【技术实现步骤摘要】
本申请涉及显示，具体而言，本申请涉及一种光刻装置及立体光刻方法。
技术介绍
1、随着显示技术的发展，消费者对于显示产品的要求越来越高，各种显示器件已经广泛用作笔记本电脑、智能手机、电视等电子显示产品的主流显示部件。在制备形成上述显示面板时，通常采用传统的曝光、蚀刻等工艺进行处理。
2、传统的光刻方法通过采用不同强度的光，使对应的膜层或者光敏胶层固化，并得到理想的图案化结构。但是，传统的光刻方法中，通常需要进行多次光照处理，且处理工艺复杂、处理慢，同时，随着器件内部结构的复杂程度逐渐增加，传统的光照处理已经无法满足制备工艺的要求。
3、综上所述，现有技术中的光照处理工序中，光照处理次数较多且无法对复杂结构的膜层进行光照处理，进而降低了面板的制备工艺，不利于面板综合性能的进一步提升。
技术实现思路
1、本申请针对现有方式的缺点，提出一种光刻装置及立体光刻方法，用以解决现有技术中的光刻效果不理想，不能对较复杂结构的膜层进行光照的技术问题。
2、第一个方面，本申请实施例提供了一种光刻装置，用于对样品进行光刻处理，包括：
3、弧形衬底，
4、多个发光单元，多个所述发光单元设置在所述弧形衬底的内侧壁上，且所述发光单元发出的光线朝向所述弧形衬底的中心；以及，
5、盛液槽，所述盛液槽的中心与所述弧形衬底的中心位于同一中轴线上，且所述盛液槽用以盛放所述样品；
6、其中，多个所述发光单元在所述弧形衬底的内侧壁对应的曲面
7、根据本申请一实施例，弧形衬底设置为圆形结构，多个发光单元围绕圆形结构的内侧壁等间距设置。
8、根据本申请一实施例，发光单元对应的弧长长度至少大于圆形结构的圆周长度的一半。
9、根据本申请一实施例，弧形衬底设置为二分之一圆，且多个发光单元形成的平面为同一水平面。
10、根据本申请一实施例，弧形衬底还包括散热层、缓冲层以及走线层；
11、其中，所述缓冲层设置在所述散热层靠近所述发光单元的一侧，所述走线层设置在所述缓冲层靠近所述发光单元的一侧，所述发光单元设置在所述走线层上，并与所述走线层电性连接。
12、根据本专利技术一实施例，通孔靠近走线层一侧的孔径，大于通孔靠近散热层一侧的孔径。
13、根据本申请一实施例，所述走线层上设置有第一沟槽，所述第一沟槽对应设置在相邻两所述发光单元之间，所述缓冲层内还设置有通孔，所述通孔内设置有金属，且所述金属的一端与所述走线层相触接，所述金属的另一端与所述散热层相触接。
14、根据本申请一实施例，所述盛液槽设置为圆柱形、方形或者球形中的任意一种。
15、根据本申请以实施例，所述光刻装置还包括透镜层以及封装层，所述封装层设置在所述发光单元远离所述衬底的一侧，所述透镜层设置在所述封装层远离所述衬底的一侧；
16、其中，所述封装层上还设置有第二沟槽，所述第二沟槽设置在所述封装层靠近所述发光单元的一侧。
17、第二方面，本申请实施例提供一种立体光刻方法，包括如下步骤：
18、提供本申请实施例中的光刻装置；
19、控制发光单元发光，并控制所述发光单元相对所述盛液槽盛放的样品旋转，以对所述样品当前片层进行光刻处理；
20、控制所述样品相对于所述发光单元沿所述样品的高度方向上下移动，在样品每一片层位置处，控制所述发光单元相对所述盛液槽盛放的样品旋转，以对所述样品各个片层进行光刻处理。
21、根据本申请一实施例，所述对所述样品各个片层进行光刻处理，包括：
22、确定每一片层对应的曝光剂量，并根据所述曝光剂量对所述发光单元的发光强度进行调节；
23、其中，确实所述曝光剂量，包括：
24、分别测定每个所述发光单元提供的曝光量以及所述发光单元对应的曝光系数；
25、根据所述曝光量以及所述曝光系数，得到在第m个时间周期内，所述片层第k次曝光时所接收到的曝光剂量；
26、建立曝光模型，并迭代得到所述曝光剂量的数值。
