【技术实现步骤摘要】
本申请涉及显示，尤其涉及一种阵列基板的制备方法、阵列基板和显示面板。
技术介绍
1、薄膜晶体管液晶显示装置(thin film transistor-liquid crystal display，tft-lcd)具有画质好、体积小、重量轻、低驱动电压、低功耗、无辐射和制造成本相对较低的优点，在显示领域中占据主导地位。
2、阵列基板是tft-lcd的重要组成部分，可以控制液晶的偏转以使得tft-lcd呈现不同的色彩。在制作阵列基板时，目前比较常见的方式是采用6道光刻技术进行制备，这种制备方式在整个工艺流程中需要6道掩模版，从而使得阵列基板的制备成本较高。
技术实现思路
1、有鉴于此，本申请提供一种阵列基板的制备方法、阵列基板和显示面板，用于降低阵列基板的制备成本。
2、为了实现上述目的，第一方面，本申请实施例提供一种阵列基板的制备方法，该制备方法包括：
3、在衬底基板上形成栅极层，其中，所述栅极层包括栅极和第一走线；
4、在所述衬底基板和所述栅极层的上方依次形成绝缘层和半导体层；
5、对所述第一走线上方对应的绝缘层和半导体层进行刻蚀，暴露所述第一走线；
6、在所述半导体层和所述第一走线的上方依次形成源漏金属层和光刻胶层，对所述光刻胶层进行图案化处理，形成图案化光刻胶层，所述图案化光刻胶层包括光刻胶保留区、光刻胶半保留区以及光刻胶去除区，所述光刻胶保留区分布在所述第一走线对应的半导体层上方和源漏极区域的上方，所述光
7、以所述图案化光刻胶层为掩膜，对所述光刻胶去除区对应的源漏金属层和半导体层进行刻蚀，去除所述光刻胶去除区的源漏金属层和半导体层；然后去除所述光刻胶半保留区的光刻胶，对所述光刻胶半保留区对应的源漏金属层和半导体层依次进行刻蚀后，去除所述图案化光刻胶层，形成源漏极层、沟道和位于所述第一走线上方的第二走线；
8、在所述第二走线、源漏极层、沟道以及衬底基板的上方形成平坦层；
9、在所述平坦层上形成像素电极层。
10、在第一方面的一种可能的实施方式中，所述在衬底基板上形成栅极层之前，所述方法还包括：在所述衬底基板上形成钝化层。
11、在第一方面的一种可能的实施方式中，所述在衬底基板上形成栅极层，包括：
12、在所述衬底基板上形成栅极金属层；
13、对所述栅极金属层进行图案化处理，形成所述栅极层。
14、在第一方面的一种可能的实施方式中，所述绝缘层和所述半导体层均采用等离子体增强化学气相沉积工艺形成。
15、在第一方面的一种可能的实施方式中，所述对所述第一走线上方对应的绝缘层和半导体层进行刻蚀，暴露所述第一走线，包括：
16、在所述半导体层上形成光刻胶层，去除所述第一走线上方的光刻胶，暴露所述第一走线上方的半导体层；
17、对所述第一走线上方的半导体层进行第一次干法刻蚀，暴露所述第一走线上方的绝缘层；
18、对所述第一走线上方的绝缘层进行第二次干法刻蚀，暴露所述第一走线。
19、在第一方面的一种可能的实施方式中，所述第一次干法刻蚀的刻蚀气体为六氟化硫和四氟化碳的混合气体，所述第二次干法刻蚀的刻蚀气体为六氟化硫和三氟化氮的混合气体。
20、在第一方面的一种可能的实施方式中，所述对所述光刻胶层进行图案化处理，包括：
21、利用半色调掩模版对所述光刻胶层进行曝光，其中，所述半色调掩模版包括遮光区、半透光区以及透光区，所述遮光区对应所述光刻胶保留区，所述透光区对应所述光刻胶去除区；
22、对所述光刻胶层的光刻胶进行显影。
23、在第一方面的一种可能的实施方式中，所述在所述平坦层上形成像素电极层，包括：
24、在所述源漏极层的上方对应的平坦层上形成过孔；
25、在所述平坦层上沉积导电膜，并对所述导电膜进行图案化处理，形成像素电极层，所述像素电极层通过所述过孔与所述源漏极层连接。
26、第二方面，本申请实施例提供一种阵列基板，该阵列基板是基于第一方面或第一方面任一所述的方法制备的。
27、第三方面，本申请实施例提供一种显示面板，该显示面板包括第二方面所述的阵列基板，与所述阵列基板对向设置的彩膜基板，以及位于所述阵列基板和所述彩膜基板之间的液晶层。
