一种波段在940nm的正装红外LED及其制备方法技术

本发明专利技术公开了一种波段在940nm的正装红外LED的制备方法，包括以下步骤：S1、提供衬底，在所述衬底上生长N型半导体层、多量子阱层、P型半导体层和欧姆接触层，得到第一外延片；S2、对所述第一外延片进行清洗，然后进行黄光工艺，在所述欧姆接触层的表面上留出待粗化区域；S3、对所述待粗化区域进行粗化，在粗化后的所述欧姆接触层的表面蒸镀ITO薄膜，得到第二外延片；S4、完成所述第二外延片的正面电极和背面电极的制备，得到第三外延片；S5、按照预设图案对所述第三外延片的背面进行粗化，得到第四外延片；S6、对所述第四外延片进行切割，得到单颗芯粒，对所述单颗芯粒的侧壁进行粗化，得到成品。本发明专利技术能够明显提升红外LED的亮度。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及光电，尤其涉及一种波段在940nm的正装红外led及其制备方法。

技术介绍

1、波段在940纳米的正装红外led是一种红外发光二极管，其主要特点是它发射的红外光波长约为940纳米。这种特定波长的红外led通常用于各种应用，包括红外感应、红外通信、遥控器、红外摄像机和其他需要红外辐射的设备。

2、940纳米的红外光通常被称为近红外光，它在红外光谱中的位置使其在许多应用中具有优势，因为它在人眼中是不可见的，但可以被许多红外接收器和传感器检测到。这使得940nm正装红外led在夜视设备、红外摄像机、遥控器和红外感应系统中非常常见。

3、红外正装led，通常的制作技术是通过外延生长，cb刻蚀，ito镀膜，pad制做，研磨，背金，切割等工艺完成芯片制程。940nm波段的正装红外led的利润率明显高于普通产品，但在商业化的过程中，因其亮度不足，往往达不到终端使用效果，故对于红光外940nm的提亮是一个关键点。

技术实现思路

1、本专利技术所要解决的技术问题在于，提供一种波段在940n本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种波段在940nm的正装红外LED的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

2.如权利要求1所述的波段在940nm的正装红外LED的制备方法，其特征在于，步骤S3中，对所述待粗化区域进行粗化时，粗化深度为300nm～850nm；

3.如权利要求2所述的波段在940nm的正装红外LED的制备方法，其特征在于，步骤S5包括以下步骤：

4.如权利要求3所述的波段在940nm的正装红外LED的制备方法，其特征在于，所述预设图案的面积占所述第三外延片的背面面积的35％～45％；

5.如权利要求1所述的波段在940nm的正装红外LED的制备方法，其...

【技术特征摘要】

1.一种波段在940nm的正装红外led的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

2.如权利要求1所述的波段在940nm的正装红外led的制备方法，其特征在于，步骤s3中，对所述待粗化区域进行粗化时，粗化深度为300nm～850nm；

3.如权利要求2所述的波段在940nm的正装红外led的制备方法，其特征在于，步骤s5包括以下步骤：

4.如权利要求3所述的波段在940nm的正装红外led的制备方法，其特征在于，所述预设图案的面积占所述第三外延片的背面面积的35％～45％；

5.如权利要求1所述的波段在940nm的正装红外led的制备方法，其特征在于，步骤s6中，对所述单颗芯粒的侧壁进行粗化时，采用硝酸溶液浸泡6s～10s，粗化深度为500nm～2μm。

6.如权利要求1所述的波段在940nm的正装红外led的...

【专利技术属性】
技术研发人员：郭磊，董国庆，文国昇，金从龙，
申请(专利权)人：江西兆驰半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：