用于硅基光电晶圆边缘耦合测试的光耦合器制造技术

本技术提供一种用于硅基光电晶圆边缘耦合测试的光耦合器，包括光芯片、水平耦合器、光传输波导、光栅耦合器及光纤阵列；水平耦合器、光传输波导和光栅耦合器均同侧设于光芯片上；水平耦合器设于光芯片的一端，光栅耦合器设于光芯片的另一端；光传输波导连接于水平耦合器和光栅耦合器之间；光纤阵列设于光芯片靠近水平耦合器的一端。该光耦合器能够直接进行边缘耦合、同时满足多通道不同间隔需求、通道间隔精度高，以实现晶圆级边缘耦合测试，且成本低。

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及半导体，具体涉及用于硅基光电晶圆边缘耦合测试的光耦合器。

技术介绍

1、在通信领域中，硅光电子芯片由于其集成度高、调制速率快、功耗小等优点，是未来大数据、人工智能、未来移动通信领域发展的方向；同时硅基光电子器件制造加工工艺与cmos工艺兼容，已经开始规模化生产。由于硅光产品的封装形态需求，大部分芯片的光i/o口为边缘水平耦合(edge coupler，ec)方案，这种方案主要优点是插损小带宽大，能够很好的适配光器件封装需求。但，边缘耦合也给硅光晶圆的产品测试带来很大挑战：需要将垂直光纤探头进行90度转弯变为水平光路，同时测试时将光探头深入到晶圆的切割道内部，才能实现与水平光路耦合。

2、然而，现有光纤尺寸和形态无法满足该测试需求，只能应用到光栅垂直耦合(grating coupler，gc)测试，因此，需要开发一种能够进行晶圆级的边缘耦合器，实现硅光产品的低成本高效率测试。

3、基于上述问题，本技术提出来一种新的用于硅基光电晶圆边缘耦合测试的光耦合器。

技术实现思路</p>

1、基于本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种用于硅基光电晶圆边缘耦合测试的光耦合器，其特征在于，包括：光芯片、水平耦合器、光传输波导、光栅耦合器及光纤阵列；

2.根据权利要求1所述的用于硅基光电晶圆边缘耦合测试的光耦合器，其特征在于，所述光芯片为减薄光芯片。

3.根据权利要求2所述的用于硅基光电晶圆边缘耦合测试的光耦合器，其特征在于，所述水平耦合器、所述光传输波导和所述光栅耦合器沿直线布设。

4.根据权利要求3所述的用于硅基光电晶圆边缘耦合测试的光耦合器，其特征在于，所述水平耦合器的出光通道为单通道或多通道。

5.根据权利要求4所述的用于硅基光电晶圆边缘耦合测试的光耦合器，其...

【技术特征摘要】

1.一种用于硅基光电晶圆边缘耦合测试的光耦合器，其特征在于，包括：光芯片、水平耦合器、光传输波导、光栅耦合器及光纤阵列；

2.根据权利要求1所述的用于硅基光电晶圆边缘耦合测试的光耦合器，其特征在于，所述光芯片为减薄光芯片。

3.根据权利要求2所述的用于硅基光电晶圆边缘耦合测试的光耦合器，其特征在于，所述水平耦合器、所述光传输波导和所述光栅耦合器沿直线布设。

4.根据权利要求3所述的用于硅基光电晶圆边缘耦合测试的光耦合器，其特征在于，所述水平耦合器...

【专利技术属性】
技术研发人员：张宗锁，刘思旸，麦志洪，王振国，孔熙，沈晓安，
申请(专利权)人：湖北九峰山实验室，
类型：新型
国别省市：