【技术实现步骤摘要】
本专利技术特别涉及一种量子点发光层的图形化方法、qled器件及其制备方法，属于显示。
技术介绍
1、现代社会视觉信息交互的技术基础源于发光材料的构建，其原理可大致分为两类，一种为被动显示材料，如液晶，光致发光器件；另一种为主动显示材料，如有机发光二极管(oled)，量子点发光二极管(qled)。其中qled显示技术，由于具有广色域、高色纯、连续可调的发光峰位得到科研与产业界的广泛关注。
2、量子点(quantum dot，qd)是一种具有三维量子限域效应的半导体纳米材料，当受到能量(光或电)激发时，将依据本身特性发出特定波长的光。作为qled器件中的发光层材料，现有的量子点像素化技术主要以纳米压印、喷墨打印、转印法为主，为了适应未来对超高分辨率或特定图案显示的需求，部分研究机构开展了量子点光刻技术的研究。其中，纳米压印是一种通过机械转移的手段获得超高分辨率的新型加工技术，可通过热压印、紫外压印等方法制备结构有序的量子点薄膜；喷墨打印主要是将制备好的量子点墨水通过纳米级的喷头打印到基底材料表面，从而形成特定形状的发光层；转移压印主要是采用弹性模板与量子点(或纳米粒子)接触并施加压力，从而吸取图案化的量子点发光层，然后将其转移至背板上相应的像素区。然而，无论纳米压印、喷墨打印、转印法或电泳沉积等技术都难以高效的低成本有效实现高分辨率qled器件的大规模生产，且现有工艺多存在工艺复杂，性能不稳定的问题。
技术实现思路
1、本专利技术的主要目的在于提供一种量子点发光层的图形化方
2、为实现前述专利技术目的，本专利技术采用的技术方案包括：
3、本专利技术实施例一方面提供了一种量子点发光层的图形化方法，其特征在于，包括：在量子点发光层上设置掩模，并对所述量子点发光层未被所述掩模遮盖的部分进行紫外曝光，至曝光区域的荧光效率下降至50％以下。
4、本专利技术实施例另一方面还提供了一种qled器件的制备方法，包括采用所述的量子点发光层的图形化方法形成量子点发光层。
5、本专利技术实施例另一方面还提供了一种qled器件，包括由所述的量子点发光层的图形化方法形成的量子点发光层。
6、与现有技术相比，本专利技术的优点包括：
7、1)本专利技术实施例提供的一种量子点发光层的图形化方法，主要通过在指定的工作环境中对量子点发光层进行紫外曝光，纳米晶体等量子点表面配体在紫外波段处理下被氧化/脱落，致使量子点荧光淬灭形成负相荧光图形(当量子点发光材料的荧光效率下降至50％或更低时即可认为能够成功实现负相电致发光)；
8、2)本专利技术实施例提供的一种量子点发光层的图形化方法，通过负相成形可以使发光区域的量子点避免因紫外光照射而引起的性能退化，并且，采用适当的光致生酸剂能够加速消光过程，缩短本专利技术的工艺流程时间；
9、3)本专利技术实施例提供的一种量子点发光层的图形化方法，工艺更加简单，解决了传统方案中量子点发光层图案化过程因引入添加剂带来的性能下降的问题，且无需进行量子点材料的像素化设计；
10、4)基由本专利技术实施例提供的一种量子点发光层的图形化方法获得的图案化qled具有较好的使用寿命，并为实现超大面积精细图案qled显示奠定技术基础。
本文档来自技高网...【技术保护点】
1.一种量子点发光层的图形化方法，其特征在于，包括：在量子点发光层上设置掩模，并对所述量子点发光层未被所述掩模遮盖的部分进行紫外曝光，至曝光区域的荧光效率下降至50％以下。
2.根据权利要求1所述的图形化方法，其特征在于：对所述量子点发光层未被所述掩模遮盖的部分进行紫外曝光，直至使曝光区域的量子点发光层所包含的量子点表面的配体被氧化后脱落，从而使曝光区域的荧光效率下降至50％以下，或者，使量子点发光层所包含的量子点表面的配体的极性发生改变，而使曝光区域的量子点发光层中的量子点的荧光特性降低或丧失荧光特性，从而使曝光区域的荧光效率下降至50％以下。
3.根据权利要求1或2所述的图形化方法，其特征在于：所述紫外曝光所采用的紫外光的波长为13.5-405nm。
4.根据权利要求1或2所述的图形化方法，其特征在于，所述量子点发光层中还分布有具有光敏官能团的光敏添加剂，并且，所述的图形化方法具体包括：在氧化环境或非氧化环境下，对所述量子点发光层未被所述掩模遮盖的部分进行紫外曝光；
5.根据权利要求4所述的图形化方法，其特征在于，具体包括：在氧
6.根据权利要求4所述的图形化方法，其特征在于，具体包括：在非氧化环境下对所述量子点发光层未被所述掩模遮盖的部分进行紫外曝光，直至曝光区域的量子点发光层所包含的量子点表面的配体的极性发生改变，从而实现量子点发光层的局部的荧光效率下降至50％以下。
7.根据权利要求4所述的图形化方法，其特征在于：
8.根据权利要求1所述的图形化方法，其特征在于：所述量子点发光层所包含的量子点为单色量子点；优选的，所述量子点的材质包括CdSe、CdSe/CdS、CdSe/ZnS、InP中的任意一种或两种以上的组合。
9.一种QLED器件的制备方法，其特征在于包括：采用权利要求1-8中任一项所述的量子点发光层的图形化方法形成量子点发光层。
10.一种QLED器件，其特征在于包括由权利要求1-8中任一项所述的量子点发光层的图形化方法形成的量子点发光层。
...【技术特征摘要】
1.一种量子点发光层的图形化方法，其特征在于，包括：在量子点发光层上设置掩模，并对所述量子点发光层未被所述掩模遮盖的部分进行紫外曝光，至曝光区域的荧光效率下降至50％以下。
2.根据权利要求1所述的图形化方法，其特征在于：对所述量子点发光层未被所述掩模遮盖的部分进行紫外曝光，直至使曝光区域的量子点发光层所包含的量子点表面的配体被氧化后脱落，从而使曝光区域的荧光效率下降至50％以下，或者，使量子点发光层所包含的量子点表面的配体的极性发生改变，而使曝光区域的量子点发光层中的量子点的荧光特性降低或丧失荧光特性，从而使曝光区域的荧光效率下降至50％以下。
3.根据权利要求1或2所述的图形化方法，其特征在于：所述紫外曝光所采用的紫外光的波长为13.5-405nm。
4.根据权利要求1或2所述的图形化方法，其特征在于，所述量子点发光层中还分布有具有光敏官能团的光敏添加剂，并且，所述的图形化方法具体包括：在氧化环境或非氧化环境下，对所述量子点发光层未被所述掩模遮盖的部分进行紫外曝光；
5.根据权利要求4所述的图形化方法，其特征在于，具体包括：在氧化环境下对所述量子点发光...
【专利技术属性】
技术研发人员：徐锐，樊军鹏，章婷，钱磊，
申请(专利权)人：宁波杭州湾新材料研究院，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。