一种图像传感器及其制备方法技术

本发明专利技术提供一种图像传感器及其制备方法，图像传感器包括：半导体衬底；有源区，形成于所述半导体衬底内；多个深沟槽隔离区，形成于所述有源区内；多个光敏二极管区，形成于所述有源区内，每个所述光敏二极管区位于两个相邻所述深沟槽隔离区之间，所述光敏二极管区的顶部呈凸部结构；平坦层，形成于多个所述光敏二极管区的表面；以及多个微透镜区，形成于所述平坦层的表面，每个所述微透镜区与一个所述光敏二极管区相对应。本发明专利技术可提升红外光量子效率，并且还没有损失对于短波蓝光的吸收，实现短波段到近红外波段光灵敏度共同提升。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体制造领域，尤其涉及一种图像传感器及其制备方法。

技术介绍

1、图像传感器经过几十年的发展，已经被大规模应用于消费电子、工业、安防等领域。在目前的安防监控、机器视觉和智能交通系统等领域中，应用的近红外波段光波长较长(850nm～940nm)，其穿透硅基能力很强，硅基对近红外光的吸收深度更深(2um)，一般已经超过了传统图像传感器光敏二极管的耗尽区，因此量子效率较小。受限于硅基耗尽区对近红外波长光的吸收较小，传统图像传感器近红外光灵敏度低，夜间成像感光强度低。因此，存在待改进之处。

技术实现思路

1、本专利技术提供一种图像传感器及其制备方法，以解决现有技术中存在传统图像传感器近红外光灵敏度低，夜间成像感光强度低的技术问题。

2、本专利技术提出一种图像传感器，包括：

3、半导体衬底；

4、有源区，形成于所述半导体衬底内；

5、多个深沟槽隔离区，形成于所述有源区内；

6、多个光敏二极管区，形成于所述有源区内，每个所述光敏二极管区位于两个相本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种图像传感器，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的图像传感器，其特征在于，所述光敏二极管区上的凸部结构为曲面形状。

3.根据权利要求2所述的图像传感器，其特征在于，多个所述光敏二极管区的凸部结构的高度不同，以使得多个所述光敏二极管的凸部结构的曲率不同。

4.根据权利要求1所述的图像传感器，其特征在于，每个所述光敏二极管区的顶部包括至少一个凸部结构。

5.根据权利要求4所述的图像传感器，其特征在于，当一个所述光敏二极管区的顶部包括至少两个凸部结构时，多个所述凸部结构的大小相同。

6.一种图像传感器的制备方法，其特征在...

【技术特征摘要】

1.一种图像传感器，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的图像传感器，其特征在于，所述光敏二极管区上的凸部结构为曲面形状。

3.根据权利要求2所述的图像传感器，其特征在于，多个所述光敏二极管区的凸部结构的高度不同，以使得多个所述光敏二极管的凸部结构的曲率不同。

4.根据权利要求1所述的图像传感器，其特征在于，每个所述光敏二极管区的顶部包括至少一个凸部结构。

5.根据权利要求4所述的图像传感器，其特征在于，当一个所述光敏二极管区的顶部包括至少两个凸部结构时，多个所述凸部结构的大小相同。

6.一种图像传感器的制备方法，其特征在于，包括：

7.根...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘阳，范春晖，李岩，奚鹏程，夏小峰，张莉玮，赵庆贺，张维，
申请(专利权)人：合肥海图微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：