【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及图像传感，特别涉及一种图像传感器及其制作方法和图形化掩膜版。
技术介绍
1、在像素设计中，传输栅附近的掺杂(如p型掺杂)可以起到像素之间电学隔离的作用，同时也会影响像素的满井容量fwc以及电子传输性能。由于工艺的波动，上述掺杂相较于传输栅的位置存在偏移，例如，浅处的p型隔离相较于传输栅的位置存在偏移，从而影响到fwc性能；此外，当像素版图为共用同一浮置扩散极fd,掺杂(如p型隔离)的偏移状态相较于不同的通道存在差异，从而造成不同通道的fwc性能或者传输性能存在差异。
2、上述对技术背景的介绍只是为了方便对本申请的技术方案进行清楚、完整的说明，并方便本领域技术人员的理解而阐述的。不能仅仅因为这些方案在
技术介绍
部分进行了阐述而认为上述技术方案为本领域技术人员所公知。
技术实现思路
1、有鉴于此，本申请提供一种图像传感器，能够补偿偏移造成的通道差异或者传输性能存在的差异。
2、一种图像传感器，包括半导体基底，半导体基底包括多个呈矩阵排布的像素区域，各像素区域...
【技术保护点】
1.一种图像传感器，其特征在于，包括半导体基底，所述半导体基底包括多个呈阵列排布的像素区域，各所述像素区域包括像素感光单元及与所述像素感光单元电连接的传输晶体管，且各所述像素区域包括进行功能性掺杂的功能掺杂区及未进行所述功能性掺杂的非功能掺杂区，其中，所述非功能掺杂区包括第一区域和第二区域，所述传输晶体管的栅极在所述半导体基底上具有正投影，其中，所述第二区域的第一端连接于所述第一区域，所述第二区域相对的第二端远离所述第一区域设置，所述正投影的至少部分位于所述第一区域和所述第二区域中，所述正投影的至少另外部分位于所述功能掺杂区，且所述第二区域的第二端超出所述正投影。p>
2.如权利...
【技术特征摘要】
1.一种图像传感器，其特征在于，包括半导体基底，所述半导体基底包括多个呈阵列排布的像素区域，各所述像素区域包括像素感光单元及与所述像素感光单元电连接的传输晶体管，且各所述像素区域包括进行功能性掺杂的功能掺杂区及未进行所述功能性掺杂的非功能掺杂区，其中，所述非功能掺杂区包括第一区域和第二区域，所述传输晶体管的栅极在所述半导体基底上具有正投影，其中，所述第二区域的第一端连接于所述第一区域，所述第二区域相对的第二端远离所述第一区域设置，所述正投影的至少部分位于所述第一区域和所述第二区域中，所述正投影的至少另外部分位于所述功能掺杂区，且所述第二区域的第二端超出所述正投影。
2.如权利要求1所述的图像传感器，其特征在于，所述正投影具有第一对称线，所述第二区域具有第二对称线，所述第一对称线与所述第二对称线相互平行或重合。
3.如权利要求2所述的图像传感器，其特征在于，定义所述半导体基底的表面具有相互垂直的第一方向和第二方向，多个所述像素区域沿所述第一方向相互间隔设置，多个所述像素区域沿所述第二方向相互间隔设置，所述第二对称线与所述第一方向之间具有夹角，所述夹角大于0°且小于90°。
4.如权利要求2所述的图像传感器，其特征在于，所述第一区域具有第三对称线，所述第三对称线与所述第二对称线相互平行或重合。
5.如权利要求2所述的图像传感器，其特征在于，所述非功能掺杂区包括至少两个所述第二区域，所述第二区域沿所述第一对称线对称设置。
6.如权利要求1所述的图像传感器，其特征在于，所述非功能掺杂区具有第一掺杂类型的掺杂，所述功能性掺杂包括与所述第一掺杂类型不同的第二掺杂类型的掺杂，所述功能掺杂区围绕所述非功能掺杂区设置，所述正投影覆盖所述第一区域与所述第二区域的连接区域并延伸覆盖所述功能掺杂区。
7.如权利要求1所述的图像传感器，其特征在于，当所述功能性掺杂存在偏移时，所述像素区域还形成由于所述偏移产生的偏移功能掺杂区，所述偏移功能掺杂区位于所述第一区域和所述第二区域外并与所述第二区域邻接。
8.如权利要求7所述的图像传感器，其特征在于，所述正投影位于所述功能掺杂区的部分构成目标...
【专利技术属性】
技术研发人员：高巍，王倩，
申请(专利权)人：思特威合肥电子科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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