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本发明提供了一种减反沟道氧化镓日盲光电晶体管及其制备方法，通过在背反衬底1上设置减反型沟道4、漏极注入区6和源极注入区7；漏极注入区6设置在减反型沟道4的一端，源极注入区7设置在减反型沟道4的另一端；在所述背反衬底1上紧邻漏极注入区6的部分...
该专利属于西安电子科技大学芜湖研究院所有，仅供学习研究参考，未经过西安电子科技大学芜湖研究院授权不得商用。

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