【技术实现步骤摘要】
本申请涉及半导体，尤其涉及一种半导体结构及其制备方法、电子设备。
技术介绍
1、随着电子技术的发展，电子设备的功能不断的区域丰富化、全面化，也趋使电子设备内的集成电路向小型化和密集化发展。
2、为了减小集成电路上半导体结构的尺寸，需要将半导体结构的栅氧化层设计的更薄或者提高半导体结构的沟道掺杂。
3、然而，半导体结构的尺寸减小会带来半导体结构的性能降低等问题。
技术实现思路
1、本申请实施例提供一种半导体结构及其制备方法、电子设备，用于进一步提高半导体结构的电子迁移率。
2、为达到上述目的，本申请采用如下技术方案：
3、本申请实施例的第一方面，提供一种半导体结构的制备方法，包括形成位于半导体衬底上的栅极和栅极侧墙，栅极侧墙设置在栅极的侧面，以及对栅极相对两侧的半导体衬底进行掺杂和第一非晶化离子注入，形成第一区域和第二区域；对第一区域和第二区域中至少一个进行第二非晶化离子注入；第二非晶化离子注入的深度大于第一非晶化离子注入的深度；形成应力层，应...
【技术保护点】
1.一种半导体结构的制备方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，形成所述第一区域和所述第二区域之前，所述制备方法还包括：减薄至少部分所述栅极侧墙。
3.根据权利要求1或2所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，进行退火之后，所述制备方法还包括：去除所述应力层。
4.根据权利要求1-3任一项所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，所述制备方法还包括：去除所述应力层之后，形成第二栅极侧墙，所述第二栅极侧墙位于所述栅极侧墙的外围。
5.根据权利要求1-4任一项所述的半导体结构的制备方...
【技术特征摘要】
1.一种半导体结构的制备方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，形成所述第一区域和所述第二区域之前，所述制备方法还包括：减薄至少部分所述栅极侧墙。
3.根据权利要求1或2所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，进行退火之后，所述制备方法还包括：去除所述应力层。
4.根据权利要求1-3任一项所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，所述制备方法还包括：去除所述应力层之后，形成第二栅极侧墙，所述第二栅极侧墙位于所述栅极侧墙的外围。
5.根据权利要求1-4任一项所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，所述第一非晶化离子注入的深度小于10nm，所述第二非晶化离子注入的深度在40nm～50nm范...
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