【技术实现步骤摘要】
本公开涉及半导体存储器件，更具体地，涉及具有改善的电特性和集成度的半导体存储器件。
技术介绍
1、需要数据存储的电子系统可能需要能够存储高容量数据的半导体器件。为了在增加半导体器件的数据存储容量的同时满足半导体器件的性能和价格目标，可能需要增加半导体器件的集成度。二维(2d)或平面半导体器件的集成度可主要由单位存储单元占据的面积决定，因此2d或平面半导体器件的集成度可受形成精细图案的技术很大影响。然而，由于需要昂贵的装置来形成精细图案，2d半导体器件的集成度仍然受到限制。因此，已经开发了半导体存储器件以提高它们的集成度、电阻和电流驱动能力。
2、本
技术介绍
部分公开的信息已经为专利技术人在实现本申请实施方式之前或实现本申请实施方式的过程中获知或衍生，或者是在实现实施方式的过程中获得的技术信息。因此，它可能包含不构成公众已知的现有技术的信息。
技术实现思路
1、一个或更多个示例实施方式提供了一种具有改善的集成度和电特性的半导体存储器件。
2、附加方面将部分地在随后的描述...
【技术保护点】
1.一种半导体存储器件，包括：
2.如权利要求1所述的半导体存储器件，其中所述第一介电常数在1至4之间。
3.如权利要求1所述的半导体存储器件，其中所述背栅下绝缘图案和所述背栅上绝缘图案垂直间隔开，以及
4.如权利要求1所述的半导体存储器件，其中所述接触图案包括连接到所述第一有源图案的第一接触图案和连接到所述第二有源图案的第二接触图案，
5.如权利要求1所述的半导体存储器件，其中所述背栅上绝缘图案接触所述背栅电极的顶表面，以及
6.如权利要求1所述的半导体存储器件，其中所述第一有源图案和所述第二有源图案由单晶
【技术特征摘要】
1.一种半导体存储器件，包括：
2.如权利要求1所述的半导体存储器件，其中所述第一介电常数在1至4之间。
3.如权利要求1所述的半导体存储器件，其中所述背栅下绝缘图案和所述背栅上绝缘图案垂直间隔开，以及
4.如权利要求1所述的半导体存储器件，其中所述接触图案包括连接到所述第一有源图案的第一接触图案和连接到所述第二有源图案的第二接触图案，
5.如权利要求1所述的半导体存储器件，其中所述背栅上绝缘图案接触所述背栅电极的顶表面，以及
6.如权利要求1所述的半导体存储器件，其中所述第一有源图案和所述第二有源图案由单晶半导体材料形成。
7.如权利要求1所述的半导体存储器件，其中所述背栅上绝缘图案包括硅氧化物、sioc和空气中的至少一种。
8.一种半导体存储器件，包括：
9.如权利要求8所述的半导体存储器件，其中所述第二背栅绝缘图案提供在所述背栅电极与所述第三背栅绝缘图案之间。
10.如权利要求9所述的半导体存储器件，其中所述第二背栅绝缘图案接触所述背栅电极的顶表面，以及
11.如权利要求8所述的半导体存储器件，其中所述第三背栅绝缘图案的第一部...
【专利技术属性】
技术研发人员：郑义撤，李相运，李相昊，郑文泳，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：
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