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本发明提供了一种半导体结构及其制造方法、图像传感器，其中一种半导体结构，包括：衬底结构；第一掺杂区，设置在衬底结构中，且第一掺杂区和衬底结构的连接处形成第一PN结，第一掺杂区包括多个掺杂分部，其中多个掺杂分部沿衬底结构的表面呈阵列分布，其中...
该专利属于合肥海图微电子有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过合肥海图微电子有限公司授权不得商用。

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