一种兆赫兹级全桥软开关变换器制造技术

本发明专利技术提供了一种固定工作频率的全桥软开关电源结构，它包含一个全桥开关，一个ＬＬＣ高频谐振电路，一个同步整流电路。本发明专利技术采用对称的双极性控制方式。ＬＬＣ谐振变换器是在传统的串联或并联ＬＣ谐振变换器的基础上改良产生的，它既吸收了串联谐振变换器谐振电容所起到的隔直作用和谐振槽路电流随负载轻重而变化，轻载时效率较高的优点；同时又兼具了并联谐振变换器可以工作在空载条件下，对滤波电容的电流脉动电流要求小的特点，所以它是一种比较理想的谐振变换器拓扑。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种DC/DC变换器，尤其是一种固定开关频率的全桥软开关变换器。
技术介绍
近半个世纪以来，开关电源的技术进步和发展经历三个里程①功率器件用功率 场效应晶体管和绝缘栅双极晶体管取代普通功率晶体管；②高频化控制技术的应用和软开 关技术的应用；③开关电源系统集成技术的应用。现代的高频开关电源技术是发展最快、应 用最广泛的一种电力电子技术。现在，每一代新推出的处理器、记忆体、DSP或ASIC，它们的电源需求趋向是更低 工作电压、更高电流、更高速度。系统设计师要面对的挑战，是要应付数量激增的低电压的 同时，更要应付更快速的瞬变响应，改善整体电源系统的效率，提高模块电源的功率密度， 从而占有更少的板面空间。功率密度既功率重量比或功率体积比，是表征开关电源小型化的重要指标，功率 密度的提升，意味着产品在在小型化的同时具有更高的传输效率。目前国内主流开关电源 产品的功率密度为上百瓦/立方英寸，目前正朝着更高的方向发展，功率密度提高一倍，将 大大减小电源产品在电路版上所占的面积，提高板子的使用效率，节约成本。为了实现开关电源高功率密度，必须提高DC/DC转换器的工作频率，从而减小电本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种兆赫兹级全桥软开关变换器，其特征是：包括全桥软开关的左臂中点（Ａ）通过电容（Ｃｒ）连接变压器（Ｔａ）原边的同名端相连，全桥软开关的右臂中点（Ｂ）与变压器（Ｔａ）原边的反向端相连；第五场效应管（Ｓ１）的漏端连接变压器（Ｔａ）副边的同名端，第五场效应管（Ｓ１）的源端连接正输出，第六场效应管（Ｓ２）的漏端连接变压器（Ｔａ）副边的反向端，第六场效应管（Ｓ２）的源端连接正输出，滤波电容（Ｃｆ）一端连接正输出，另一端连接地端，变压器（Ｔａ）副边的中间抽头接地端；所述变压器（Ｔａ）为平面变压器。

【技术特征摘要】
一种兆赫兹级全桥软开关变换器，其特征是包括全桥软开关的左臂中点(A)通过电容(Cr)连接变压器(Ta)原边的同名端相连，全桥软开关的右臂中点(B)与变压器(Ta)原边的反向端相连；第五场效应管(S1)的漏端连接变压器(Ta)副边的同名端，第五场效应管(S1)的源端连接正输出，第六场效应管(S2)的漏端连接变压器(Ta)副边的反向端，第六场效应管(S2)的源端连接正输出，滤波电容(Cf)一端连接正输出，另一端连接地端，变压器(Ta)副边的中间抽头接地端；所述变压器(Ta)为平面变压器。2.如权利要求1所述兆赫兹级全桥软开关变换器，其特征是所述全桥软开关由第 一 第四场效应管(Tl、T2、T3、T4)及相应寄生二极管(Dl、D2、D3、D4)构成，其中第一场 效应管(Tl)、第二场效应管(T2)构成左臂，第三场效应管(T3)、第四场效应管(T4)构成右 臂；电容(Cr)连接第一场效应管(Tl)和第二场效应管(T2)之间的节点(...

【专利技术属性】
技术研发人员：易峰，吴旭，钱宏文，郭海平，
申请(专利权)人：中国电子科技集团公司第五十八研究所，
类型：发明
国别省市：32[中国|江苏]