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本申请实施例提供一种半导体结构及其制备方法、电子设备，涉及半导体技术领域，用于进一步提高半导体结构的电子迁移率。半导体结构的制备方法包括：形成位于半导体衬底上的栅极和栅极侧墙，栅极侧墙设置在栅极的侧面，以及对栅极相对两侧的半导体衬底进行掺杂...
该专利属于华为技术有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过华为技术有限公司授权不得商用。

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