27、本申请实施例提供的技术方案带来的有益技术效果包括：
28、本申请实施例提供一种光刻装置及立体光刻方法。该光刻装置包括弧形衬底、发光单元以及盛液槽，其中，该发光单元设置在弧形衬底的内侧壁上，发光单元发出的光线朝向弧形衬底的中心，且发光单元在弧形衬底的内侧壁对应的曲面上线性设置。当对该弧形衬底中心处盛液槽中的样品进行曝光处理时，通过发光单元与样品相对旋转，并逐层对样品进行曝光处理，最终完成整个光刻胶的光刻处理。本申请中，通过立体光刻的方法对该样品进行曝光处理，从而有效的提高了光刻处理工序中的光刻精度，降低光刻复杂度，从而对光刻工艺进行改善，并提高器件性能。
29、本申请附加的方面和优点将在下面的描述中部分给出，这些将从下面的描述中变得明显，或通过本申请的实践了解到。
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1.一种光刻装置，用于对样品进行光刻处理，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的光刻装置，其特征在于，所述弧形衬底设置为圆形结构，多个所述发光单元围绕所述圆形结构的内侧壁等间距设置。
3.根据权利要求2所述的光刻装置，其特征在于，所述发光单元对应的弧长长度至少大于所述圆形结构的圆周长度的一半。
4.根据权利要求2所述的光刻装置，其特征在于，多个所述发光单元形成的平面为同一水平面。
5.根据权利要求1所述的光刻装置，其特征在于，每个所述发光单元对应的光照强度可调节。
6.根据权利要求1所述的光刻装置，其特征在于，所述弧形衬底包括散热层、缓冲层以及走线层；
7.根据权利要求6所述的光刻装置，其特征在于，所述走线层上设置有第一沟槽，所述第一沟槽对应设置在相邻两所述发光单元之间，所述缓冲层内还设置有通孔，所述通孔内设置有金属，且所述金属的一端与所述走线层相触接，所述金属的另一端与所述散热层相触接。
8.根据权利要求7所述的光刻装置，其特征在于，所述通孔靠近所述走线层一侧的孔径，大于所述通孔靠近所述散
9.根据权利要求1所述的光刻装置，其特征在于，所述盛液槽设置为圆柱形、方形或者球形中的任意一种。
10.根据权利要求1所述的光刻装置，其特征在于，所述光刻装置还包括透镜层以及封装层，所述封装层设置在所述发光单元远离所述衬底的一侧，所述透镜层设置在所述封装层远离所述衬底的一侧；
11.一种采用权利要求1-10中任一项所述的光刻装置的立体光刻方法，其特征在于，包括：
12.根据权利要求11所述的立体光刻方法，其特征在于，所述对所述样品各个片层进行光刻处理，包括：
...【技术特征摘要】
1.一种光刻装置，用于对样品进行光刻处理，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的光刻装置，其特征在于，所述弧形衬底设置为圆形结构，多个所述发光单元围绕所述圆形结构的内侧壁等间距设置。
3.根据权利要求2所述的光刻装置，其特征在于，所述发光单元对应的弧长长度至少大于所述圆形结构的圆周长度的一半。
4.根据权利要求2所述的光刻装置，其特征在于，多个所述发光单元形成的平面为同一水平面。
5.根据权利要求1所述的光刻装置，其特征在于，每个所述发光单元对应的光照强度可调节。
6.根据权利要求1所述的光刻装置，其特征在于，所述弧形衬底包括散热层、缓冲层以及走线层；
7.根据权利要求6所述的光刻装置，其特征在于，所述走线层上设置有第一沟槽，所述第一沟槽对应设置在相邻两所述发光单元之间，所述...
【专利技术属性】
技术研发人员：孟凡理，李泽源，陈江博，
申请(专利权)人：北京京东方技术开发有限公司，
类型：发明
国别省市：
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