【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种氧化镓薄膜及其制备方法，属于半导体薄膜材料制备。
技术介绍
1、ga2o3是一种宽带隙n型半导体，作为半导体材料，ga2o3具有比硅更高的带隙(eg＞4.5ev)、击穿电场、高临界击穿场(约为8mv/cm)和介电常数，也高于其他宽带隙材料，如sic和gan。是下一代半导体材料的理想选择。此外，ga2o3是一种特别坚固的材料，可以承受比较高的温度和压力水平，因此ga2o3很适合作为恶劣环境(如空间或极端温度)中的半导体材料。ga2o3优越的电子传输特性使其比传统半导体材料具有更高的电开关速度，这将赋予ga2o3基器件良好的机械稳定性和灵活性。为了发挥ga2o3薄膜材料的优点，并且降低制备成本，必须在高质量ga2o3外延薄膜的获得和低成本之间取得一个最优值。
2、ga2o3外延薄膜的制备主要采用的方法是mocvd(metal-organic chemical vapordeposition，金属有机化合物化学气相沉积)、mbe(molecular beam epitaxy，分子束外延)以及mist-cvd(mist-chemical vapor deposition，雾化化学气相沉积)，但上述生长方法的设备成本较高，维护较麻烦，不利于大规模商业化应用。因此，需要设计一种简单便捷，且可以制备高质量、厚膜的ga2o3薄膜的方法。
技术实现思路
1、本专利技术所要解决的技术问题是：提供一种氧化镓薄膜及其制备方法，采用cvd(chemical vapor depo
2、本专利技术为解决上述技术问题采用以下技术方案：
3、一种氧化镓薄膜的制备方法，包括如下步骤：
4、步骤1，将镓源在热乙醇中进行热处理，得到流体镓源；
5、步骤2，对衬底进行预处理，所述衬底包括放置流体镓源的前驱衬底和制备氧化镓薄膜的主衬底；将流体镓源置于预处理后的前驱衬底上，并将前驱衬底和主衬底一同置于化学气相淀积反应腔室中；
6、步骤3，将化学气相淀积反应腔室抽真空后，向反应腔室内冲入载气直至反应腔室达到常压状态；
7、步骤4，将反应腔室升温到反应温度后，保持反应温度30min，并在30min的后15min，向反应腔室通入流动载气；
8、步骤5，通入氧源至衬底表面，氧源通入过程中反应腔室保持常压状态；
9、步骤6，在反应时间结束后停止氧源通入，在流动载气氛围下将反应腔室内温度降至室温后，再对主衬底进行与步骤2相同的预处理，得到制备好的氧化镓薄膜。
10、作为本专利技术方法的一种优选方案，步骤1所述镓源为三甲基镓、氯化镓或金属镓。
11、作为本专利技术方法的一种优选方案，步骤1所述热处理为密闭加热。
12、作为本专利技术方法的一种优选方案，步骤2所述衬底为蓝宝石衬底、碳化硅衬底、氮化镓衬底或云母衬底，前驱衬底水平放置在石英坩埚上，主衬底放置于前驱衬底之后，且主衬底与石英坩埚之间的夹角为30°。
13、作为本专利技术方法的一种优选方案，步骤2所述预处理过程如下：
14、(1)用去离子水冲洗衬底；
15、(2)将冲洗后的衬底放在丙酮溶液中，在超声震荡机中超声5min，取出后在纯度为99.999％的氮气下吹至干燥；
16、(3)将经过步骤(2)的衬底放在乙醇溶液中，在超声震荡机中超声5min，取出后在纯度为99.999％的氮气下吹至干燥；
17、(4)将经过步骤(3)的衬底放在去离子水中，在超声震荡机中超声5min，取出后在纯度为99.999％的氮气下吹至干燥，得到预处理后的衬底。
18、作为本专利技术方法的一种优选方案，步骤3所述载气为氮气、氩气或氢气。
19、作为本专利技术方法的一种优选方案，步骤4所述反应温度为950℃-1050℃。
20、作为本专利技术方法的一种优选方案，步骤6所述氧源为o2，载气的流量范围为8slm-15slm。
21、一种根据所述的制备方法获得的氧化镓薄膜，氧化镓薄膜的厚度大于300nm。
22、本专利技术采用以上技术方案与现有技术相比，具有以下技术效果：
23、1、本专利技术通过采用化学气相淀积(cvd)技术实现了氧化镓薄膜在蓝宝石衬底上的生长，相比于目前其他生长氧化镓薄膜的方法，本专利技术方法简单高效且成本较低。
24、2、本专利技术采用了前驱衬底和主衬底两种衬底，将镓源置于前驱衬底上，在主衬底上进行氧化镓的生长，可以很好的避免镓源的存在对氧化镓薄膜的污染。采用了三镓源的方法，有效提高了氧化镓薄膜在蓝宝石主衬底上的成膜概率。
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1.一种氧化镓薄膜的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：
2.根据权利要求1所述的氧化镓薄膜的制备方法，其特征在于，步骤1所述镓源为三甲基镓、氯化镓或金属镓。
3.根据权利要求1所述的氧化镓薄膜的制备方法，其特征在于，步骤1所述热处理为密闭加热。
4.根据权利要求1所述的氧化镓薄膜的制备方法，其特征在于，步骤2所述衬底为蓝宝石衬底、碳化硅衬底、氮化镓衬底或云母衬底，前驱衬底水平放置在石英坩埚上，主衬底放置于前驱衬底之后，且主衬底与石英坩埚之间的夹角为30°。
5.根据权利要求1所述的氧化镓薄膜的制备方法，其特征在于，步骤2所述预处理过程如下：
6.根据权利要求1所述的氧化镓薄膜的制备方法，其特征在于，步骤3所述载气为氮气、氩气或氢气。
7.根据权利要求1所述的氧化镓薄膜的制备方法，其特征在于，步骤4所述反应温度为950℃-1050℃。
8.根据权利要求1所述的氧化镓薄膜的制备方法，其特征在于，步骤6所述氧源为O2，载气的流量范围为8slm-15slm。
9.一种根据权利要求1所述的制备
...【技术特征摘要】
1.一种氧化镓薄膜的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：
2.根据权利要求1所述的氧化镓薄膜的制备方法，其特征在于，步骤1所述镓源为三甲基镓、氯化镓或金属镓。
3.根据权利要求1所述的氧化镓薄膜的制备方法，其特征在于，步骤1所述热处理为密闭加热。
4.根据权利要求1所述的氧化镓薄膜的制备方法，其特征在于，步骤2所述衬底为蓝宝石衬底、碳化硅衬底、氮化镓衬底或云母衬底，前驱衬底水平放置在石英坩埚上，主衬底放置于前驱衬底之后，且主衬底与石英坩埚之间的夹角为30°。
5.根据权利要求1...
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