【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及集成电路设计领域，特别地，涉及一种使用iic进行fuse修调的控制方法及控制电路。
技术介绍
1、在芯片的整个研发设计过程中，为了让芯片在制造后达到设计的性能，并且有很高的生产良率，通常会在芯片内部加入fuse(熔丝)，在芯片完成cp(中测)测试后，通过选择性的烧断fuse，使得芯片的关键参数更精准且分布更集中。
2、传统的修调方法是通过探针插到fuse对应的pad(焊盘)，施加电压可以将其烧断，芯片内部的电路判断fuse是否烧断，就可以实现对关键参数的修调，让其测试值更集中在设计值附近并且满足分布要求。
3、这种传统的cp修调方法需要在芯片里面加入修调用的pad，这会占据芯片的部分面积；在修调位数比较多的时候，会使得芯片面积利用率偏低；并且传统的cp修调方法只能在cp测试过程中进行，在后续封装完成后，修调好的参数分布会再次分散，也会造成一定的良率损失。
4、此外，部分工艺厂提供efuse(电熔丝)的ip模块，在芯片设计过程中，可以加入efuse模块，另外加入满足其控制电路时序的外围电路，也可以实现在cp或者ft(终测)阶段对芯片进行修调。
5、采用工艺厂的efuse的ip模块，模块内部的修调位数是工艺厂预先设定的，只有有限的选择项，因此可能会与实际的修调位数不一致，造成浪费。此外，有些工艺厂没有efuse模块，这也会造成芯片设计时的麻烦。
技术实现思路
1、为了解决上述问题，本专利技术公开了一种使用iic(inter
2、一种使用iic进行fuse修调的控制方法，包括以下步骤：步骤step3：开启fuse修调使能：通过iic对芯片的“reg20h寄存器组”写入pw_code2进入修调状态，当且仅当对“reg20h寄存器组”正确写入pw_code2才能进入修调状态，否则无法修调状态；步骤step4：选择修调位：通过对“reg21h寄存器组”地址写入数据tr_bit_codex，每一个tri_bit_codex对应于一个修调位；步骤step5：开始烧写fuse：在选择修调位后，通过iic对“reg22h寄存器组”写数据8’hff，就开始fuse烧写，烧写过程中，fuse电阻两端会瞬间加入电压，产生的大电流将fuse电阻烧断；步骤step6：停止烧写fuse：通过iic对“reg22h寄存器组”写入数据8’h00，就停止fuse，将fuse电阻两端加载的电压去除；步骤step7：锁定修调：通过循环步骤step4至步骤step6，完成所有修调组的修调，使所有组对应的参数满足设计要求；步骤step8：退出修调：在步骤step3至步骤step7的任何步骤中，只要对“reg20h寄存器组”写入非pw_code2的值，就会退出修调。
3、优选地，在步骤step3之前，还包括步骤：芯片测试完成一组可修调的参数后，根据测试值与理论值的偏差，计算出该组参数的理论修调tr_codex。
4、优选地，在步骤step3之前，还包括步骤step1：开启预修调使能：通过iic对芯片的“reg10h寄存器组”写入pw_code1进入预修调状态，在预修调状态，通过写入寄存器的值代替fuse的值，可以实现不烧断fuse而预先看到修调后的结果是否符合预期。
5、优选地，在步骤step1之后还包括步骤step2：选择修调组-写入数据：对不同的修调组写值，每一个修调组对应于一组寄存器；如果预修调后的数据不符合预期，则重复步骤step2，修改tr_codex，如果符合预期，对fuse进行烧写。
6、优选地，芯片内部有判断电路，fuse电阻值变大到一定阈值则判定为烧断。
7、一种用于实现前述使用iic进行fuse修调的控制方法的控制电路，包括主机和芯片，主机与芯片之间通过所述iic进行连接；芯片包括用于开启fuse修调使能的“reg20h寄存器组”，用于选择修调位的“reg21h寄存器组”，以及用于控制“开始烧写fuse”和“停止烧写fuse”的“reg22h寄存器组”。
8、优选地，芯片还包括用于开启预修调使能的寄存器组。
9、与现有技术相比，本专利技术的有益效果包括：
10、(1)采用传统的fuse器件，设计一套通过iic实现fuse修调的控制方法及控制电路；
11、(2)在芯片生产完成后，直接进行封装，跳过cp测试过程，然后进行ft测试和修调；
12、(3)修调位数可以根据电路的实际需求设计，不会造成任何修调位数的浪费；
13、(4)修调位的设置更灵活多变，且保证工艺厂没有efuse ip模块的情况下能够实现ft修调。
