本发明专利技术公开了一种1D GaN纳米柱阵列/2D MoS<subgt;2</subgt;薄膜/Pedot:Pss自供电柔性紫外探测器与制备；器件包括PET衬底，ITO薄膜，金属电极，MoS<subgt;2</subgt;薄膜，GaN纳米柱阵列。发明专利技术人通过湿法转移技术将1D GaN纳米柱阵列/2D MoS<subgt;2</subgt;薄膜无损转移至Pedot:Pss/ITO/PET柔性衬底上构建柔性异质结，实现了自供电柔性探测器制备。由于2D MoS<subgt;2</subgt;薄膜作为转移模板，1D GaN纳米柱阵列不会出现倒塌与破坏。该器件利用了GaN纳米柱阵列巨大的比表面积提升光吸收，利用了2D MoS<subgt;2</subgt;的二维量子限域性，提高了载流子迁移率，因此，柔性探测器在紫外探测器时表现出高响应度、快响应速度，制备过程无复杂操作和有害污染物产生，为下一代光电探测提供了有效策略。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及紫外探测器件，尤其一种1d gan纳米柱阵列/2d mos2/pedot:pss自供电柔性紫外探测器与制备。
技术介绍
1、自供电型紫外探测器无需额外电源就能实现光电探测，具有体积小，重量轻的特点，在航空航天，宽带通信，柔性可穿戴等军用及民用领域具有重要应用前景。构建异质结引入内建电场来实现光生载流子分离是实现该类型器件的有效策略之一。然而，常见的异质结型探测器多为薄膜型器件，由于光俘获效率低，缺陷散射严重等，存在响应速度慢，响应度低等问题。同时，该类器件在柔性状态由于电极滑移，性能衰退严重。在此背景下，专利技术人首次提出了1d gan纳米柱阵列/2d mos2薄膜/pedot:pss薄膜的新型异质结构并实现了柔性的自供电型紫外探测应用。该结构能够实现入射的紫外光多重反射吸收，提升光俘获率，同时将载流子限制在低维空间内，实现快速分离。基于该结构的柔性紫外探测器在无工作电压时表现出高响应度，快响应速度，具有巨大的应用前景。同时，在制备过程中，无复杂操作和其他有害副产物产生，为柔性光电探测器件制备提供了有效策略。
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【技术保护点】
1.一种1D GaN纳米柱阵列/2D MoS2/Pedot:Pss自供电柔性紫外探测器，其特征在于：包括GaN纳米柱垂直阵列(6)、MoS2薄膜(5)、Pedot:Pss薄膜、ITO薄膜(2)、PET柔性衬底(1)、第一金属电极(3)、第二金属电极(4)；
2.根据权利要求1所述1D GaN纳米柱阵列/2D MoS2/Pedot:Pss自供电柔性紫外探测器，其特征在于：所述PET柔性衬底(1)的厚度为300～400μm，所述ITO薄膜(2)电阻为10-4～10-3Ω·cm。
3.根据权利要求1所述1D GaN纳米柱阵列/2D MoS2/Pedot:Pss自供电柔性...
【技术特征摘要】
1.一种1d gan纳米柱阵列/2d mos2/pedot:pss自供电柔性紫外探测器，其特征在于：包括gan纳米柱垂直阵列(6)、mos2薄膜(5)、pedot:pss薄膜、ito薄膜(2)、pet柔性衬底(1)、第一金属电极(3)、第二金属电极(4)；
2.根据权利要求1所述1d gan纳米柱阵列/2d mos2/pedot:pss自供电柔性紫外探测器，其特征在于：所述pet柔性衬底(1)的厚度为300～400μm，所述ito薄膜(2)电阻为10-4～10-3ω·cm。
3.根据权利要求1所述1d gan纳米柱阵列/2d mos2/pedot:pss自供电柔性紫外探测器，其特征在于：所述gan纳米柱垂直阵列(6)的长度为200～600nm，直径为30～70nm；gan纳米柱的密度为5.0×109～10.0×109/cm2。
4.根据权利要求1所述1d gan纳米柱阵列/2d mos2/pedot:pss自供电柔性紫外探测器，其特征在于：所述mos2薄膜(5)厚度为2～7nm。
5.根据权利要求1所述1d gan纳米柱阵列/2d mos2/pedot:pss自供电柔性紫外探测器，其特征在于：所述第一金属电极(3)与第二金属电极(4)均为80～10...
【专利技术属性】
技术研发人员：李国强，唐鑫，王文樑，
申请(专利权)人：华南理工大学，
类型：发明
国别省市：
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