System.ArgumentOutOfRangeException: 索引和长度必须引用该字符串内的位置。 参数名: length 在 System.String.Substring(Int32 startIndex, Int32 length) 在 zhuanliShow.Bind() 一种表面等离激元增强的强稳定和均匀发光OLED显示器的制备方法技术_技高网

一种表面等离激元增强的强稳定和均匀发光OLED显示器的制备方法技术

技术编号:40954334 阅读:3 留言:0更新日期:2024-04-18 20:30
一种表面等离激元增强的强稳定和均匀发光OLED显示器的制备方法应用于OLED显示领域,产品具有高透明、低雾度半透明基底。本发明专利技术借助极薄铝膜的表面等离激元和银纳米颗粒的局域等离激元之间的相互耦合作用,加之银纳米颗粒和岛状铝膜的散射作用,有效提升了OLED器件的光耦合输出效率、稳定性和发光面的均匀性。本发明专利技术是在ITO透明导电薄膜上蒸镀不同厚度的金属铝膜,形成ITO/Al复合电极,有效的提升了OLED器件的发光稳定性,该复合电极具有高透光、低电阻和低雾度等特性。本发明专利技术的有机发光二极管具有高效率、高亮度和稳定性高等特性,能广泛应用在智能显示领域中。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及发光二极管,具体为一种可以提高有机发光二极管发光效率、出光均匀性和稳定性的制备方法。


技术介绍

1、有机发光二极管作为全固态的显示器件,最大优越性之一在于能够实现柔软屏,实现电子报刊、墙纸电视、可穿戴的显示等产品。但由于器件本身的材料特性,各层之间的折射率不匹配易发生界面全反射,造成波导模式损失;同时,由金属阴极带来的表面等离激元损失等又进一步降低oled的外量子效率。其中,agnps具有局域等离激元(lspr)作用,会引起强吸收带和对某波段具有强散射作用,比普通无机散射颗粒具有更显著的散射作用,使大于全反射的光线重新定向耦合出去,提高光耦合输出效率;另一方面,由于agnps的存在位置要偏离发光层一定距离,以避免对激子的淬灭效应,导致等离激元作用被削弱。因此,如何在不影响器件电学和光学性质的前提下,通过器件结构的深度优化,实现等离激元作用的进一步增强,从而提高发光器件的耦合输出效率,这对提高oled器件的综合性能,如耦合输出效率、发光均匀性、器件稳定性以及对制备适用于显示器所需的兼具高透光和低雾度半透明电极具有重要意义。

2、in2o3:sn(ito)薄膜是目前应用最广泛的透明导电氧化物薄膜,它在可见光范围内透射率高达90%以上,电阻较低等优点广泛应用在太阳能电池和发光二极管等光电器件中。发光二极管作为一种出射光器件,其透明导电薄膜的透射率对器件的外量子效率有很大的影响,所以能进一步提高透明导电薄膜的透射对光电器件具有重要意义。


技术实现思路

1、本专利技术的目的正是基于以上考虑,提出了一种表面等离激元增强的强稳定和均匀发光oled显示器的制备方法。特征在于:所制备的ito/al复合电极具有高透光性和超低雾度等优势,同时铝膜和银纳米颗粒之间耦合增强的lspr作用,进一步提升了oled器件的光耦合输出效率,以及器件的出光均匀性和稳定性,可以更好的应用在显示等领域。

2、本专利技术中的器件结构的制备方法步骤如下:

3、s1将干净的ito导电薄膜转移到真空蒸镀仓中,利用电子束蒸镀金属铝,其厚度为2-7nm;

4、s2将agnps和pedot:pss溶液以1:20体积比例混合,然后振荡3min充分混合均匀;

5、s3将混合好的溶液使用0.45μm的水相针头式滤器旋涂在铝膜上面,旋涂速度为3200rpm,旋涂时间40s;

6、s4将旋涂的al-agnps复合薄膜转移到加热台上,160℃退火15min;

