一种减反沟道氧化镓日盲光电晶体管及其制备方法技术

本发明专利技术提供了一种减反沟道氧化镓日盲光电晶体管及其制备方法，通过在背反衬底1上设置减反型沟道4、漏极注入区6和源极注入区7；漏极注入区6设置在减反型沟道4的一端，源极注入区7设置在减反型沟道4的另一端；在所述背反衬底1上紧邻漏极注入区6的部分以及漏极注入区6上的部分均设置有漏电极3；在背反衬底1上紧邻源极注入区7的部分以及在源极注入区7上的部分均设置有源电极2；减反型沟道4包裹有栅电极5。减反型沟道4包括内外两层，内层为n型β‑Ga2O3层，外层为HfO<subgt;2</subgt;栅氧介质层；减反型沟道4包裹有栅电极5；漏电极3和漏极注入区6呈金属层叠结构，源电极2和源极注入区7呈金属层叠结构。本发明专利技术的沟道刻蚀为减反结构，可以有效减少光损失。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于半导体，具体涉及一种减反沟道氧化镓日盲光电晶体管及其制备方法。

技术介绍

1、由于日盲光电探测器(sbpd)几乎没有背景噪声的影响，器件的误报警率低。因此它被广泛应用于导弹跟踪、安全通信、火焰检测等领域。对此ga2o3基日盲光电探测器备受关注。ga2o3可以实现低成本的熔体生长制造，具有优良材料的单晶ga2o3晶片质量。其次，ga2o3表现出高的光吸收率具有适当的带隙，因此可以有效地吸收太阳能盲灯信号。同时，由于优秀的热稳定性和化学稳定性，ga2o3基sbpd具有更高的可靠性。

2、现有技术使用平面结构类型器件，部分器件通过添加透明电极以及减反设计形成传统的光学管理结构，而传统的光学管理结构高温适应型差，无法面对高温应用场景，且会增加器件的工艺成本。

技术实现思路

1、为了解决现有技术中存在的上述问题，本专利技术提供了一种减反沟道氧化镓日盲光电晶体管及其制备方法。本专利技术要解决的技术问题通过以下技术方案实现：

2、第一方面，本专利技术提供了一种减反沟道氧化镓日盲光电晶体本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种减反沟道氧化镓日盲光电晶体管，其特征在于，包括：背反衬底(1)，在所述背反衬底(1)上设置有减反型沟道(4)、漏极注入区(6)和源极注入区(7)；所述漏极注入区(6)设置在减反型沟道(4)的一端，所述源极注入区(7)设置在减反型沟道(4)的另一端；在所述背反衬底(1)上紧邻所述漏极注入区(6)的部分以及所述漏极注入区(6)上的部分均设置有漏电极(3)；在所述背反衬底(1)上紧邻所述源极注入区(7)的部分以及在所述源极注入区(7)上的部分均设置有源电极(2)；所述减反型沟道(4)包括内外两层，内层为n型β-Ga2O3层，外层为HfO2栅氧介质层；所述减反型沟道(4)包裹有栅电极(5...

【技术特征摘要】

1.一种减反沟道氧化镓日盲光电晶体管，其特征在于，包括：背反衬底(1)，在所述背反衬底(1)上设置有减反型沟道(4)、漏极注入区(6)和源极注入区(7)；所述漏极注入区(6)设置在减反型沟道(4)的一端，所述源极注入区(7)设置在减反型沟道(4)的另一端；在所述背反衬底(1)上紧邻所述漏极注入区(6)的部分以及所述漏极注入区(6)上的部分均设置有漏电极(3)；在所述背反衬底(1)上紧邻所述源极注入区(7)的部分以及在所述源极注入区(7)上的部分均设置有源电极(2)；所述减反型沟道(4)包括内外两层，内层为n型β-ga2o3层，外层为hfo2栅氧介质层；所述减反型沟道(4)包裹有栅电极(5)；所述漏电极(3)和所述漏极注入区(6)呈金属层叠结构，所述源电极(2)和所述源极注入区(7)呈金属层叠结构。

2.根据权利要求1所述的减反沟道氧化镓日盲光电晶体管，其特征在于，所述漏极注入区(6)注入mg和si形成金属层叠结构2a/2b，所述源极注入区(7)注入mg和si形成金属层叠结构3a/3b；所述源电极(2)通过生长接触金属ti/au形成金属层叠结构2d/2c；所述漏电极(2)通过生长接触金属ti/au形成金属层叠结构3d/3c。

3.根据权利要求1所述的减反沟道氧化镓日盲光电晶体管，其特征在于，所述减反型沟道(4)截面呈梯形，减反型沟道上窄下宽，所述减反型沟道(4)等间距设置，减反型沟道(4)之间设置的间...

【专利技术属性】
技术研发人员：杜丰羽，韩超，宋庆文，袁昊，汤晓燕，周瑜，张玉明，
申请(专利权)人：西安电子科技大学芜湖研究院，
类型：发明
国别省市：