【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及图像传感，特别涉及一种半导体结构及其制造方法、图像传感器。
技术介绍
1、随着科技和社会的进步，人们对图像传感器具有高像素、高满阱电荷容量、高动态、高灵敏度和夜视等需求。其中满阱容量是指像素所能收集并容纳的电子个数的极限，是像素的重要性能基准之一。满阱容量直接决定了图像传感器的最大信噪比，且满阱容量与灵敏度、动态范围、噪声和光响应都高度相关。
2、而图像传感器的工艺节点逐渐减小，在像素微缩的同时，用来存储电荷的区域将被压缩，满阱容量受到较大影响。低的满阱容量会降低像素的动态范围、信噪比，同时还会降低像素可探测的光的范围，严重的影响成像质量。
技术实现思路
1、本专利技术的目的在于提供一种半导体结构及其制造方法、图像传感器，能够提升半导体结构的满阱容量，从而提升图像传感器的成像质量。
2、为解决上述技术问题，本专利技术是通过以下技术方案实现的：
3、本专利技术提供了一种半导体结构，包括：
4、衬底结构；
5、第一掺杂区...
【技术保护点】
1.一种半导体结构，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的一种半导体结构，其特征在于，所述半导体结构包括第三掺杂区，所述第三掺杂区设置在所述衬底结构中，其中所述第三掺杂区和所述第一掺杂区的掺杂离子相同。
3.根据权利要求2所述的一种半导体结构，其特征在于，所述半导体结构包括传输栅极，所述传输栅极设置在所述衬底结构上，其中所述传输栅极的一侧延伸至所述第二掺杂区上，所述传输栅极的另一侧延伸至所述第三掺杂区上。
4.一种半导体结构的制造方法，其特征在于，至少包括以下技术步骤：
5.根据权利要求4所述的一种半导体结构的制造...
【技术特征摘要】
1.一种半导体结构，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的一种半导体结构，其特征在于，所述半导体结构包括第三掺杂区，所述第三掺杂区设置在所述衬底结构中，其中所述第三掺杂区和所述第一掺杂区的掺杂离子相同。
3.根据权利要求2所述的一种半导体结构，其特征在于，所述半导体结构包括传输栅极，所述传输栅极设置在所述衬底结构上，其中所述传输栅极的一侧延伸至所述第二掺杂区上，所述传输栅极的另一侧延伸至所述第三掺杂区上。
4.一种半导体结构的制造方法，其特征在于，至少包括以下技术步骤：
5.根据权利要求4所述的一种半导体结构的制造方法，其特征在于，形成所述掺杂分部的步骤包括：
6.根据权利要求5所述的一种半导体结构的制造方法，其特征在于，获取所述光电反应区的工艺光罩图案和工艺掺杂参数的步骤包括：
7.根据权利要求6所述的一种半导体结...
【专利技术属性】
技术研发人员：张莉玮，奚鹏程，范春晖，张维，赵庆贺，
申请(专利权)人：合肥海图微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：
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