【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本公开涉及一种基板处理方法和基板处理系统。
技术介绍
1、在专利文献1中公开有一种半导体晶圆的制造方法，该半导体晶圆的制造方法包括以下工序：对将半导体晶锭切片而得到的晶圆的至少表面进行平坦化；以及通过旋转蚀刻来蚀刻晶圆的被平坦化后的表面。
2、现有技术文献
3、专利文献
4、专利文献1：日本特开平11-135464号公报
技术实现思路
1、专利技术要解决的问题
2、本公开所涉及的技术适当地清洗磨削后的基板表面。
3、用于解决问题的方案
4、本公开的一个方式是一种基板处理方法，所述基板处理方法用于处理基板，所述基板处理方法包括：对所述基板的表面进行磨削；向磨削后的所述基板的表面供给蚀刻液，来蚀刻该表面；以及向蚀刻后的所述基板的表面供给清洗液，来去除附着于该表面的金属。
5、专利技术的效果
6、根据本公开，能够适当地清洗磨削后的基板表面。
【技术保护点】
1.一种基板处理方法，用于处理基板，所述基板处理方法包括：
2.根据权利要求1所述的基板处理方法，其中，
3.根据权利要求2所述的基板处理方法，其中，
4.根据权利要求1～3中的任一项所述的基板处理方法，其中，
5.根据权利要求4所述的基板处理方法，其中，
6.根据权利要求1～5中的任一项所述的基板处理方法，其中，
7.根据权利要求1～6中的任一项所述的基板处理方法，其中，
8.根据权利要求1～7中的任一项所述的基板处理方法，其中，
9.根据权利要求8所述的基板处理方法，其
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【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】
1.一种基板处理方法，用于处理基板，所述基板处理方法包括：
2.根据权利要求1所述的基板处理方法，其中，
3.根据权利要求2所述的基板处理方法，其中，
4.根据权利要求1～3中的任一项所述的基板处理方法，其中，
5.根据权利要求4所述的基板处理方法，其中，
6.根据权利要求1～5中的任一项所述的基板处理方法，其中，
7.根据权利要求1～6中的任一项所述的基板处理方法，其中，
8.根据权利要求1～7中的任一项所述的基板处理方法，其中，
9.根据权利要求8所述的基板处理方法，其中，
10.一种基板处理系统...
【专利技术属性】
技术研发人员：乌野崇，冈村尚幸，松木胜文，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：发明
国别省市：
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