【技术实现步骤摘要】
本申请涉及异质结电池领域，特别是一种镀膜设备及方法。
技术介绍
1、异质结电池(hetero-junction with intrinsic thin layer)由衬底以及沉积于衬底两侧的非晶硅薄膜结构构成，为了获得满足性能要求的异质结电池，目前的异质结电池制备工艺一般会将本征层和掺杂层的沉积拆分为多个沉积步骤(也称为镀膜步骤)。
2、相关技术中，异质结电池制备工艺一般将不同的沉积步骤分散在不同的工艺腔中进行，也就是说，上游来料的衬底分为多组，各组衬底先后经过多个本征工艺腔和多个掺杂工艺腔，通过rf射频多次沉积形成本征层，通过vhf射频多次沉积形成掺杂层，从而能够同时沉积多组衬底，进而减少工艺等待时间、提高生产节拍和衬底处理能力。
3、为了保证沉积的质量，工艺腔的设计要求较为严格，因此工艺腔的尺寸受限，容量不能随意扩大。为了进一步提高生产节拍和衬底处理能力，一些相关技术选择继续增加本征工艺腔和掺杂工艺腔的数量，例如将厚度为20nm的掺杂层分为5个掺杂工艺腔进行连续性镀膜。但是，增加过多的工艺腔会导致使用的pec...
【技术保护点】
1.一种镀膜设备，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的镀膜设备，其特征在于，所述第一本征腔和所述第一掺杂腔满足：单个所述第一本征腔的投影面积大于单个所述第一掺杂腔的投影面积，所述第一本征腔能够容纳多组所述衬底，所述第一掺杂腔能够容纳一组所述衬底。
3.根据权利要求1所述的镀膜设备，其特征在于，若干个所述第一掺杂腔在所述镀膜设备的宽度方向上并排布置。
4.根据权利要求1所述的镀膜设备，其特征在于，所述镀膜设备还包括第二本征腔，所述第二本征腔位于所述第一本征腔的上游，所述第二本征腔与所述第一本征腔串联连接，所述第二本征腔用于在所...
【技术特征摘要】
1.一种镀膜设备，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的镀膜设备，其特征在于，所述第一本征腔和所述第一掺杂腔满足：单个所述第一本征腔的投影面积大于单个所述第一掺杂腔的投影面积，所述第一本征腔能够容纳多组所述衬底，所述第一掺杂腔能够容纳一组所述衬底。
3.根据权利要求1所述的镀膜设备，其特征在于，若干个所述第一掺杂腔在所述镀膜设备的宽度方向上并排布置。
4.根据权利要求1所述的镀膜设备，其特征在于，所述镀膜设备还包括第二本征腔，所述第二本征腔位于所述第一本征腔的上游，所述第二本征腔与所述第一本征腔串联连接，所述第二本征腔用于在所述衬底的另一侧沉积第二本征层。
5.根据权利要求1所述的镀膜设备，其特征在于，所述镀膜设备还包括第二掺杂腔，所述第二掺杂腔位于所述第一掺杂腔的下游，所述第二掺杂腔与所述第一掺杂腔串联连接，所述第二掺杂腔用于在所述衬底的另一侧沉积第二掺杂层。
6.根据权利要求1至5任一项所述...
【专利技术属性】
技术研发人员：请求不公布姓名，请求不公布姓名，请求不公布姓名，请求不公布姓名，请求不公布姓名，
申请(专利权)人：广东利元亨智能装备股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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