能,以确保防护可靠性。中子、γ射线防护机理有所不同,并且其与物质的作用截面和辐射能量密切相关。为有效防护具有能谱分布特征的中子/γ混合场,目前常用技术手段是将作用截面较高的各种无机填料与有机基体随机共混,在复合材料中引入多种辐射防护功能元素。但随机共混的功能元素分散均匀性不佳,无法充分实现对混合辐射场的均衡防护。此外,现有技术还造成复合材料中无机-有机不良界面的数量增加,从而导致复合材料力学性能下降,制约其综合性能提升。因此,面向中子/γ混合场辐射防护,如何调控功能元素分布以及可控制备具有良好综合性能的复合材料,是本领域目前亟待解决的技术难题。


技术实现思路

1、针对上述技术难题,本专利技术的目的在于提供一种用于中子/γ(伽马射线)混合场辐射防护的gd1–2xcexbixbo3本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种用于中子/γ混合场辐射防护的Gd1–2xCexBixBO3功能填料的制备方法,其特征在于,具体步骤如下:

2.根据权利要求1所述用于中子/γ混合场辐射防护的Gd1–2xCexBixBO3功能填料的制备方法,其特征在于,步骤1)所述滴加是指氨水的滴加速率为5~10mL/min。

3.根据权利要求1所述用于中子/γ混合场辐射防护的Gd1–2xCexBixBO3功能填料的制备方法,其特征在于,步骤2)所述高温烧结是指,空气氛围下,以3℃/min的升温速率,从室温升温至750℃,然后在750℃下保温4h,再自然冷却至室温。

4.如权利要求1-3任一方法...

【技术特征摘要】

1.一种用于中子/γ混合场辐射防护的gd1–2xcexbixbo3功能填料的制备方法,其特征在于,具体步骤如下:

2.根据权利要求1所述用于中子/γ混合场辐射防护的gd1–2xcexbixbo3功能填料的制备方法,其特征在于,步骤1)所述滴加是指氨水的滴加速率为5~10ml/min。

3.根据权利要求1所述用于中子/γ混合场辐射防护的gd1–2xcexbixbo3功能填料的制备方法,其特征在于,步骤2)所述高温烧结是指,空气氛围下,以3℃/min的升温速率,从室温升温至750℃,然后在750℃下保温4h,再自然冷却至室温。

4.如权利要求1-3任一方法制备获得的功能填料gd1–2xcexbixbo3(x=0.1~0.4)。

5.如权利要求1-3任一方法制备获得的功能填料gd1–2xcexbixbo3(x=0.1~0.4)在中子/γ混合场辐射防护中的应用。

6.如...

【专利技术属性】
技术研发人员:常树全钟奕宁王凯凯刘佩东胡晓丹张海黔
申请(专利权)人:南京航空航天大学
类型:发明
国别省市:

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