7、s5将旋涂完的样品转移到手套箱中,旋涂发光层溶液,旋涂速度为5000rpm,旋涂时间60s,然后60℃退火10min;

8、s6将样品转移到真空蒸镀仓中,依次蒸镀电子传输层tmpypb;电子注入层lif;阴极al分别蒸镀。其厚度分别为50nm、0.7nm和100nm。

9、本专利技术中的一种表面等离激元增强的强稳定和均匀发光oled显示器的制备方法,其主要是agnps的散射作用,使大于全反射的光线重新定向耦合出去,进而提高器件的出光效率;为了增强agnps的作用,在agnps下引入一层铝膜构成al-agnps复合结构,进一步增强agnps的lspr作用,从而增强器件的效率。

10、本专利技术具有如下有益效果:

11、1、引入铝膜后增强了银纳颗粒上方的电场局域增强,有利于增强银纳米颗粒的lspr和散射作用,进一步提高光耦合输出;

12、2、制备成的ito/al复合透明导电薄膜具有较高的透光率和较低的雾度值,能更好的应用在智能显示方面;

13、3、加入铝膜和银纳米颗粒后,器件的外量子效率、发光均匀性和稳定性均进一步提升。

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【技术保护点】

1.一种表面等离激元增强的强稳定和均匀发光OLED显示器的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:

2.根据权利要求1所述的一种表面等离激元增强的强稳定和均匀发光OLED显示器的制备方法,其特征在于:所述的蒸镀铝膜是利用电子束蒸镀,其厚度为2-7nm。

3.根据权利要求1所述的一种表面等离激元增强的强稳定和均匀发光OLED显示器的制备方法,其特征在于:所述空穴传输层材料为聚乙撑二氧噻吩-聚(苯乙烯磺酸盐)(PEDOT:PSS),其厚度为30-50nm。

4.根据权利要求1所述的一种表面等离激元增强的强稳定和均匀发光OLED显示器的制备方法,其特征在于:所述的发光层的主体材料是CBP,发光层的客体材料是4CzIPN,其厚度为30-40nm。

5.根据权利要求1所述的一种表面等离激元增强的强稳定和均匀发光OLED显示器的制备方法,其特征在于:所述的电子传输层,材料为TmPyPB;电子注入层,材料为LiF;阴极,材料为Al依次蒸镀;其厚度分别为50nm、0.7nm和100nm。

6.根据权利要求1所述的一种表面等离激元增强的强稳定和均匀发光OLED显示器的制备方法,其特征在于:空穴传输层是AgNPs掺杂在PEDOT:PSS溶液中,由于AgNPs作为散射中心,以PEDOT:PSS溶液为基质,形成散射层;其制备步骤为;

7.根据权利要求1所述的一种表面等离激元增强的强稳定和均匀发光OLED显示器的制备方法,其特征在于:发光层是客体4CzIPN掺杂在主体CBP的二元发光器件;其制备步骤为;

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【技术特征摘要】

1.一种表面等离激元增强的强稳定和均匀发光oled显示器的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:

2.根据权利要求1所述的一种表面等离激元增强的强稳定和均匀发光oled显示器的制备方法,其特征在于:所述的蒸镀铝膜是利用电子束蒸镀,其厚度为2-7nm。

3.根据权利要求1所述的一种表面等离激元增强的强稳定和均匀发光oled显示器的制备方法,其特征在于:所述空穴传输层材料为聚乙撑二氧噻吩-聚(苯乙烯磺酸盐)(pedot:pss),其厚度为30-50nm。

4.根据权利要求1所述的一种表面等离激元增强的强稳定和均匀发光oled显示器的制备方法,其特征在于:所述的发光层的主体材料是cbp,发光层的客体材料是4czipn,其厚度为30-40nm。

【专利技术属性】
技术研发人员:梁宁宁辛霞翟天瑞
申请(专利权)人:北京工业大学
类型:发明
国别省市:

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