【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体领域，特别涉及一种功率器件及其制造方法。
技术介绍
1、随着半导体相关技术的发展，半导体器件的种类也越来越多。半导体器件包括功率器件，又称为电力电子器件（power electronic device），简单来说，就是进行功率处理的，具有处理高电压，大电流能力的半导体器件。典型的功率处理，包括变频、变压、变流、功率管理等等。
2、当前功率器件通常采用宽禁带半导体材料，例如氧化镓，但是当前氧化镓无法形成p型掺杂，导致只能通过构造异质pn结从而形成功率器件。这样的功率器件异质pn结的能带势垒较大，正向导通电阻较大，需要较大的开启电压，从而导致较大的正向损耗。
技术实现思路
1、有鉴于此，本申请的目的在于提供一种功率器件及其制造方法，该功率器件具有较小的能带势垒，较小的正向导通电阻，较小的开启电压，降低正向损耗。
2、为实现上述目的，本申请有如下技术方案：
3、本申请提供了一种功率器件，所述功率器件包括：
4、衬底和位于衬底一侧...
【技术保护点】
1.一种功率器件，其特征在于，所述功率器件包括：
2.根据权利要求1所述的功率器件，其特征在于，所述控制结构层包括沟道层、栅极和绝缘层；所述接触层包括凹槽，在垂直于所述衬底所在平面的方向上，所述凹槽和所述半导体结构在所述衬底上的投影交叠，所述绝缘层设置于所述栅极和所述第二电极之间。
3.根据权利要求2所述的功率器件，其特征在于，所述栅极设置在凹槽中，所述栅极贯穿所述接触层或所述凹槽靠近所述外延层的底部设置有屏蔽层，所述栅极被所述接触层和所述沟道层围绕，所述沟道层设置于所述接触层远离所述衬底的一侧表面。
4.根据权利要求2所述的功率器...
【技术特征摘要】
1.一种功率器件，其特征在于，所述功率器件包括：
2.根据权利要求1所述的功率器件，其特征在于，所述控制结构层包括沟道层、栅极和绝缘层；所述接触层包括凹槽，在垂直于所述衬底所在平面的方向上，所述凹槽和所述半导体结构在所述衬底上的投影交叠，所述绝缘层设置于所述栅极和所述第二电极之间。
3.根据权利要求2所述的功率器件，其特征在于，所述栅极设置在凹槽中，所述栅极贯穿所述接触层或所述凹槽靠近所述外延层的底部设置有屏蔽层，所述栅极被所述接触层和所述沟道层围绕，所述沟道层设置于所述接触层远离所述衬底的一侧表面。
4.根据权利要求2所述的功率器件，其特征在于，所述沟道层设置于所述凹槽，相邻的所述凹槽之间为凸起，所述栅极设置于所述凸起远离所述衬底的一侧，在垂直于所述衬底所在平面的方向上，所述栅极和所述沟道层在所述衬底上的投影交叠。
5.根据权利要求1所述的功率器件，其特征在于...
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