光刻装置和器件制造方法制造方法及图纸

光刻装置和器件制造方法。一种湿浸式光刻法的光刻装置，其中在基底台的不同部件之间的密封可以布置成减小不同部件之间的力的传递。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及光刻装置和制造器件的方法。
技术介绍
光刻装置是一种将期望图案投影到基底上，通常是投影到基底靶部上的装置。光 刻装置可以用于例如集成电路(Ic)的制造。在这种情况下，还可以称作掩模或中间掩模版 的构图部件可以产生形成在Ic的一个单独层中的电路图案。该图案可以传送到基底(例 如硅晶片)的靶部上(例如包括一个或者多个管芯)。典型地图案的传送是成像在设于基 底上的辐射敏感材料(抗蚀剂)层上。一般地，单一的晶片包含相邻靶部的网格，该相邻靶 部被逐个相继构图。已知的光刻装置包括所谓的步进器，其中通过将全部图案一次曝光在 靶上而部，和所谓的扫描装置，其中通过在辐射光束下沿给定的方向(“扫描”方向)扫描 图案、并同时沿与该方向平行或者反平行的方向同步扫描基底来辐射每一靶部。还可以通 过把图案压印在基底上将图案从构图部件输送给基底。已经有人建议将光刻投影装置中的基底浸没在具有相对高的折射率的液体例如 水中，从而填充投影系统的最后一个元件和基底之间的空间。由于曝光辐射在液体中具有 更短的波长，因此能够对更小的特征成像。(液体的作用也可以认为是增加了系统的有效 NA以及增大了焦深。)还本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种光刻投影装置，包括：配置成保持基底的基底台；以及在一端与基底台连接并且在另一端由基底台上的夹具可拆卸地保持在适当位置的密封凸出部。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：PRM亨努斯，JJSM梅坦斯，PJCH斯穆德斯，P斯米特斯，
申请(专利权)人：ASML荷兰有限公司，
类型：发明
国别省市：NL