用于指示解胶状态的UV膜制造技术

本技术公开了一种用于指示解胶状态的UV膜，包括：基底层；位于所述基底层上的胶黏层；位于所述胶黏层上的离型层；所述基底层具有朝向所述胶黏层的第一面和背向所述胶黏层的第二面；所述UV膜还包括：指示标志层，所述指示标志层位于以下位置中的至少一处，以用于指示所述UV膜的解胶状态：所述基底层的所述第二面上；所述基底层与所述胶黏层之间；所述胶黏层与所述离型层之间。本技术提供的用于指示解胶状态的UV膜，可以快速且直观的判别出该UV膜是否发生解胶。

【技术实现步骤摘要】

本技术一般涉及半导体。更具体地，本技术涉及一种用于指示解胶状态的uv膜。

技术介绍

1、uv膜是一种采用紫外光照射后，粘度发生变化的膜。在芯片制造与封装领域中，uv膜是一种常用耗材，其主要应用于切割或裂片工段。具体地，在芯片制造的切割或裂片过程中，可以使用uv膜粘住芯粒，使得切割后的芯粒不至于四处飞散；在对芯粒的切割完成后，可以通过向uv膜上照射紫外线，使得uv膜的粘性大大降低，以达到uv膜解胶的效果，从而可以方便的将单颗芯粒从uv膜上取下。

2、然而，目前广泛使用的uv膜，在被紫外光照射解胶前后，其外观无明显差别，从而无法快速且直观的分辨出uv膜是否已完成解胶，进而导致在工厂的实际生产作业中，很容易造成漏解胶或重复解胶的生产事故。

技术实现思路

1、为了至少解决如上所提到的技术问题，本技术提供了一种用于指示解胶状态的uv膜，以便能够快速且直观的分辨出uv膜的解胶状态，从而有效避免发生漏解胶或重复解胶的生产事故。

2、本技术提供一种用于指示解胶状态的uv膜，包括：基底层；位于所述基底层上的胶黏层；位于所述胶黏层上的离型层；所述基底层具有朝向所述胶黏层的第一面和背向所述胶黏层的第二面；所述uv膜还包括：指示标志层，所述指示标志层位于以下位置中的至少一处，以用于指示所述uv膜的解胶状态：所述基底层的所述第二面上；所述基底层与所述胶黏层之间；所述胶黏层与所述离型层之间。

3、区别于现有技术，本技术提供的用于指示解胶状态的uv膜，通过设置指示标志层，可以快速且直观的判别出该uv膜是否发生解胶，从而能够有效防止实际生产作业中将解胶前的产品与解胶后的产品混淆的现象发生，以及有效防止漏解胶或者重复解胶的事故发生。

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【技术保护点】

1.一种用于指示解胶状态的UV膜，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的UV膜，其特征在于，所述指示标志层的宽度小于所述UV膜的宽度，所述宽度方向为所述UV膜的延长方向的垂直方向。

3.根据权利要求2所述的UV膜，其特征在于，所述指示标志层沿所述UV膜的长度方向延伸，并且靠近于所述UV膜的宽度方向的边缘，所述长度方向为所述UV膜的延长方向。

4.根据权利要求3所述的UV膜，其特征在于，所述指示标志层呈长条形。

5.根据权利要求1-4任一所述的UV膜，其特征在于，所述指示标志层的数量为多个；并且

6.根据权利要求1所述的UV膜，其特征在于，所述指示标志层具有透明或者半透明属性。

7.根据权利要求6所述的UV膜，其特征在于，所述指示标志层完全覆盖所述第二面，和/或完全覆盖所述第一面。

8.根据权利要求1所述的UV膜，其特征在于，所述指示标志层为热敏材料层和/或紫外光敏材料层。

9.根据权利要求1或8所述的UV膜，其特征在于，所述指示标志层的颜色随所述UV膜的解胶状态而变化。

<p>10.根据权利要求1所述的UV膜，其特征在于，所述基底层的厚度为50～100μm，所述胶黏层的厚度为5～15μm。

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【技术特征摘要】

1.一种用于指示解胶状态的uv膜，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的uv膜，其特征在于，所述指示标志层的宽度小于所述uv膜的宽度，所述宽度方向为所述uv膜的延长方向的垂直方向。

3.根据权利要求2所述的uv膜，其特征在于，所述指示标志层沿所述uv膜的长度方向延伸，并且靠近于所述uv膜的宽度方向的边缘，所述长度方向为所述uv膜的延长方向。

4.根据权利要求3所述的uv膜，其特征在于，所述指示标志层呈长条形。

5.根据权利要求1-4任一所述的uv膜，其特征在于，所述指示标志层的数量为多个；并且

【专利技术属性】
技术研发人员：卢吴越，肖鑫盾，陈璀，李晓涵，欧奕孜，杨来森，沈少坪，
申请(专利权)人：湖南三安半导体有限责任公司，
类型：新型
国别省市：