【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于eva封装胶膜领域，尤其涉及一种除酸型eva封装胶膜及其制备方法。
技术介绍
1、随着光伏产业的发展，电势诱导衰减(potential induced degradation，pid)现象导致的品质问题日趋严重。电池片、玻璃、eva封装胶膜、温度、湿度和电压等均可能诱导pid现象的产生，使发电量会明显衰减，严重影响组件寿命，阻碍光伏系统的应用和收益。潮湿环境下水气通过封边处的硅胶或背板进入组件内部，eva封装胶膜的酯键遇水发生水解，产生可以自由移动的醋酸，醋酸和玻璃表面析出的碱反应后，产生了可以自由移动的na+，na+在外加电场的作用下向电池片表面移动而形成漏电流，在漏电流的作用下，带正电的载流子穿过玻璃，通过边框流向地面，使得负电荷在电池片表面堆积，吸引光电载流子(空穴)流向n型硅的表面聚集起来，而不是像正常状态下一样流向正极(p极)，从而出现了因表面极化而引起的输出功率衰减的pid效应。从pid现象的产生机理来看，eva封装胶膜的酯键水解是pid现象产生的内因，故而多采用降低eva胶膜中va(vinyl acetate，乙酸乙烯)含量，或适当改变配方，增加体积电阻率，从而阻碍钠离子的迁移，延缓pid衰减。
2、抑制pid现象产生的方法通常包括如下几种：其一是添加活泼金属无机盐类除酸剂，可以和eva水解产生的醋酸根离子发生反应，转化为不会对组件产生腐蚀的物质；其二是添加碳化二亚胺或/和聚碳化二亚胺抗水解剂，抗水解剂，在高温高湿的条件下可以将进入组件内部的水分子和eva水解产生的乙酸分子转化或中和成脲类
技术实现思路
1、为了克服现有技术存在的问题，本专利技术的目的是提供一种除酸型eva封装胶膜及其制备方法，其是在eva树脂中引入甲基丙烯酸缩水甘油醚、丙烯酸二甲氨基甲酯、乙烯基硅烷偶联剂和抗pid单体，通过原位接枝聚合，形成交联网络结构，引入抑制eva的酯键水解官能团，避免了pid现象的产生，同时交联网络结构的形成，能够提高胶膜的机械强度和耐湿热老化性。
2、本专利技术的目的是通过以下技术方案来实现的：
3、一种除酸型eva封装胶膜，其原料包括：
4、乙烯-醋酸乙烯酯共聚物 100份，
5、甲基丙烯酸缩水甘油醚 0. 3份-12份，
6、丙烯酸二甲氨基甲酯 0.2份-8份，
7、乙烯基硅烷偶联剂 0. 3份-6份，
8、抗pid单体ⅰ0. 2份-7份，
9、交联剂0.03份-0.5份，
10、引发剂0.01份-0.5份。
11、所述抗pid单体ⅰ选自下式i所示的化合物，
12、（i）
13、式i中，r1为c1-c12的直链或支链亚烷基，r2为c1-c12的直链或支链烷基。优选地，r1为亚甲基、亚乙基、亚异丙基、亚丁基、亚异丁基、亚叔丁基；r2为甲基、乙基、丙基、己基、辛基、异辛基。
14、所述抗pid单体ⅰ是以3-羟基苯硼酸为原料，先使其羟基与甲基丙烯酰氯发生反应引入可聚合双键，接着，利用其硼酸基团与含卤素的烷基胺发生suzuki偶联反应进行扩链，同时引入氨基，最后，通过氨基与异硫氰酸烷基酯发生加成、氧化反应，形成碳亚胺基团，得到具有可聚合双键、碳亚胺基团的抗pid单体。
15、所述乙烯基硅烷偶联剂为乙烯基三(2-甲氧基乙氧基)硅烷、乙烯基三甲氧基硅烷、乙烯基三乙氧基硅烷、甲基丙烯酰氧基丙基三甲氧基硅烷中的一种或多种。
16、所述交联剂选自乙二醇二甲基丙烯酸酯、丁二醇二甲基丙烯酸酯、己二醇二甲基丙烯酸酯、三羟甲基丙烷三甲基丙烯酸酯中的一种或多种。
17、所述引发剂为1,1-二叔丁基过氧化-3,3,5-三甲基环己烷、2,5-二甲基-2,5-二（叔丁基过氧化）己烷、叔丁基过氧化碳酸-2-乙基己酯、2,5-二甲基-2,5-二（叔丁基过氧基）己烷、叔丁基过氧化碳酸异丙酯中的一种或多种。
18、优选地，一种除酸型eva封装胶膜，其原料包括：
19、乙烯-醋酸乙烯酯共聚物 100份，
20、甲基丙烯酸缩水甘油醚 0. 5份-8份，
21、丙烯酸二甲氨基甲酯 0.3份-6份，
22、乙烯基硅烷偶联剂 0. 5份-5份，
23、抗pid单体ⅰ0. 6份-3份，
24、交联剂0.05份-0.4份，
25、引发剂0.01份-0.3份。
26、一种除酸型eva封装胶膜制备方法，包括如下步骤：
27、步骤一：按配比称取各原料，搅拌混匀；
