曝光参数的决定方法以及曝光方法技术

本发明专利技术提供一种曝光参数的决定方法以及曝光方法。所述曝光参数的决定方法决定使用来自光源的光和光学系统在被曝光体上曝光标线片图形的像时的曝光参数，该决定方法的特征在于，具有：取得半导体存储器的电路图形的功能单位图形和代表所述电路图形的外围电路图形的代表图形的信息，通过进行所述功能单位图形及所述代表图形的光学像计算，决定所述光源以及所述光学系统中的至少一方的曝光参数的步骤。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术一般涉及曝光方法，特别涉及曝光装置的曝光条件以及标线片(reticule) (或掩模)图形的最优化。本专利技术适合于用于曝光半导体存储器的图形的曝光条件以及标 线片图形的最优化。
技术介绍
通过投影光学系统在晶片等上曝光标线片图形的投影曝光装置一直被使用，且 越来越要求实现分辨力高的曝光的曝光装置。为提高分辨力，曝光条件或标线片图形的 最优化十分重要。标线片图形的最优化，例如通过光学接近修正(Optical Proximity Correction :0PC)来进行。另外，已知为有效进行最优化，现实中不进行曝光而使用模 拟或者模拟器(例如参照特开2002-319539号公报、特开2002-324752号公报、特开平 06-120119号公报、特开平08-335552号公报、特开2002-184688号公报)。DRAM或SRAM等半导体存储器，包含RAM中作为进行存储的区域的存储单元及其外 围电路。一般，为曝光条件以及标线片图形的最优化，需要图形整体的信息，还需要图形中 要进行最优化的位置以及该位置的(余量(margin)或者尺寸等的)目标值的信息。因此， 即使给出实际设备本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种曝光参数的决定方法，所述方法决定使用来自光源的光和光学系统在被曝光体上曝光标线片图形的像时的曝光参数，该决定方法的特征在于，具有：取得半导体存储器的电路图形的功能单位图形和代表所述电路图形的外围电路图形的代表图形的信息，通过进行所述功能单位图形及所述代表图形的光学像计算，决定所述光源以及所述光学系统中的至少一方的曝光参数的步骤。

【技术特征摘要】
...

【专利技术属性】
技术研发人员：辻田好一郎，
申请(专利权)人：佳能株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]