【技术实现步骤摘要】
本公开涉及一种半导体器件，更具体地，涉及一种半导体存储器件及其制造方法。
技术介绍
1、半导体器件由于其小尺寸、多功能特性和/或低制造成本而广泛用于电子工业。半导体器件可以被分类为用于存储逻辑数据的半导体存储器件、用于处理逻辑数据的半导体逻辑器件以及具有半导体存储器件的功能和半导体逻辑器件的功能的混合半导体器件中的任何一种。
2、需要高速度和低电压半导体器件以满足包括半导体器件的电子装置的特性(例如高速度和/或低功耗)。半导体器件已经高度集成以满足这些需求。然而，随着半导体器件的高集成密度，用于生产半导体器件的制造工艺的难度也已经增加大。因此，已经对提高半导体器件的生产率的技术进行各种研究。
技术实现思路
1、在一方面中，半导体器件可以包括：有源图案，设置在基板上并分别包括中心部分；位线，在有源图案的中心部分上在第一方向上延伸；字线，在与第一方向交叉的第二方向上与有源图案交叉；栅栏图案，设置在字线上且在彼此相邻的位线之间；接触沟槽区，在与第一方向和第二方向交叉的第三方向上与有源图案和字线交叉；以及位线接触和填充绝缘图案，在接触沟槽区中在第三方向上交替布置。第一方向至第三方向可以平行于基板的底表面。填充绝缘图案可以分别设置在字线和栅栏图案之间。
2、在一方面中，半导体器件可以包括：有源图案，设置在基板上并包括中心部分；位线，在有源图案的中心部分上在第一方向上延伸；一对字线，在与第一方向交叉的第二方向上与有源图案交叉，使有源图案的中心部分插置在其；接触沟槽区，在
3、在一方面中，半导体器件可以包括：有源图案，设置在基板上并分别包括中心部分；位线，分别在有源图案的中心部分上在第一方向上延伸；字线，在与第一方向交叉的第二方向上与有源图案交叉；接触沟槽区，在与第一方向和第二方向交叉的第三方向上与有源图案和字线交叉；以及位线接触和填充绝缘图案，在接触沟槽区中在第三方向上交替布置。第一方向至第三方向可以平行于基板的底表面。每个填充绝缘图案可以在第三方向上与字线中的对应一条交叉。
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1.一种半导体器件，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述有源图案的所述中心部分包括沿着所述第三方向排列成一行的所述中心部分，以及
3.根据权利要求2所述的半导体器件，其中每个所述位线接触覆盖排列成一行的所述中心部分的每个顶表面的一部分，以及
4.根据权利要求3所述的半导体器件，其中排列成一行的所述中心部分的所述顶表面被所述位线接触和所述填充绝缘图案完全覆盖。
5.根据权利要求1所述的半导体器件，其中每个所述填充绝缘图案在所述第三方向上与所述字线中的对应一条交叉。
6.根据权利要求1所述的半导体器件，其中每个所述填充绝缘图案包括与所述位线接触接触的第一侧、与所述第一侧相对的第二侧、从所述第一侧延伸到所述第二侧的第三侧、以及与所述第三侧相对的第四侧。
7.根据权利要求6所述的半导体器件，其中每个所述位线接触包括在所述第三方向上延伸的侧面，以及
8.根据权利要求1所述的半导体器件，其中每条所述字线包括：在所述第二方向上延伸的栅电极；和在所述栅电极上的栅极覆盖图案，以及
9.根
10.根据权利要求9所述的半导体器件，还包括：
11.根据权利要求9所述的半导体器件，其中所述分隔图案包括硅氮化物、与所述填充绝缘图案相同的材料、气隙或其任意组合。
12.根据权利要求1所述的半导体器件，其中每个所述填充绝缘图案在所述第一方向上的宽度等于或大于每个所述位线接触在所述第一方向上的宽度。
13.一种半导体器件，包括：
14.根据权利要求13所述的半导体器件，其中所述有源图案包括彼此间隔开的边缘部分，所述中心部分插置在所述边缘部分之间，以及
15.根据权利要求13所述的半导体器件，其中所述有源图案的所述中心部分的所述顶表面被所述位线接触和所述一对填充绝缘图案完全覆盖。
16.根据权利要求13所述的半导体器件，还包括：
17.根据权利要求13所述的半导体器件，其中所述有源图案包括彼此间隔开的边缘部分，所述中心部分插置在所述边缘部分之间，以及
18.根据权利要求13所述的半导体器件，其中所述有源图案包括多个有源图案，
19.一种半导体器件，包括：
20.根据权利要求19所述的半导体器件，其中每个所述填充绝缘图案具有平行四边形形状。
...【技术特征摘要】
1.一种半导体器件，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述有源图案的所述中心部分包括沿着所述第三方向排列成一行的所述中心部分，以及
3.根据权利要求2所述的半导体器件，其中每个所述位线接触覆盖排列成一行的所述中心部分的每个顶表面的一部分，以及
4.根据权利要求3所述的半导体器件，其中排列成一行的所述中心部分的所述顶表面被所述位线接触和所述填充绝缘图案完全覆盖。
5.根据权利要求1所述的半导体器件，其中每个所述填充绝缘图案在所述第三方向上与所述字线中的对应一条交叉。
6.根据权利要求1所述的半导体器件，其中每个所述填充绝缘图案包括与所述位线接触接触的第一侧、与所述第一侧相对的第二侧、从所述第一侧延伸到所述第二侧的第三侧、以及与所述第三侧相对的第四侧。
7.根据权利要求6所述的半导体器件，其中每个所述位线接触包括在所述第三方向上延伸的侧面，以及
8.根据权利要求1所述的半导体器件，其中每条所述字线包括：在所述第二方向上延伸的栅电极；和在所述栅电极上的栅极覆盖图案，以及
9.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括：
10.根据权...
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