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本发明公开了一种波段在940nm的正装红外LED的制备方法，包括以下步骤：S1、提供衬底，在所述衬底上生长N型半导体层、多量子阱层、P型半导体层和欧姆接触层，得到第一外延片；S2、对所述第一外延片进行清洗，然后进行黄光工艺，在所述欧姆接触层...
该专利属于江西兆驰半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过江西兆驰半导体有限公司授权不得商用。

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