【技术实现步骤摘要】
本公开涉及半导体存储器件，更具体地，涉及具有改善的电特性和集成度的半导体存储器件。
技术介绍
1、需要数据存储的电子系统可能需要能够存储高容量数据的半导体器件。为了在增加半导体器件的数据存储容量的同时满足半导体器件的性能和价格目标，可能需要增加半导体器件的集成度。二维(2d)或平面半导体器件的集成度可主要由单位存储单元占据的面积决定，因此2d或平面半导体器件的集成度可受形成精细图案的技术很大影响。然而，由于需要昂贵的装置来形成精细图案，2d半导体器件的集成度仍然受到限制。因此，已经开发了半导体存储器件以提高它们的集成度、电阻和电流驱动能力。
2、本
技术介绍
部分公开的信息已经为专利技术人在实现本申请实施方式之前或实现本申请实施方式的过程中获知或衍生，或者是在实现实施方式的过程中获得的技术信息。因此，它可能包含不构成公众已知的现有技术的信息。
技术实现思路
1、一个或更多个示例实施方式提供了一种具有改善的集成度和电特性的半导体存储器件。
2、附加方面将部分地在随后的描述中阐述，并且部分地将从该描述中是明显的，或者可以通过所呈现的实施方式的实践而了解。
3、根据一示例实施方式的一方面，一种半导体存储器件可以包括：在第一方向上延伸的位线；第一字线，在位线上沿与第一方向相交的第二方向延伸；第二字线，在第二方向上延伸并在第一方向上与第一字线间隔开；背栅电极，在第一字线和第二字线之间在第二方向上延伸；第一有源图案，提供在第一字线和背栅电极之间，第一有源图案在第
4、根据一示例实施方式的一方面，一种半导体存储器件可以包括：基板；在基板上的位线；字线，提供在位线上并且在平行于基板的顶表面的第一方向上间隔开；背栅电极，提供在字线当中的一对相邻的字线之间；有源图案，提供在背栅电极和所述一对相邻的字线之间；分别提供在有源图案上的接触图案；第一背栅绝缘图案，提供在位线和背栅电极之间；以及提供在背栅电极上的第二背栅绝缘图案和第三背栅绝缘图案，其中第二背栅绝缘图案可以包括具有第一介电常数的材料并且第三背栅绝缘图案可以包括具有大于第一介电常数的第二介电常数的材料。
5、根据一示例实施方式的一方面，一种半导体存储器件可以包括：基板；位线，在基板上在第一方向上延伸；第一有源图案；第二有源图案，在位线上在第一方向上与第一有源图案间隔开；背栅电极，提供在第一有源图案和第二有源图案之间，背栅电极在第二方向上延伸并与位线相交；第一字线，邻近第一有源图案提供并在第二方向上延伸；第二字线，邻近第二有源图案提供并在第二方向上延伸；至少一个第一栅极绝缘图案，提供在第一有源图案和第一字线之间；至少一个第二栅极绝缘图案，提供在第二有源图案和第二字线之间；至少一个第三栅极绝缘图案，提供在第一有源图案和背栅电极之间；至少一个第四栅极绝缘图案，提供在第二有源图案和背栅电极之间；接触图案，连接到第一有源图案和第二有源图案；背栅下绝缘图案，提供在位线和背栅电极之间；背栅上绝缘图案，提供在背栅电极上和接触图案之间；至少一个第一绝缘图案，提供在第一字线和位线之间；至少一个第二绝缘图案，提供在第一字线和接触图案中对应的接触图案之间；至少一个第三绝缘图案，提供在第二字线和位线之间；至少一个第四绝缘图案，提供在第二字线和接触图案中对应的接触图案之间；以及分别连接到接触图案的数据存储图案，其中背栅上绝缘图案可以包括具有第一介电常数的材料并且背栅下绝缘图案可以包括具有大于第一介电常数的第二介电常数的材料。
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1.一种半导体存储器件，包括：
2.如权利要求1所述的半导体存储器件，其中所述第一介电常数在1至4之间。
3.如权利要求1所述的半导体存储器件，其中所述背栅下绝缘图案和所述背栅上绝缘图案垂直间隔开，以及
4.如权利要求1所述的半导体存储器件，其中所述接触图案包括连接到所述第一有源图案的第一接触图案和连接到所述第二有源图案的第二接触图案，
5.如权利要求1所述的半导体存储器件，其中所述背栅上绝缘图案接触所述背栅电极的顶表面，以及
6.如权利要求1所述的半导体存储器件，其中所述第一有源图案和所述第二有源图案由单晶半导体材料形成。
7.如权利要求1所述的半导体存储器件，其中所述背栅上绝缘图案包括硅氧化物、SiOC和空气中的至少一种。
8.一种半导体存储器件，包括：
9.如权利要求8所述的半导体存储器件，其中所述第二背栅绝缘图案提供在所述背栅电极与所述第三背栅绝缘图案之间。
10.如权利要求9所述的半导体存储器件，其中所述第二背栅绝缘图案接触所述背栅电极的顶表面，以及
12.如权利要求11所述的半导体存储器件，其中所述第三背栅绝缘图案的所述第一部分接触所述背栅电极的顶表面，以及
13.如权利要求8所述的半导体存储器件，其中所述第三背栅绝缘图案至少部分地围绕所述第二背栅绝缘图案，以及
14.如权利要求8所述的半导体存储器件，其中所述第一介电常数在1至4之间。
15.如权利要求8所述的半导体存储器件，其中所述第二背栅绝缘图案在所述第一方向上提供在所述接触图案之间。
16.如权利要求8所述的半导体存储器件，其中所述第二背栅绝缘图案包括硅氧化物、SiOC和空气中的至少一种。
17.如权利要求8所述的半导体存储器件，其中所述第一背栅绝缘图案、所述第二背栅绝缘图案和所述第三背栅绝缘图案在平行于所述基板的所述顶表面且垂直于所述第一方向的第二方向上延伸。
18.一种半导体存储器件，包括：
19.如权利要求18所述的半导体存储器件，其中所述第一介电常数在1至4之间。
20.如权利要求18所述的半导体存储器件，其中所述背栅上绝缘图案包括硅氧化物、SiOC和空气中的至少一种。
...【技术特征摘要】
1.一种半导体存储器件，包括：
2.如权利要求1所述的半导体存储器件，其中所述第一介电常数在1至4之间。
3.如权利要求1所述的半导体存储器件，其中所述背栅下绝缘图案和所述背栅上绝缘图案垂直间隔开，以及
4.如权利要求1所述的半导体存储器件，其中所述接触图案包括连接到所述第一有源图案的第一接触图案和连接到所述第二有源图案的第二接触图案，
5.如权利要求1所述的半导体存储器件，其中所述背栅上绝缘图案接触所述背栅电极的顶表面，以及
6.如权利要求1所述的半导体存储器件，其中所述第一有源图案和所述第二有源图案由单晶半导体材料形成。
7.如权利要求1所述的半导体存储器件，其中所述背栅上绝缘图案包括硅氧化物、sioc和空气中的至少一种。
8.一种半导体存储器件，包括：
9.如权利要求8所述的半导体存储器件，其中所述第二背栅绝缘图案提供在所述背栅电极与所述第三背栅绝缘图案之间。
10.如权利要求9所述的半导体存储器件，其中所述第二背栅绝缘图案接触所述背栅电极的顶表面，以及
11.如权利要求8所述的半导体存储器件，其中所述第三背栅绝缘图案的第一部...
【专利技术属性】
技术研发人员：郑义撤，李相运，李相昊，郑文泳，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：
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