叠层式Micro-LED芯片、制备方法及投影引擎技术

本发明专利技术叠层式Micro‑LED芯片、制备方法及投影引擎，涉及半导体发光器件技术，所述叠层式Micro‑LED芯片由下至上依次为半导体衬底、第一外延层、第二外延层和封装膜；所述第一外延层由下至上依次为TFT驱动电路基板、金属电极、电子传输层、发光层、空穴传输层、空穴注入层和透明电极；所述发光层由左至右依次为蓝光发光层、纳米隔离层和绿光发光层，所述纳米隔离层用于隔离蓝光发光层和绿光发光层；所述TFT驱动电路基板用于控制蓝光发光层发光以及控制绿光发光层发光；所述第二外延层由左至右依次为蓝光增透膜、红光发光层和绿光增透膜，以此将RGB三基色集成在一起，解决了现有的Micro‑LED芯片红、绿、蓝三色RGB排列组装非常困难的问题，本发明专利技术适用于制备叠层式Micro‑LED芯片。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体发光器件技术，特别涉及叠层式micro-led芯片、制备方法及投影引擎。

技术介绍

1、近年来，被视为新一代显示面板技术的micro-led技术，受到广泛关注。micro-led显示器主要基于无机氮化镓基(gan)发光二极管，与液晶显示器(lcd)和有机发光二极管(oled)显示器相比，micro-led显示具有尺寸小、自发光、高亮度、低功耗、超高分辨率和寿命长等诸多优势。近年来随着vr和ar等
的发展，迫切需要一种可以实现超高分辨率的显示技术，micro-led因此成为目前研究的热点。

2、然而，目前micro-led显示技术仍面临着很大的困难，对于用在ar/vr上的micro-led芯片尺寸要求更是要求在10μm以下，而传统led芯片一般在300μm左右，即使这几年新起的mini-led芯片也在150μm左右。micro-led芯片在尺寸上的急剧缩小，导致实现巨量红、绿、蓝三色rgb排列组装非常困难，严重阻碍了micro-led显示技术的发展。目前的micro-led显示技术，rgb三基色都是由三种外延电致发光，三本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.叠层式Micro-LED芯片，其特征在于，由下至上依次为半导体衬底(4)、第一外延层(5)、第二外延层(6)和封装膜(19)；所述第一外延层(5)由下至上依次为TFT驱动电路基板(7)、金属电极(8)、电子传输层(9)、发光层、空穴传输层(13)、空穴注入层(14)和透明电极(15)；所述发光层由左至右依次为蓝光发光层(10)、纳米隔离层(11)和绿光发光层(12)，所述纳米隔离层用于隔离蓝光发光层(10)和绿光发光层(12)；所述TFT驱动电路基板(7)用于控制蓝光发光层(10)发光以及控制绿光发光层(12)发光；所述第二外延层(6)由左至右依次为蓝光增透膜(16)、红光发光层(1...

【技术特征摘要】

1.叠层式micro-led芯片，其特征在于，由下至上依次为半导体衬底(4)、第一外延层(5)、第二外延层(6)和封装膜(19)；所述第一外延层(5)由下至上依次为tft驱动电路基板(7)、金属电极(8)、电子传输层(9)、发光层、空穴传输层(13)、空穴注入层(14)和透明电极(15)；所述发光层由左至右依次为蓝光发光层(10)、纳米隔离层(11)和绿光发光层(12)，所述纳米隔离层用于隔离蓝光发光层(10)和绿光发光层(12)；所述tft驱动电路基板(7)用于控制蓝光发光层(10)发光以及控制绿光发光层(12)发光；所述第二外延层(6)由左至右依次为蓝光增透膜(16)、红光发光层(17)和绿光增透膜(18)。

2.根据权利要求1所述的叠层式micro-led芯片，其特征在于，所述蓝光发光层(10)、绿光发光层(12)和红光发光层(17)均采用abx3化合物结构的材料，其中a为一价金属阳离子或有机官能团，b为过渡金属里的二价阳离子或cu+，x为卤族离子。

3.根据权利要求2所述的叠层式micro-led芯片，其特征在于，蓝光发光层(10)的发光材料为cs3cu2i5，绿光发光层(12)的发光材料为cs4snbr6，红...

【专利技术属性】
技术研发人员：梁其鹏，何龙，陈宁，姜银磊，张寅瑞，黎垚，
申请(专利权)人：四川启睿克科技有限公司，
类型：发明
国别省市：