28、步骤二：将步骤一混合均匀的混合物加入到挤出机进行混炼塑化，熔融挤出、流延成膜，收卷即得到除酸型eva封装胶膜。
29、本专利技术的有益效果：
30、1、在eva树脂中引入甲基丙烯酸缩水甘油醚、丙烯酸二甲氨基甲酯、乙烯基硅烷偶联剂和抗pid单体，通过原位接枝聚合，形成交联网络结构，引入多种抑制eva的酯键水解官能团，其中，环氧基团在弱酸体系下开环，与醋酸反应形成酯，中和了醋酸，烷氧基硅烷基团能够与渗入的水分子反应，形成硅氧硅键，碳化二亚胺基团能够将水和酸中和成脲，从而避免了pid现象的产生，提高耐湿热老化性。
31、2、环氧基团、烷氧基硅烷基团还能在胶膜与玻璃之间形成牢固的化学键，增加胶膜与玻璃的粘附力，降低胶膜与玻璃之间的漏电电流，减少电势诱导衰减的发生。
32、3、交联网络结构的形成，能够阻碍钠离子的迁移，抑制pid现象的产生，同时能够提高胶膜的机械强度和稳定性。
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1.一种除酸型EVA封装胶膜，其特征在于，其原料包括：
2.根据权利要求1所述的除酸型EVA封装胶膜，其特征在于，所述R1为亚甲基、亚乙基、亚异丙基、亚丁基、亚异丁基、亚叔丁基；R2为甲基、乙基、丙基、己基、辛基、异辛基。
3.根据权利要求2所述的除酸型EVA封装胶膜，其特征在于，所述R1为亚甲基，R2为丙基。
4.根据权利要求2所述的除酸型EVA封装胶膜，其特征在于，所述R1为亚丙基，R2为丁基。
5.根据权利要求1所述的除酸型EVA封装胶膜，其特征在于，所述乙烯基硅烷偶联剂为乙烯基三(2-甲氧基乙氧基)硅烷、乙烯基三甲氧基硅烷、乙烯基三乙氧基硅烷、甲基丙烯酰氧基丙基三甲氧基硅烷中的一种或多种。
6.根据权利要求1所述的除酸型EVA封装胶膜，其特征在于，所述交联剂选自乙二醇二甲基丙烯酸酯、丁二醇二甲基丙烯酸酯、己二醇二甲基丙烯酸酯、三羟甲基丙烷三甲基丙烯酸酯中的一种或多种。
7.根据权利要求1所述的除酸型EVA封装胶膜，其特征在于，所述引发剂为1,1-二叔丁基过氧化-3,3,5-三甲基环己烷、2,5-二甲基
8.根据权利要求1所述的除酸型EVA封装胶膜，其特征在于，所述原料包括乙烯-醋酸乙烯酯共聚物 100份，甲基丙烯酸缩水甘油醚 0. 5份-8份，丙烯酸二甲氨基甲酯 0.3份-6份，乙烯基硅烷偶联剂 0. 5份-5份，抗PID单体Ⅰ0. 6份-3份，交联剂0.05份-0.4份，引发剂0.01份-0.3份。
9.根据权利要求1所述的除酸型EVA封装胶膜，其特征在于，所述原料包括乙烯-醋酸乙烯酯共聚物 100份，甲基丙烯酸缩水甘油醚 5份，丙烯酸二甲氨基甲酯 3份，乙烯基硅烷偶联剂 4份，抗PID单体Ⅰ2份，交联剂 0.2份，引发剂0.1份。
10.权利要求1-9任一项所述的除酸型EVA封装胶膜的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：
...【技术特征摘要】
1.一种除酸型eva封装胶膜，其特征在于，其原料包括：
2.根据权利要求1所述的除酸型eva封装胶膜，其特征在于，所述r1为亚甲基、亚乙基、亚异丙基、亚丁基、亚异丁基、亚叔丁基；r2为甲基、乙基、丙基、己基、辛基、异辛基。
3.根据权利要求2所述的除酸型eva封装胶膜，其特征在于，所述r1为亚甲基，r2为丙基。
4.根据权利要求2所述的除酸型eva封装胶膜，其特征在于，所述r1为亚丙基，r2为丁基。
5.根据权利要求1所述的除酸型eva封装胶膜，其特征在于，所述乙烯基硅烷偶联剂为乙烯基三(2-甲氧基乙氧基)硅烷、乙烯基三甲氧基硅烷、乙烯基三乙氧基硅烷、甲基丙烯酰氧基丙基三甲氧基硅烷中的一种或多种。
6.根据权利要求1所述的除酸型eva封装胶膜，其特征在于，所述交联剂选自乙二醇二甲基丙烯酸酯、丁二醇二甲基丙烯酸酯、己二醇二甲基丙烯酸酯、三羟甲基丙烷三甲基丙烯酸酯中的一种或多种。
7.根据权利要求1所述的除酸型eva封装胶膜，其特...
【专利技术属性】
技术研发人员：潘俊，居俊杰，孟雪，
申请(专利权)人：苏州易昇光学材料股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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