利用转移方式的超小型发光二极管芯片返修装置以及返修方法制造方法及图纸

技术编号:40948251 阅读:22 留言:0更新日期:2024-04-18 20:22
根据本发明专利技术的利用转移方式的超小型发光二极管芯片返修装置从通过基板上的第一粘结层转移的多个超小型发光二极管芯片中去除错位或功能有缺陷的不良超小型发光二极管芯片,其特征在于,包括:分离加压头,呈杆(stick)形状,随着以在上述杆形状的底点设置粘结力比第一粘结层的粘结力更强的第二粘结层的状态被不良超小型发光二极管芯片的上表面按压,将贴附于第一粘结层的不良超小型发光二极管芯片转移到第二粘结层并去除;以及驱动部,使上述分离加压头在基板上沿着X、Y、Z轴方向移动。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】

本专利技术涉及一种超小型发光二极管芯片返修装置以及返修方法,更详细地,涉及如下的利用转移方式的超小型发光二极管芯片返修装置以及返修方法,即,在当进行芯片焊接工序时因轻微的震动或冲击而发生错位(mis-align)不良的情况下,可以利用转移方式从基板上快速且准确地去除不良微型发光二极管芯片,不仅如此,还可在去除上述不良微型发光二极管芯片的位置中重新利用转移方式来将返修用微型发光二极管芯片快速且准确地贴附到基板上,从而随着节拍时间的减少,工序效率以及精准度得到大幅度提高。


技术介绍

1、近来,数十μm至数百μm尺寸的超小型发光二极管(led,light emitting diode)因小型化、轻量化以及低功耗等各种优点,用作各种显示器用光源呈增加的趋势。

2、这种超小型发光二极管可以根据尺寸分为芯片尺寸为100μm至300μm的迷你发光二极管以及芯片尺寸为5μm至100μm的微型发光二极管。

3、在上述迷你发光二极管的情况下,由于芯片尺寸比上述微型发光二极管的芯片尺寸相对较大,因此,相比于发光二极管显示器的直接发光像素,主要应用于通过背本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种利用转移方式的超小型发光二极管芯片返修装置,用于从通过基板上的第一粘结层转移的多个超小型发光二极管芯片中去除错位或功能有缺陷的不良超小型发光二极管芯片,其特征在于,包括:

2.根据权利要求1所述的利用转移方式的超小型发光二极管芯片返修装置,其特征在于,还包括附着加压头,通过上述驱动部在上述基板上沿着X、Y、Z轴方向移动,配置为上述杆形状并在上述杆形状的底点设置粘结力比上述第一粘结层的粘结力弱的第三粘结层,在上述第三粘结层的底部面贴附更换用正常超小型发光二极管芯片,随着通过上述分离加压头被加压到去除上述不良超小型发光二极管芯片的上述第一粘结层上,将贴附于上述第三粘结层的...

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】

1.一种利用转移方式的超小型发光二极管芯片返修装置,用于从通过基板上的第一粘结层转移的多个超小型发光二极管芯片中去除错位或功能有缺陷的不良超小型发光二极管芯片,其特征在于,包括:

2.根据权利要求1所述的利用转移方式的超小型发光二极管芯片返修装置,其特征在于,还包括附着加压头,通过上述驱动部在上述基板上沿着x、y、z轴方向移动,配置为上述杆形状并在上述杆形状的底点设置粘结力比上述第一粘结层的粘结力弱的第三粘结层,在上述第三粘结层的底部面贴附更换用正常超小型发光二极管芯片,随着通过上述分离加压头被加压到去除上述不良超小型发光二极管芯片的上述第一粘结层上,将贴附于上述第三粘结层的上述正常超小型发光二极管芯片转移到上述第一粘结层并复原。

3.根据权利要求1所述的利用转移方式的超小型发光二极管芯片返...

【专利技术属性】
技术研发人员:崔在浚金秉禄
申请(专利权)人:镭射希股份有限公司
类型:发明
国别省市:

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