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本申请提供一种功率器件及其制造方法，功率器件包括：衬底、外延层、至少一个半导体结构、控制结构层、第一电极和第二电极。衬底和外延层为N型掺杂的氧化镓，这样衬底和外延层就能够实现电流导通功能。P型掺杂的半导体结构设置于外延层中，构成电场屏蔽结构...
该专利属于湖北九峰山实验室所有，仅供学习研究参考，未经过湖北九峰山实验室授权不得商用。

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