显示面板、显示装置制造方法及图纸

本申请提供了一种显示面板、显示装置，涉及显示技术领域，该显示面板包括：衬底；位于衬底上阵列排布的多个发光器件；其中，发光器件包括量子阱层，量子阱层包括相对设置的第一表面和第二表面，第一表面靠近显示面板的出光面设置，第二表面远离显示面板的出光面设置；第二表面在衬底上的正投影位于第一表面在衬底上的正投影以内；发光器件还包括反射部，反射部至少围绕量子阱层的侧面设置，且反射部与量子阱层的侧面直接接触。该显示面板的光利用率较高，且具有较高的正视角出光亮度。

【技术实现步骤摘要】

本申请涉及显示领域，尤其涉及一种显示面板、显示装置。

技术介绍

1、随着显示技术的快速发展，mini led(mini light emitting diode，次毫米发光二极管)和micro led(micro light emitting diode，微型发光二极管)的显示产品引起人们广泛的关注。然而，相关技术中的上述两种led 芯片的发光效率有限，正视角出光亮度较低。

技术实现思路

1、本申请提供了一种显示面板、显示装置，该显示面板的光利用率较高，且具有较高的正视角出光亮度。

2、本申请的实施例采用如下技术方案：

3、第一方面，本申请的实施例提供了一种显示面板，所述显示面板包括：

4、衬底；

5、位于所述衬底上阵列排布的多个发光器件；

6、其中，所述发光器件包括量子阱层，所述量子阱层包括相对设置的第一表面和第二表面，所述第一表面靠近所述显示面板的出光面设置，所述第二表面远离所述显示面板的出光面设置；所述第二表面在所述衬底上的正投影位于所述第一表本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种显示面板，其特征在于，所述显示面板包括：

2.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述第二表面在所述衬底上的正投影的外轮廓位于所述第一表面在所述衬底上的正投影的外轮廓以内。

3.根据权利要求2所述的显示面板，其特征在于，所述反射部围绕所述量子阱层的侧面。

4.根据权利要求2所述的显示面板，其特征在于，所述反射部围绕所述量子阱层中除所述第一表面之外的其它表面。

5.根据权利要求3或4所述的显示面板，其特征在于，所述发光器件包括第一电极，所述第一电极与所述反射部为一体化结构；

6.根据权利要求4所述的显示面板，其特征在...

【技术特征摘要】

1.一种显示面板，其特征在于，所述显示面板包括：

2.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述第二表面在所述衬底上的正投影的外轮廓位于所述第一表面在所述衬底上的正投影的外轮廓以内。

3.根据权利要求2所述的显示面板，其特征在于，所述反射部围绕所述量子阱层的侧面。

4.根据权利要求2所述的显示面板，其特征在于，所述反射部围绕所述量子阱层中除所述第一表面之外的其它表面。

5.根据权利要求3或4所述的显示面板，其特征在于，所述发光器件包括第一电极，所述第一电极与所述反射部为一体化结构；

6.根据权利要求4所述的显示面板，其特征在于，所述反射部包括侧壁和底部，所述反射部的侧壁与所述量子阱层的侧面直接接触；

7.根据权利要求6所述的显示面板，其特征在于，所述发光器件还包括缓冲导电层和第一半导体层，所述第一半导体层位于所述缓冲导电层远离所述第一电极的一侧，所述第一半导体层与所述量子阱层的所述第二表面直接接触；

8.根据权利要求7所述的显示面板，其特征在于，所述量子阱层的侧面、所述缓冲导电层的侧面和所述第一半导体层的侧面共面；所述反射部的侧面分别与所述量子阱层的侧面、所述缓冲导电层的侧面和所述第一半导体层的侧面直接接触。

9.根据权利要求8所述的显示面板，其特征在于，所述发光器件还包括第二半导体层，所述第二半导体层位于所述量子阱层远离所述衬底的一侧，且与所述第一表面直接接触；

10.根据权利要求9所述的显示面板，其特征在于，所述量子阱层、所述第一半导体层、所述缓冲导电层和所述反射部在所述衬底上的正投影的外轮廓均位于所述第二半导体层在所述衬底上的正投影的外轮廓以内。

11.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述显示面板还包括：

12.根据权利要求11所述的显示面板，其特征在于，一个所述透镜单元在所述衬底上的正投影与一个所述发光器件在所述衬底上的正投影存在交叠。

13.根据权利要求11所述的显示面板，其特征在于，一个所述透镜单元在...

【专利技术属性】
技术研发人员：李忠孝，魏伟，闫雨桐，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：