【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体制造，具体涉及一种射频电源中提高频率调谐能力的阻抗匹配方法及装置。
技术介绍
1、射频电源是半导体刻蚀和沉积等设备的重要组成部分，由射频电源产生100mhz以下的射频信号进入腔室，激发腔体内的气体，产生等离子体。不同于直流电源，射频电源需要进行阻抗匹配，才能使大功率顺利的进入负载。
2、等离子腔室的阻抗随着内部气体状态，温度等的变化，会进行动态的变化。这就需要匹配也随之进行动态变化。阻抗匹配的实现通常利用匹配网络的调节元件进行调整，而利用频率调谐降低反射也是一种重要的方法，且频率调谐比机械调节元件调整速度快，更能对不好的匹配状态进行快速反应。
3、市场上的射频电源绝大多数输出功率到50欧姆的负载，但等离子体产生的腔室的阻抗基本都不在50欧姆，且偏离的较远。等离子体腔室的阻抗一般是一个复阻抗，实部一般较小，而虚部成容性。这就使得整个系统的匹配复杂度较高，而且由于频率带宽的限制，这使得射频电源利用频率调谐能力应对快速变化的负载，实现阻抗匹配的能力不足。
技术实现思路b>
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【技术保护点】
1.一种射频电源中提高频率调谐能力的阻抗匹配方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述匹配网络为L型匹配网络，所述调节电容包括并联电容和串联电容。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，匹配状态的邻域范围为ohm；其中通过测量射频电源的输出，或通过反射估算所得。
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：选取阻抗虚部更大的射频电源。
5.一种频率调谐能力高的阻抗匹配装置，其特征在于，基于权利要求1-4任一所述的方法以实现阻抗匹配。
【技术特征摘要】
1.一种射频电源中提高频率调谐能力的阻抗匹配方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述匹配网络为l型匹配网络，所述调节电容包括并联电容和串联电容。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，匹配状态的邻域范围为o...
【专利技术属性】
技术研发人员：朱培文，尹巧星，
申请(专利权)人：江苏神州半导体科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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