【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种光刻设备和光刻投影设备。
技术介绍
光刻设备是一种将所需图案应用到衬底上,通常是衬底的目标部分上的机器。例 如,可以将光刻设备用在集成电路(IC)的制造中。在这种情况下,可以将可选地称为掩模 或掩模版(reticle)的图案形成装置用于生成在所述IC的单层上待形成的电路图案。可 以将该图案成像到衬底(例如,硅晶片)上的目标部分(例如,包括一部分管芯、一个或多 个管芯)上。通常,图案的转移是通过把图案成像到提供到衬底上的辐射敏感材料(抗蚀 剂)层上进行的。通常,单独的衬底将包含被连续形成图案的相邻目标部分的网络。公知 的光刻设备包括所谓步进机,在所述步进机中,通过将全部图案一次曝光到所述目标部分 上来辐射每一个目标部分;以及所谓扫描器,在所述扫描器中,通过辐射束沿给定方向(“扫 描”方向)扫描所述图案、同时沿与该方向平行或反向平行的方向扫描所述衬底来辐射每一 个目标部分。也可能通过将图案压印(imprinting)到衬底的方式从图案形成装置将图案 转移到衬底上。曾有提议将光刻投影设备中的衬底浸没到具有相对高的折射系数的液体中(例 如水),这样在 ...
【技术保护点】
一种浸没光刻设备,包括:衬底台,构造成支撑衬底;衬底台内的排液装置,构造成容纳使用时泄漏进入衬底台的边缘和衬底台上的对象物体之间的间隙中的浸没流体;和邻近延长构件端部的入口,所述延长构件配置用于供给清洁流体到(i)所述间隙,或(ii)所述排液装置的入口,或(iii)所述排液装置,或(iv)任何选自(i)-(iii)的组合。
【技术特征摘要】
US 2007-9-27 60/960,385一种浸没光刻设备,包括衬底台,构造成支撑衬底;衬底台内的排液装置,构造成容纳使用时泄漏进入衬底台的边缘和衬底台上的对象物体之间的间隙中的浸没流体;和邻近延长构件端部的入口,所述延长构件配置用于供给清洁流体到(i)所述间隙,或(ii)所述排液装置的入口,或(iii)所述排液装置,或(iv)任何选自(i) (iii)的组合。2.如权利要求1所述的浸没光刻设备,其中所述入口位于使得从所述入口进入到所述 排液装置的清洁流体流至少部分地相对于所述对象物体的中心沿径向向外。3.如权利要求1所述的浸没光刻设备,其中所述入口相对于所述衬底台是可移动的。4.如权利要求1所述的浸没光刻设备,其中所述入口位于液体限制系统中,或位于液 体限制系统上,或位于液体限制系统外部,所述液体限制系统构造成至少部分地将浸没液 体限制在投影系统和所述衬底台之间的空间。5.如权利要求1所述的浸没光刻设备,其中所述入口设置在所述衬底台中。6.如权利要求1所述的浸没光刻设备,其中所述入口是针的形式。...
【专利技术属性】
技术研发人员:EC凯德泽克,J范德埃克,DL安斯托特兹,
申请(专利权)人:ASML荷兰有限公司,
类型:发明
国别省市:NL[荷兰]
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