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压电基板、压电元件以及压电元件应用器件制造技术

技术编号:40954134 阅读:3 留言:0更新日期:2024-04-18 20:30
本发明专利技术提供一种能够抑制漏电流的产生的压电基板、压电元件以及压电元件应用器件。本发明专利技术的压电基板的特征在于,具备:基体;电极,其被成膜于所述基体上;压电体层,其被成膜于电极上,并包括钾、钠和铌,通过傅里叶变换红外光谱法来测量压电体层的表面时的峰2的积分强度IR2除以峰1的积分强度IR1而得到的值IR2/IR1小于0.086,其中,峰1为475~700cm<supgt;‑1</supgt;波数处检测到的峰中的最强峰的面积强度,峰2为1200~1645cm<supgt;‑1</supgt;波数处检测到的峰的面积强度之和。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种压电基板、压电元件以及压电元件应用器件


技术介绍

1、一般而言,压电元件具有基板、具有电机械转换特性的压电体层、对压电体层进行夹持的两个电极。近年来,正在积极进行将这样的压电元件作为驱动源来使用的器件(压电元件应用器件)的开发。作为一个压电元件应用器件,存在以喷墨式记录头为代表的液体喷射头、以压电mems元件为代表的mems要素、以超声波传感器等为代表的超声波测量装置,进一步还存在压电致动器装置等。

2、作为压电元件的压电体层的材料(压电材料),已知一种锆钛酸铅(pzt)。但是,近年来,从减少环境负荷的观点出发,正在进行抑制了铅的含量的非铅类的压电材料的开发。

3、而且,近年来,对各种电子设备或电子零件等的进一步的小型化、高性能化的要求较强,随之,针对压电元件,也寻求小型化、高性能化。

4、作为一种非铅类的压电材料,例如,如专利文献1那样,提出了铌酸钾钠(knn;(k,na)nbo3)。

5、一般而言,已知如下的问题,即,在将knn系作为压电材料来使用的情况下,容易产生漏电流。在这一点上,在专利文献1中,公开了能够通过包含铁以及锰的至少一方来抑制漏电流的产生的情况。

6、但是,根据本申请的专利技术人的研究可知,由于残留于压电体层内的有机成分,漏电流密度会变高。即,仅仅通过向knn系的压电体层内添加添加剂来提高结晶取向性,有可能无法充分降低漏电流密度。

7、根据这样的情况,寻求一种能够在具备knn系的压电体层的压电基板或压电元件中充分减少漏电流的压电体层。

8、另外,这样的问题未被限定于被搭载在以喷墨式记录头为代表的液体喷射头中的压电致动器所使用的压电元件,在其他的压电元件应用器件所使用的压电元件中也同样存在。

9、专利文献1:日本特开2013-225605号公报


技术实现思路

1、为了解决上述的问题,根据本专利技术的第一方式,提供一种压电基板,其具备:基体;电极,其被成膜于所述基体上;压电体层,其被成膜于电极上,并包括钾、钠和铌,通过傅里叶变换红外光谱法来测量压电体层的表面时的峰2的积分强度ir2除以峰1的积分强度ir1而得到的值ir2/ir1小于0.086。其中,所述峰1为475~700cm-1波数处检测到的峰中的最强峰的面积强度,所述峰2为1200~1645cm-1波数处检测到的峰的面积强度之和。

2、此外,根据本专利技术的第二方式,提供一种压电元件,其具备:基体;第一电极,其被成膜于基体上;压电体层,其被成膜于第一电极上,并包含钾、钠和铌;第二电极,其被成膜于压电体层上,通过傅里叶变换红外光谱法来测量压电体层的表面时的峰2的积分强度ir2除以峰1的积分强度ir1而得到的值ir2/ir1小于0.086。

3、此外,根据本专利技术的第三方式,提供一种具备上述方式的压电元件的压电元件应用器件。

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【技术保护点】

1.一种压电基板,其特征在于,具备:

2.如权利要求1所述的压电基板,其特征在于,

3.如权利要求1所述的压电基板,其特征在于,

4.如权利要求3所述的压电基板,其特征在于,

5.如权利要求1所述的压电基板,其特征在于,

6.如权利要求5所述的压电基板,其特征在于,

7.如权利要求5所述的压电基板,其特征在于,

8.如权利要求1所述的压电基板,其特征在于,

9.一种压电元件,其特征在于,具备:

10.一种压电元件应用器件,其特征在于,

【技术特征摘要】

1.一种压电基板,其特征在于,具备:

2.如权利要求1所述的压电基板,其特征在于,

3.如权利要求1所述的压电基板,其特征在于,

4.如权利要求3所述的压电基板,其特征在于,

5.如权利要求1所述的压电基板,其特征在于,

【专利技术属性】
技术研发人员:矢野凯己大桥幸司滨田泰彰北田和也
申请(专利权)人:精工爱普生株式会社
类型:发明
国别省市:

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