一种内嵌梯形浮动结的碳化硅辐照探测器制造技术

本发明专利技术涉及内嵌梯形浮动结的碳化硅辐照探测器包括：衬底层、第一掺杂类型外延层、多个梯形浮动结、第二掺杂类型外延层、第一欧姆接触电极、第二欧姆接触电极；将第一欧姆接触电极、第二掺杂类型外延层、第一掺杂类型外延层、衬底层和第二欧姆接触电极自上而下排列，多个梯形浮动结为通过离子注入进行掺杂的方式形成于第一掺杂类型外延层内部的梯形结构，且多个梯形浮动结的掺杂类型与第一掺杂类型外延层的掺杂类型不同；多个梯形浮动结两两之间的间距为2μm～10μm，并且多个梯形浮动结各自的上底边与相邻斜边的夹角范围为22°～90°。上述结构的碳化硅辐照探测器利用多个梯形浮动结使得其内部电场均匀化，并降低浮动结全耗尽所需工作电压，提升整体载流子收集效率，提高电荷收集效率以及探测效率。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及微电子，具体地，涉及一种内嵌梯形浮动结的碳化硅辐照探测器。

技术介绍

1、随着微电子技术的发展，半导体辐照探测器已广泛的应用在核医学、核电站检测、环境监测、空间粒子探测等领域。而碳化硅辐照探测器在探测标定高能、高剂量辐照粒子轨迹及能谱方面已展现出较好的应用潜力。根据传统肖特基或pin(positive-intrinsicnegative)二极管设计的探测器具有很强的表面及结区峰值电场，会给探测器带来显著的漏电噪声风险。同时单一的i区设计也使得灵敏区内的电场分布不均匀，不利于辐照生载流子的分离与收集。

技术实现思路

1、为了解决现有技术中存在的上述问题，本专利技术提供了一种内嵌梯形浮动结的碳化硅辐照探测器。

2、根据本专利技术实施例的第一方面，提供一种内嵌梯形浮动结的碳化硅辐照探测器，包括：衬底层、第一掺杂类型外延层、多个梯形浮动结、第二掺杂类型外延层、第一欧姆接触电极、第二欧姆接触电极；

3、所述第一欧姆接触电极、所述第二掺杂类型外延层、所述第一掺杂类型外延层、所述衬底层本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种内嵌梯形浮动结的碳化硅辐照探测器，其特征在于，包括：衬底层(1)、第一掺杂类型外延层(2)、多个梯形浮动结(3)、第二掺杂类型外延层(4)、第一欧姆接触电极(5)、第二欧姆接触电极(6)；

2.根据权利要求1所述的内嵌梯形浮动结的碳化硅辐照探测器，其特征在于，所述衬底层(1)的厚度为20μm，宽度为20μm，掺杂浓度为5×1018cm-3～8×1018cm-3，掺杂类型为N型，掺杂离子包括氮离子和磷离子。

3.根据权利要求1所述的内嵌梯形浮动结的碳化硅辐照探测器，其特征在于，所述第一掺杂类型外延层(2)位于所述衬底层(1)的一侧表面，厚度为20～100μm...

【技术特征摘要】

1.一种内嵌梯形浮动结的碳化硅辐照探测器，其特征在于，包括：衬底层(1)、第一掺杂类型外延层(2)、多个梯形浮动结(3)、第二掺杂类型外延层(4)、第一欧姆接触电极(5)、第二欧姆接触电极(6)；

2.根据权利要求1所述的内嵌梯形浮动结的碳化硅辐照探测器，其特征在于，所述衬底层(1)的厚度为20μm，宽度为20μm，掺杂浓度为5×1018cm-3～8×1018cm-3，掺杂类型为n型，掺杂离子包括氮离子和磷离子。

3.根据权利要求1所述的内嵌梯形浮动结的碳化硅辐照探测器，其特征在于，所述第一掺杂类型外延层(2)位于所述衬底层(1)的一侧表面，厚度为20～100μm，宽度为20μm，掺杂浓度为1×1014cm-3～5×1014cm-3，掺杂类型为n型，掺杂离子包括氮离子和磷离子。

4.根据权利要求1所述的内嵌梯形浮动结的碳化硅辐照探测器，其特征在于，所述多个梯形浮动结(3)各自的上底边宽度为3μm～9μm，所述多个梯形浮动结(3)各自的厚度为0.2μm～1.8μm，掺杂浓度为1×1015cm-3～1×1017cm-3，掺杂类型为p型，掺杂离子包括...

【专利技术属性】
技术研发人员：韩超，武岩松，钱驰文，郭永征，张玉明，
申请(专利权)人：西安电子科技大学芜湖研究院，
类型：发明
国别省市：