【技术实现步骤摘要】
本申请涉及半导体用存储容器处理，特别是涉及一种半导体用存储容器的分析处理方法及清洁设备。
技术介绍
1、在半导体晶圆制造过程中，基片（如晶圆、光照等）会被储存在半导体用存储容器中，进行不同工艺设备之间的传递，常见的半导体用存储容器有foup（front openingunified pod前开式晶圆传送盒）、fosb（front opening shipping box）、光照存储盒等。以foup为例，由于晶圆在经过不同工艺之后，特别是化学湿法工艺，会在晶圆表面产生各种污染物（如固体颗粒、有机物、气态分子污染物气态分子污染物），当晶圆储存在foup内部时，这些污染物能够附着在foup的表面，对foup造成污染，从而对下一批储存的晶圆产生污染。因此，foup会被定期送入专用设备进行清洗，来保证foup的洁净度。
2、在现有的半导体用存储容器的清洁方法中，一般都会对清洁后的半导体用存储容器进行检测，以判断半导体用存储容器内污染物残留水平是否满足清洗合格的要求。对于清洁不合格的半导体用存储容器，则会进行返工重新清洁，使半导体用存储容器在清洁设备内再次经历一遍清洁流程，从而降低其内部的污染物水平。而对于污染物水平轻微超标的半导体用存储容器，采用重新清洁的方式会造成清洁设备处理能力的浪费，降低了清洁设备的处理效率。
技术实现思路
1、有鉴于此，本申请实施例为解决
技术介绍
中存在的至少一个问题而提供一种半导体用存储容器的分析处理方法，包括以下步骤：
2、步骤s1，将半导体
3、步骤s2，将清洁后的半导体用存储容器置于清洁设备内的检测工位，检测半导体用存储容器内污染物残留水平，获得检测结果；
4、步骤s3，将检测结果与预设阈值进行对比，根据检测结果落入的阈值区间，确定下一步处理方式；
5、其中步骤s2中，对半导体用存储容器内污染物的检测的半导体用存储容器内的污染物类型包括颗粒物、金属离子、相对湿度、气态分子污染物中的至少一种；
6、步骤s3具体为，针对所检测的污染物类型设定与其对应的预设阈值，所述预设阈值包括第一预设阈值和第二预设阈值，所述第一预设阈值低于所述第二预设阈值；当检测结果低于所述第一预设阈值时，半导体用存储容器合格下料；当检测结果介于第一预设阈值和第二预设阈值之间时，按照第一处理方式处理半导体用存储容器；否则，按照第二处理方式处理半导体用存储容器；
7、所述检测的半导体用存储容器内的污染物类型、预设阈值根据清洁设备的清洁处理能力、半导体用存储容器的类型，以及工艺要求的半导体用存储容器指标综合设定。
8、通过设定第一预设阈值，区分清洁合格的半导体用存储容器和清洁不合格的半导体用存储容器，以便对清洗不合格的半导体用存储容器进行二次清洁。
9、通过设定第二预设阈值，将清洁不合格的半导体用存储容器进行分类，对不同污染程度的半导体用存储容器采用不同的处理方式，合理利用每到工序的清洁能力。
10、可选的，所述步骤s3还包括根据检测结果设定下一步处理方式中所述清洁设备的工艺参数。
11、可选的，所述检测设备为气态分子污染物在线检测设备和/或金属离子检测设备和/或颗粒检测设备和/或湿度检测设备，根据工艺要求确定所使用的检测设备，需要说明的是，检测设备为清洁设备的一部分，这三类检测设备可以同时集成于清洁设备内部，也可以根据实际需要选配合适的检测设备。
12、可选的，对于预设阈值对应的污染物，所述第一处理方式对其的处理能力低于所述第二处理方式对其的处理能力。
13、可选的，对于检测结果超出第一预设阈值而不超出第二预设阈值的半导体用存储容器，所述第一处理方式的处理效率高于所述第二处理方式的处理效率。
14、相对于第二处理方式而言，采用第一处理方式处理不合格的半导体用存储容器所需经历的工艺步骤更少，故第一处理方式去除污染物的速度更快，但是，由于省去了部分工艺步骤，相对的第一处理方式对污染物的去除率也有限，仅能够去除少部分的污染物，因此只能够适用于污染物少量超标的情况。
15、可选的，所述处理效率包括处理时间和处理成本。
16、可选的，所述步骤s2具体为，将处于闭合状态的半导体用存储容器放置于下料单元的检测工位上，通过设置在半导体用存储容器上开设的气孔向半导体用存储容器中通入预设时间的气体，通过检测设备检测半导体用存储容器中排出气体中的污染物水平。
17、可选的，所述步骤s3还包括将所述半导体用存储容器自所述下料单元上的检测工位输送至下料工位或被暂存至缓存工位或输送至清洁单元。当半导体用存储容器所将送往的下一个工位中仍有半导体用存储容器在处理时，将半导体用存储容器送至缓存工位，待下一个工位中的半导体用存储容器被转移后，再将缓存工位中的半导体用存储容器送至下一个工位中进行处理。
18、可选的，所述步骤s1包括，所述步骤s1包括，s11，将半导体用存储容器送入第一清洁单元进行清洁，s12，将经过第一清洁单元清洁的半导体用存储容器转移到第二清洁单元，s13，在第二清洁单元内对半导体用存储容器进行清洁。
