【技术实现步骤摘要】
本申请涉及一种具有氮杂环及硅氧烷结构的二胺单体及其制备方法和应用，属于功能性高分子材料领域。
技术介绍
1、聚酰亚胺(pi)因具有优异的耐热性、力学性能、电性能而成为半导体和微电子行业中应用最为广泛的高分子材料之一。随着电子产品的轻量化、高性能化和多功能化，对光敏聚酰亚胺(pspi)封装材料提出了更高要求。
2、目前，常见的一些pspi材料的介电常数偏高(通常大于3)，无法满足新一代通讯技术低介电常数和低介电损耗的性能要求。另一方面，过高的工艺温度会放大封装材料与基材之间因热膨胀系数差异所引起的界面应力，因此尽可能地降低聚酰亚胺材料的固化温度。为了实现低温固化，通常向聚合物的重复单元中导入柔软基团，如：烷基、亚烷基二醇基、硅氧烷键等。但是，在分子链中引入柔软基团这种方式获得的聚酰亚胺难以具有充分的机械特性及优异的热性能；制备可溶性的聚酰亚胺或聚异酰亚胺来实现树脂的低温固化，但往往会溶解性不好，应用受限；通过添加含咪唑环、三唑环、噻唑环等化合物来解决低温固化时树脂闭环不充分及与金属材料密合不充分的问题，但小分子物质容易热分解，...
【技术保护点】
1.一种具有氮杂环及硅氧烷结构的二胺单体，其特征在于，其具有如下式(Ⅰ)所示的结构式：
2.根据权利要求1所述具有氮杂环及硅氧烷结构的二胺单体，其特征在于，所述氮杂环选自三唑、吡唑、咪唑、噻唑、哌啶、吡啶、苯并咪唑、咔唑中任一种；
3.一种根据权利要求1或2所述具有氮杂环及硅氧烷结构的二胺单体的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
4.根据权利要求3所述具有氮杂环及硅氧烷结构的二胺单体的制备方法，其特征在于，所述步骤1中，反应Ⅰ的温度为50～80℃，反应Ⅰ的时间为3h～6h；
5.根据权利要求3所述具有氮杂环及硅氧烷结构...
【技术特征摘要】
1.一种具有氮杂环及硅氧烷结构的二胺单体，其特征在于，其具有如下式(ⅰ)所示的结构式：
2.根据权利要求1所述具有氮杂环及硅氧烷结构的二胺单体，其特征在于，所述氮杂环选自三唑、吡唑、咪唑、噻唑、哌啶、吡啶、苯并咪唑、咔唑中任一种；
3.一种根据权利要求1或2所述具有氮杂环及硅氧烷结构的二胺单体的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
4.根据权利要求3所述具有氮杂环及硅氧烷结构的二胺单体的制备方法，其特征在于，所述步骤1中，反应ⅰ的温度为50～80℃，反应ⅰ的时间为3h～6h；
5.根据权利要求3所述具有氮杂环及硅氧烷结构的二胺单体的制备方法，其特征在...
【专利技术属性】
技术研发人员：王珂，李铭新，盛泽东，陈存浩，
申请(专利权)人：波米科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。