【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及氮化镓表面处理和加工，尤其涉及一种氮化镓表面大面积微纳织构的加工方法。
技术介绍
1、作为第三代半导体的典型代表，氮化镓具有宽直接带隙、强原子键、高热导率、高化学稳定性与抗辐照能力，在光电器件、高温大功率器件和高频微波器件等应用方面具有广阔的应用空间，因而渗透至照明、雷达、通讯、核能开发等民用与军事的各个领域。氮化镓材料及其微纳器件的研究与应用已成为全球半导体研究的前沿和热点。微纳器件服役过程中，材料表/界面存在的摩擦、磨损和黏着问题往往是引起器件失效的重要因素。研究表明，微纳织构不仅可以调节材料表面的润湿性，还能够提升材料的导热性能和润滑性能，减小接触面积，进而改善材料所面临的微纳尺度的摩擦、磨损和黏着问题。
2、由于氮化镓材料硬度高、脆性大，是典型的硬脆难加工半导体材料，目前，针对氮化镓材料表面的微纳织构加工较为困难，主要方法包括飞秒激光、聚焦离子束/电子束、化学刻蚀等，但现有加工方法存在成本高、工序繁琐等问题。
3、因此，开发适用于硬脆难加工材料氮化镓表面大面积微纳织构的低成本、高效率加工方法...
【技术保护点】
1.一种氮化镓表面大面积微纳织构的加工方法，包括：
2.根据权利要求1所述的加工方法，其特征在于，所述机械刻划的刻划长度为0～100mm。
3.根据权利要求1所述的加工方法，其特征在于，所述机械刻划的线间距为0～20mm。
4.根据权利要求1所述的加工方法，其特征在于，所述机械刻划的刻划速度为1～2000μm/s。
5.根据权利要求1所述的加工方法，其特征在于，所述机械刻划的形状包括点、直线型、线阵列织构或网状织构。
6.根据权利要求1所述的加工方法，其特征在于，所述机械刻划时同一位置的刻划次数为1～200次
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【技术特征摘要】
1.一种氮化镓表面大面积微纳织构的加工方法，包括：
2.根据权利要求1所述的加工方法，其特征在于，所述机械刻划的刻划长度为0～100mm。
3.根据权利要求1所述的加工方法，其特征在于，所述机械刻划的线间距为0～20mm。
4.根据权利要求1所述的加工方法，其特征在于，所述机械刻划的刻划速度为1～2000μm/s。
5.根据权利要求1所述的加工方法，其特征在于，所述机械刻划的形状包括点、直线型...
【专利技术属性】
技术研发人员：郭剑，冯帅诚，殷佳钦，段凌峰，刘阳，
申请(专利权)人：南华大学，
类型：发明
国别省市：
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