19、本申请还公开一种采用上述半导体用存储容器的分析处理方法的半导体用存储容器清洁设备，包括清洁单元和下料单元。
20、本申请的有益效果在于：
21、本申请通过对清洁后的半导体用存储容器进行检测，通过设定两种阈值的方式将清洁后检测后的半导体用存储容器根据污染物残留水平分为三类，第一类是污染物水平低于下料管控要求，此类半导体用存储容器检测后即可进行下料，第二类为污染物严重超标的半导体用存储容器，此类半导体用存储容器根据污染物超标的种类送至相应的处理单元进行处理，第三类为污染物轻微超标的半导体用存储容器，对于此类半导体用存储容器，通过简化处理流程，能够在降低半导体用存储容器内污染物残留水平、保证清洁合格率情况下，提高处理效率，节约处理成本。通过对清洁或的半导体用存储容器进行分类，对不同状态半导体用存储容器采取不同的处理方法，能够有效的提高清洁设备的处理效率，降低清洁成本。
22、另外，通过对清洁后的半导体用存储容器进行检测，获得清洁后容器内部污染物残留水平数据，从而对清洁设备的清洁效果和清洁合格率进行评判。更进一步的，通过对于不合格的半导体用存储容器进行分析，并相应的对清洁工艺进行调整优化，并通过积累半导体用存储容器清洁合格的生产数据，对清洁设备及清洁工艺不断改善优化。
23、本申请附加的方面和优点将在下面的描述中部分给出，部分将从下面的描述中变得明显，或通过本申请的实践了解到。
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1.一种半导体用存储容器的分析处理方法，其特征在于，包括以下步骤：
2.根据权利要求1所述的一种半导体用存储容器的分析处理方法，其特征在于：所述步骤S3还包括根据检测结果设定下一步处理方式中所述清洁设备的工艺参数。
3.根据权利要求1所述的一种半导体用存储容器的分析处理方法，其特征在于：对于预设阈值对应的污染物，所述第一处理方式对其的处理能力低于所述第二处理方式对其的处理能力。
4.根据权利要求1所述的一种半导体用存储容器的分析处理方法，其特征在于：对于检测结果超出第一预设阈值而不超出第二预设阈值的半导体用存储容器，所述第一处理方式的处理效率高于所述第二处理方式的处理效率。
5.根据权利要求4所述的一种半导体用存储容器的分析处理方法，其特征在于：所述处理效率包括处理时间和处理成本。
6.根据权利要求1所述的一种半导体用存储容器的分析处理方法，其特征在于：所述步骤S2具体为，将处于闭合状态的半导体用存储容器放置于下料单元的检测工位上，通过设置在半导体用存储容器上的气孔向半导体用存储容器中通入预设时间的气体，通过检测设备检测
7.根据权利要求1所述的一种半导体用存储容器的分析处理方法，其特征在于：所述步骤S3还包括将所述半导体用存储容器自所述下料单元上的检测工位输送至下料工位或被暂存至缓存工位或输送至清洁单元。
8.根据权利要求1所述的一种半导体用存储容器的分析处理方法，其特征在于：所述检测设备为气态分子污染物在线检测设备和/或金属离子检测设备和/或颗粒检测设备和/或湿度检测设备。
9.根据权利要求1所述的一种半导体用存储容器的分析处理方法，其特征在于：所述步骤S1包括，S11，将半导体用存储容器送入第一清洁单元进行清洁，S12，将经过第一清洁单元清洁的半导体用存储容器转移到第二清洁单元，S13，在第二清洁单元内对半导体用存储容器进行清洁。
10.一种半导体用存储容器清洁设备，包括清洁单元和下料单元，其特征在于：采用如权利要求1-9中任一项所述半导体用存储容器的分析处理方法。
...【技术特征摘要】
1.一种半导体用存储容器的分析处理方法，其特征在于，包括以下步骤：
2.根据权利要求1所述的一种半导体用存储容器的分析处理方法，其特征在于：所述步骤s3还包括根据检测结果设定下一步处理方式中所述清洁设备的工艺参数。
3.根据权利要求1所述的一种半导体用存储容器的分析处理方法，其特征在于：对于预设阈值对应的污染物，所述第一处理方式对其的处理能力低于所述第二处理方式对其的处理能力。
4.根据权利要求1所述的一种半导体用存储容器的分析处理方法，其特征在于：对于检测结果超出第一预设阈值而不超出第二预设阈值的半导体用存储容器，所述第一处理方式的处理效率高于所述第二处理方式的处理效率。
5.根据权利要求4所述的一种半导体用存储容器的分析处理方法，其特征在于：所述处理效率包括处理时间和处理成本。
6.根据权利要求1所述的一种半导体用存储容器的分析处理方法，其特征在于：所述步骤s2具体为，将处于闭合状态的半导体用存储容器放置于下料单元的检测工位上，通过设置在半导体用存储...
【专利技术属性】
技术研发人员：请求不公布姓名，请求不公布姓名，请求不公布姓名，请求不公布姓名，
申请(专利权)人：江苏芯梦半导体设备有限公司，
类型：发明
国别省市：
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