光刻设备和光刻投影设备制造技术

本发明专利技术公开了一种浸没光刻设备以及光刻投影设备，该光刻设备的一个入口设置成提供清洁流体到位于衬底台上的对象物体，例如衬底，和衬底台之间的空间上。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种光刻设备和光刻投影设备。
技术介绍
光刻设备是一种将所需图案应用到衬底上，通常是衬底的目标部分上的机器。例 如，可以将光刻设备用在集成电路(IC)的制造中。在这种情况下，可以将可选地称为掩模 或掩模版(reticle)的图案形成装置用于生成在所述IC的单层上待形成的电路图案。可 以将该图案成像到衬底(例如，硅晶片)上的目标部分(例如，包括一部分管芯、一个或多 个管芯)上。通常，图案的转移是通过把图案成像到提供到衬底上的辐射敏感材料(抗蚀 剂)层上进行的。通常，单独的衬底将包含被连续形成图案的相邻目标部分的网络。公知 的光刻设备包括所谓步进机，在所述步进机中，通过将全部图案一次曝光到所述目标部分 上来辐射每一个目标部分；以及所谓扫描器，在所述扫描器中，通过辐射束沿给定方向(“扫 描”方向)扫描所述图案、同时沿与该方向平行或反向平行的方向扫描所述衬底来辐射每一 个目标部分。也可能通过将图案压印(imprinting)到衬底的方式从图案形成装置将图案 转移到衬底上。曾有提议将光刻投影设备中的衬底浸没到具有相对高的折射系数的液体中(例 如水)，这样在投影系统的最终元件和衬底之间的位置上填充流体。所述液体可以是蒸馏 水，也可以采用其他液体。这里用液体来描述。别的流体也是合适的，尤其是浸湿流体、不 能压缩的流体和/或具有比空气更高折射率的流体，最好折射率高于水。这种方法的关键 在于能够形成更小特征尺寸的像，因为曝光辐射在液体中具有更短的波长。(液体的效果也 可以认为是提高系统的有效孔径同时增加了焦深)其他的浸没流体也有提到，包括含有悬 浮的固体颗粒(例如石英)的水。然而，将衬底或者衬底和衬底台浸入到液体溶池(参见，例如美国专利 US4, 509，852，在此以引用的方式并入本文中)意味着在扫描曝光过程中需要加速很大体 积的液体。这需要额外的或更大功率的电动机，而流体中的湍流可能会导致不希望的或不 能预期的效果。提出来的解决方法之一是液体供给系统通过使用液体限制系统只将液体提供在 衬底的局部区域上(通常衬底具有比投影系统最终元件更大的表面积)以及投影系统的最 终元件和衬底之间。提出来的一种用于设置上述设备的方法在申请号为W099/49504的专 利申请中公开了，在此该专利申请的内容以引用方式并入本文中。如图2和图3所示，液体 优选地沿着衬底相对于最终元件移动的方向，通过至少一个入口 IN供给到衬底上，并在已 经通过投影系统下面后，液体通过至少一个出口 OUT去除。也就是说，当衬底在所述元件下 沿着-X方向扫描时，液体在元件的+X —侧供给并且在-X —侧去除。图2是所述配置的示意图，其中流体通过入口 IN供给，并在元件的另一侧通过出口 OUT去除，所述出口 OUT与低 压力源相连。在图2中，虽然液体沿着衬底相对于最终元件的移动方向供给，但这不是必需 的。可以在最终元件周围设置各种方向和数目的入口和出口，图3示出了一个实施例，其中 在最终元件的周围在每侧上以规则的图案设置了四个入口和出口。在图4中示出了另一个采用液体局部供给系统的浸没光刻方案。液体由位于投影 系统PL每一侧上的两个槽状入口 IN供给，由设置在入口 IN沿径向向外的位置上的多个离 散的出口 OUT去除。所述入口 IN和出口 OUT可以设置在板上，所述板在其中心有孔，投影 束通过该孔投影。液体由位于投影系统PL的一侧上的一个槽状入口 IN提供，由位于投影 系统PL的另一侧上的多个离散的出口 OUT去除，这引起投影系统PL和衬底W之间的液体 薄膜流。选择使用哪组入口 IN和出口 OUT组合可能依赖于衬底W的移动方向(另外的入 口 IN和出口 OUT组合是不被激活的)。在欧洲专利申请公开出版物No. 1420300和美国专利申请公开出版物 No. 2004-0136494中(在此以引用的方式将该两个申请的内容整体并入本文中)，公开了一 种成对的或双台浸没光刻设备的方案。这种设备具有两个台用以支撑衬底。在第一位置以 台进行水平测量，但没有浸没流体。在第二位置以台进行曝光，其中设置浸没液体。可选的 是，设备仅具有一个可在曝光和位置测量之间移动的台。光刻设备的污染是一个问题。在衬底的表面上或衬底台的上表面上的表面涂层、 抗蚀剂和残留颗粒等会进入例如浸没光刻设备的浸没液体中。如果这样的颗粒进入到投影 系统和衬底之间的浸没液体中，则许多缺陷会成像到衬底上，并且导致浸没光刻设备部件 的损坏。
技术实现思路
本专利技术旨在，例如，设法减少浸没液体中的污染物，并因此减少成像缺陷同时延长 浸没光刻设备的部件的预期寿命。根据本专利技术的一方面，提供一种光刻设备，包括衬底台，所述衬底台构造成支撑 衬底；衬底台内的凹部，所述凹部构造成容纳对象物体；和清洁流体供给装置，其构造成供 给清洁流体到至少凹部的外部区域。根据本专利技术的一方面，提供一种浸没光刻设备，包括衬底台，所述衬底台构造成 支撑衬底；衬底台内的排液装置，所述排液装置构造成容纳使用时泄漏进入衬底台的边缘 和衬底台上对象物体之间的间隙的浸没流体；和邻近延长构件端部的入口，所述延长构件 构造成提供清洁流体到(i)所述间隙，或(ii)所述排液装置的入口，或(iii)所述排液装 置，或(iv)任何选自(i)-(iii)的组合。根据本专利技术的一方面，提供一种清洁衬底台内凹部的至少一部分的方法，该凹部 构造成容纳一个对象物体，所述方法包括提供清洁流体到至少所述凹部的外部区域；和 从所述凹部抽取所述清洁流体。根据本专利技术的一方面，提供一种光刻投影设备，包括投影系统，所述投影系统配 置成将图案投影到衬底台；液体供给系统，所述液体供给系统配置成当衬底存在时提供清 洁流体到被限定在衬底台的边缘和衬底之间的间隙；入口，所述入口配置成移除多余的流 体，其中使用时所述入口设置在所述间隙内并且连接到负压源以从间隙移除液体。附图说明下面仅通过例子，结合附图对本专利技术的典型的实施例进行描述，其中附图标记对 应于所述的部件，在附图中图1示出根据本专利技术的实施例的光刻设备；图2和图3示出用于光刻投影设备的液体供给系统；图4示出了另一种用于光刻投影设备的液体供给系统；图5示出液体供给系统局部区域；图6示出根据本专利技术的实施例的衬底台的截面图；图7示出根据本专利技术的实施例的衬底台的截面图；图8示出根据本专利技术的实施例的衬底台的截面图。具体实施例方式图1示意示出光刻设备。所述设备包括 照射系统(照射器)IL,配置用于调节辐射束B (例如，紫外(UV)辐射或深紫外 (DUV)辐射)； 支撑结构(例如掩模台)MT，配置用于支撑图案形成装置(例如掩模)MA并与配 置用于根据确定的参数精确地定位图案形成装置的第一定位装置PM相连； 衬底台(例如晶片台)WT，配置用于保持衬底(例如涂覆有抗蚀剂的晶片)W，并 与配置用于根据确定的参数精确地定位衬底的第二定位装置PW相连；以及 投影系统(例如折射式投影透镜系统)PS，所述投影系统PS配置用于将由图案 形成装置MA赋予辐射束B的图案投影到衬底W的目标部分C (例如包括一根或多根管芯) 上。所述照射系统可以包括各种类型的光学部件，例如折射型、反射型、磁性型、电磁 型、静电型或其它类型的光学部件、或其任意组合，以引导、成形、或控制本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种浸没光刻设备，包括：衬底台，构造成支撑衬底；衬底台内的排液装置，构造成容纳使用时泄漏进入衬底台的边缘和衬底台上的对象物体之间的间隙中的浸没流体；和邻近延长构件端部的入口，所述延长构件配置用于供给清洁流体到（ｉ）所述间隙，或（ｉｉ）所述排液装置的入口，或（ｉｉｉ）所述排液装置，或（ｉｖ）任何选自（ｉ）－（ｉｉｉ）的组合。

