【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及集成电路设计制造领域，特别是涉及一种图像传感器及其制备方法。
技术介绍
1、图像传感器作为一种将光学图像信息转换成电信号的设备，被广泛应用在消费、监控和工业等各个领域中。在图像传感器中包括彩色滤光片和透镜，分别起到滤光和汇聚光线的作用。目前，组成图像传感器的彩色滤光片和透镜需要分别在各自的代工厂制备，造成在图像传感器的加工过程中，存在加工周期长、成本高和转运过程繁琐等问题。同时也会存在彩色滤光片和透镜匹配性差的问题。
技术实现思路
1、鉴于以上所述现有技术的缺点，本专利技术的目的在于提供一种图像传感器及其制备方法，能够缩短加工流程，减少加工过程中的转运过程，节约加工时间和成本。
2、为解决上述技术问题，本专利技术是通过以下技术方案实现的。
3、本专利技术提供一种图像传感器，至少包括：
4、衬底，所述衬底包括多个光电感应区；以及
5、滤光结构，设置在所述光电感应区上，所述滤光结构包括至少一层介电材料层，且所述介电材料层包括至少两层介电子层；
6、其中，远离所述光电感应区的所述滤光结构向远离所述光电感应区的方向凸起；
7、所述滤光结构反射预设波长的光。
8、在本专利技术一实施例中，所述凸起的形状为弧形。
9、在本专利技术一实施例中，所述介电材料层至少包括第一介电子层和第二介电子层，所述第一介电子层设置在所述光电感应区上，所述第二介电子层设置在所述第一介电子层远离所述光电感应区的
10、在本专利技术一实施例中，多层所述介电材料层中，第一介电子层和第二介电子层的厚度相等或不相等。
11、在本专利技术一实施例中，所述第一介电子层和所述第二介电子层的材质各自选自sio2、sin、sion、sic、al2o3和tio2中的至少1种。
12、本专利技术还提出一种图像传感器的制备方法，至少包括：
13、提供一衬底，所述衬底包括多个光电感应区；
14、在所述光电感应区上形成至少一层介电材料层，所述介电材料层包括至少两层介电子层；以及
15、刻蚀所述介电材料层，形成滤光结构，远离所述光电感应区的所述滤光结构向远离所述光电感应区的方向凸起。
16、在本专利技术一实施例中，所述滤光结构的制备方法，包括以下步骤：
17、在所述介电材料层远离所述光电感应区的一侧上涂覆光刻胶，所述光刻胶完全覆盖所述介电材料层；
18、固化所述光刻胶；
19、通过曝光和显影，去除所述光电感应区边缘的所述光刻胶；
20、将所述光刻胶加热至预设温度，至少烘烤一次所述光刻胶；
21、以烘烤后的所述光刻胶为掩膜，刻蚀所述滤光结构；以及
22、去除所述光刻胶。
23、在本专利技术一实施例中，曝光和显影后，所述光刻胶覆盖的直径为所述光电感应区直径的0.5-0.95。
24、在本专利技术一实施例中，远离所述光电感应区的所述滤光结构的凸起高度为0.3-5μm。
25、在本专利技术一实施例中，所述预设温度为100-300℃。
26、综上所述，本专利技术提供了一种图像传感器及其制备方法，通过制备类似透镜形状的滤光结构，能够同时实现光学汇聚和滤波的功能，以代替微透镜和彩色滤光片，能够缩短图像传感器的加工流程，减少转运过程，节约加工时间和成本。
27、当然，实施本专利技术的任一方式并不一定需要同时达到以上所述的所有优点。
本文档来自技高网...【技术保护点】
1.一种图像传感器，其特征在于，至少包括：
2.根据权利要求1所述的图像传感器，其特征在于，所述凸起的形状为弧形。
3.根据权利要求1所述的图像传感器，其特征在于，所述介电材料层至少包括第一介电子层和第二介电子层，所述第一介电子层设置在所述光电感应区上，所述第二介电子层设置在所述第一介电子层远离所述光电感应区的一侧上。
4.根据权利要求3所述的图像传感器，其特征在于，多层所述介电材料层中，所述第一介电子层和所述第二介电子层的厚度相等或不相等。
5.根据权利要求3所述的图像传感器，其特征在于，所述第一介电子层和所述第二介电子层的材质各自选自SiO2、SiN、SiON、SiC、Al2O3和TiO2中的至少一种。
6.一种图像传感器的制备方法，其特征在于，至少包括以下步骤：
7.根据权利要求6所述的图像传感器的制备方法，其特征在于，所述滤光结构的制备方法，包括以下步骤：
8.根据权利要求7所述的图像传感器的制备方法，其特征在于，曝光和显影后，所述光刻胶的覆盖直径为所述光电感应区直径的0.5-0.95。<...
【技术特征摘要】
1.一种图像传感器，其特征在于，至少包括：
2.根据权利要求1所述的图像传感器，其特征在于，所述凸起的形状为弧形。
3.根据权利要求1所述的图像传感器，其特征在于，所述介电材料层至少包括第一介电子层和第二介电子层，所述第一介电子层设置在所述光电感应区上，所述第二介电子层设置在所述第一介电子层远离所述光电感应区的一侧上。
4.根据权利要求3所述的图像传感器，其特征在于，多层所述介电材料层中，所述第一介电子层和所述第二介电子层的厚度相等或不相等。
5.根据权利要求3所述的图像传感器，其特征在于，所述第一介电子层和所述第二介电子层的材质各自选自sio2、sin、sio...
【专利技术属性】
技术研发人员：张维，范春晖，
申请(专利权)人：合肥海图微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：
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