【技术实现步骤摘要】
示例实施方式涉及半导体器件。更具体地，示例实施方式涉及具有接触插塞的半导体器件。
技术介绍
1、在逻辑器件中，可以形成接触插塞和通路结构，使得栅极结构和源极/漏极层可以连接到用于向其施加电信号的上布线。然而，由于栅极结构和接触插塞结构之间或源极/漏极层和接触插塞结构之间的接触电阻，栅极结构、源极/漏极层、接触插塞结构和通路结构的总电阻增加。另外，栅极结构和接触插塞结构可能电短路，或者接触插塞结构和通路结构可能电短路。
技术实现思路
1、示例实施方式提供了一种具有增强特性的半导体器件。
2、根据示例实施方式，提供了一种制造半导体器件的方法。在该方法中，对准标记可以穿过包括彼此相反的第一表面和第二表面的衬底的一部分形成，所述部分可以与衬底的第二表面相邻。可以在衬底的第二表面上形成包括栅极结构和源极/漏极层的晶体管。可以去除衬底的与衬底的第一表面相邻的部分以暴露对准标记。接触插塞可以穿过衬底的与衬底的第一表面相邻的部分形成以电连接到源极/漏极层。电源轨可以形成在衬底的第一表面上，以电
【技术保护点】
1.一种制造半导体器件的方法，所述方法包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其中形成所述对准标记包括：
3.根据权利要求2所述的方法，其中所述衬底包括芯片区和划线道区，并且所述第一沟槽形成在所述衬底的所述划线道区中，以及
4.根据权利要求3所述的方法，其中所述第二沟槽在所述衬底的所述芯片区中限定有源图案，以及
5.根据权利要求1所述的方法，其中形成所述对准标记包括：
6.根据权利要求5所述的方法，其中所述衬底包括芯片区和划线道区，所述第一沟槽形成在所述衬底的所述划线道区中，以及
7.根据权利要求1...
【技术特征摘要】
1.一种制造半导体器件的方法，所述方法包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其中形成所述对准标记包括：
3.根据权利要求2所述的方法，其中所述衬底包括芯片区和划线道区，并且所述第一沟槽形成在所述衬底的所述划线道区中，以及
4.根据权利要求3所述的方法，其中所述第二沟槽在所述衬底的所述芯片区中限定有源图案，以及
5.根据权利要求1所述的方法，其中形成所述对准标记包括：
6.根据权利要求5所述的方法，其中所述衬底包括芯片区和划线道区，所述第一沟槽形成在所述衬底的所述划线道区中，以及
7.根据权利要求1所述的方法，其中形成所述对准标记包括：
8.根据权利要求7所述的方法，其中所述衬底包括芯片区和划线道区，所述第一沟槽形成在所述衬底的所述划线道区中，以及
9.根据权利要求1所述的方法，其中形成所述晶体管包括：
10.根据权利要求1所述的方法，其中形成所述接触插塞包括：
11.一种制造半导体器件的方法，所述方法包括：...
【专利技术属性】
技术研发人员：朴志授，姜秉柱，李正韩，林载炯，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：
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