【技术特征摘要】
US 2007-9-27 60/960,385一种浸没光刻设备，包括衬底台，构造成支撑衬底；衬底台内的排液装置，构造成容纳使用时泄漏进入衬底台的边缘和衬底台上的对象物体之间的间隙中的浸没流体；和邻近延长构件端部的入口，所述延长构件配置用于供给清洁流体到(i)所述间隙，或(ii)所述排液装置的入口，或(iii)所述排液装置，或(iv)任何选自(i) (iii)的组合。2.如权利要求1所述的浸没光刻设备，其中所述入口位于使得从所述入口进入到所述 排液装置的清洁流体流至少部分地相对于所述对象物体的中心沿径向向外。3.如权利要求1所述的浸没光刻设备，其中所述入口相对于所述衬底台是可移动的。4.如权利要求1所述的浸没光刻设备，其中所述入口位于液体限制系统中，或位于液 体限制系统上，或位于液体限制系统外部，所述液体限制系统构造成至少部分地将浸没液 体限制在投影系统和所述衬底台之间的空间。5.如权利要求1所述的浸没光刻设备，其中所述入口设置在所述衬底台中。6.如权利要求1所述的浸没光刻设备，其中所述入口是针的形式。...

【专利技术属性】
技术研发人员：EC凯德泽克，J范德埃克，DL安斯托特兹，
申请(专利权)人：ASML荷兰有限公司，
类型：发明
国别省市：NL[荷兰]