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1.一种使用IIC进行FUSE修调的控制方法，包括以下步骤：步骤STEP3：开启FUSE修调使能：通过IIC对芯片的“REG20H寄存器组”写入pw_code2进入修调状态，当且仅当对“REG20H寄存器组”正确写入pw_code2才能进入修调状态，否则无法修调状态；步骤STEP4：选择修调位：通过对“REG21H寄存器组”地址写入数据tr_bit_codex，每一个tri_bit_codex对应于一个修调位；步骤STEP5：开始烧写FUSE：在选择修调位后，通过IIC对“REG22H寄存器组”写数据8’hFF，就开始FUSE烧写，烧写过程中，FUSE电阻两端会瞬间加入电压，产生的大电流将FUSE电阻烧断；步骤STEP6：停止烧写FUSE：通过IIC对“REG22H寄存器组”写入数据8’h00，就停止FUSE，将FUSE电阻两端加载的电压去除；步骤STEP7：锁定修调：通过循环步骤STEP4至步骤STEP6，完成所有修调组的修调，使所有组对应的参数满足设计要求；步骤STEP8：退出修调：在步骤STEP3至步骤STEP7的任何步骤中，只要对“REG20H寄存器组”写入非pw_cod
2.根据权利要求1所述的一种使用IIC进行FUSE修调的控制方法，其特征在于：在步骤STEP3之前，还包括步骤：芯片测试完成一组可修调的参数后，根据测试值与理论值的偏差，计算出该组参数的理论修调tr_codex。
3.根据权利要求1所述的一种使用IIC进行FUSE修调的控制方法，其特征在于：在步骤STEP3之前，还包括步骤STEP1：开启预修调使能：通过IIC对芯片的“REG10H寄存器组”写入pw_code1进入预修调状态，在预修调状态，通过写入寄存器的值代替FUSE的值，可以实现不烧断FUSE而预先看到修调后的结果是否符合预期。
4.根据权利要求3所述的一种使用IIC进行FUSE修调的控制方法，其特征在于：在步骤STEP1之后还包括步骤STEP2：选择修调组-写入数据：对不同的修调组写值，每一个修调组对应于一组寄存器；如果预修调后的数据不符合预期，则重复步骤STEP2，修改tr_codex，如果符合预期，对FUSE进行烧写。
5.根据权利要求1所述的一种使用IIC进行FUSE修调的控制方法，其特征在于：芯片内部有判断电路，FUSE电阻值变大到一定阈值则判定为烧断。
6.一种用于实现权利要求1至5任意一项所述的一种使用IIC进行FUSE修调的控制方法的控制电路，其特征在于：包括主机和芯片，所述主机与芯片之间通过所述IIC进行连接；所述芯片包括用于开启FUSE修调使能的“REG20H寄存器组”，用于选择修调位的“REG21H寄存器组”，以及用于控制“开始烧写FUSE”和“停止烧写FUSE”的“REG22H寄存器组”。
7.根据权利要求6所述的控制电路，其特征在于：所述芯片还包括用于开启预修调使能的寄存器组。
...【技术特征摘要】
1.一种使用iic进行fuse修调的控制方法，包括以下步骤：步骤step3：开启fuse修调使能：通过iic对芯片的“reg20h寄存器组”写入pw_code2进入修调状态，当且仅当对“reg20h寄存器组”正确写入pw_code2才能进入修调状态，否则无法修调状态；步骤step4：选择修调位：通过对“reg21h寄存器组”地址写入数据tr_bit_codex，每一个tri_bit_codex对应于一个修调位；步骤step5：开始烧写fuse：在选择修调位后，通过iic对“reg22h寄存器组”写数据8’hff，就开始fuse烧写，烧写过程中，fuse电阻两端会瞬间加入电压，产生的大电流将fuse电阻烧断；步骤step6：停止烧写fuse：通过iic对“reg22h寄存器组”写入数据8’h00，就停止fuse，将fuse电阻两端加载的电压去除；步骤step7：锁定修调：通过循环步骤step4至步骤step6，完成所有修调组的修调，使所有组对应的参数满足设计要求；步骤step8：退出修调：在步骤step3至步骤step7的任何步骤中，只要对“reg20h寄存器组”写入非pw_code2的值，就会退出修调。
2.根据权利要求1所述的一种使用iic进行fuse修调的控制方法，其特征在于：在步骤step3之前，还包括步骤：芯片测试完成一组可修调的参数后，根据测试值与理论值的偏差，计算出该组参数的理论修调tr_codex。
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【专利技术属性】
技术研发人员：李雄，李彬，裘正锋，周伟雄，张健新，
申请(专利权)人：芯北电子科技南京有限公司，
类型：发明
国别省市：
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