28、本申请实施例提供的阵列基板的制备方法，该方法包括在衬底基板上形成栅极层，其中，栅极层包括栅极和第一走线；在衬底基板和栅极层的上方依次形成绝缘层和半导体层；对第一走线上方对应的绝缘层和半导体层进行刻蚀，暴露第一走线；在半导体层和第一走线的上方依次形成源漏金属层和光刻胶层，对光刻胶层进行图案化处理，形成图案化光刻胶层，图案化光刻胶层包括光刻胶保留区、光刻胶半保留区以及光刻胶去除区，光刻胶保留区分布在第一走线对应的半导体层上方和源漏极区域的上方，光刻胶半保留区对应半导体层沟道区域，光刻胶去除区对应源漏金属层上的其他区域，其中，光刻胶半保留区的光刻胶的厚度小于光刻胶保留区的光刻胶的厚度；以图案化光刻胶层为掩膜，对光刻胶去除区对应的源漏金属层和半导体层进行刻蚀，去除光刻胶去除区的源漏金属层和半导体层；然后去除光刻胶半保留区的光刻胶，对光刻胶半保留区对应的源漏金属层和半导体层依次进行刻蚀后，去除图案化光刻胶层，形成源漏极层、沟道和位于第一走线上方的第二走线；在第二走线、源漏极层、沟道以及衬底基板的上方形成平坦层；在平坦层上形成像素电极层。本申请提供的技术方案可以仅使用五道掩模版就可以实现阵列基板的制备，从而可以降低阵列基板的制备成本。
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1.一种阵列基板的制备方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述在衬底基板上形成栅极层之前，所述方法还包括：在所述衬底基板上形成钝化层。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述在衬底基板上形成栅极层，包括：
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述绝缘层和所述半导体层均采用等离子体增强化学气相沉积工艺形成。
5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述对所述第一走线上方对应的绝缘层和半导体层进行刻蚀，暴露所述第一走线，包括：
6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述第一次干法刻蚀的刻蚀气体为六氟化硫和四氟化碳的混合气体，所述第二次干法刻蚀的刻蚀气体为六氟化硫和三氟化氮的混合气体。
7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述对所述光刻胶层进行图案化处理，包括：
8.根据权利要求1-7任一项所述的方法，其特征在于，所述在所述平坦层上形成像素电极层，包括：
9.一种阵列基板，其特征在于，所述阵列基板是基于权利要求1-8任一项所述的方法制
10.一种显示面板，其特征在于，包括权利要求9所述的阵列基板，与所述阵列基板对向设置的彩膜基板，以及位于所述阵列基板和所述彩膜基板之间的液晶层。
...【技术特征摘要】
1.一种阵列基板的制备方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述在衬底基板上形成栅极层之前，所述方法还包括：在所述衬底基板上形成钝化层。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述在衬底基板上形成栅极层，包括：
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述绝缘层和所述半导体层均采用等离子体增强化学气相沉积工艺形成。
5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述对所述第一走线上方对应的绝缘层和半导体层进行刻蚀，暴露所述第一走线，包括：
6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所...
【专利技术属性】
技术研发人员：徐辽，叶利丹，
申请(专利权)人：长沙惠科光电有限公司，
类型：发明
国别省市：
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