薄膜场效应三极管阵列及液晶显示器制备方法技术

技术编号:4093373 阅读:226 留言:0更新日期:2012-04-11 18:40
本发明专利技术实施例公开了可降低漏电流的薄膜场效应三极管TFT阵列及液晶显示器制备方法。上述阵列制备方法包括:提供基底,所述基底具有沟道区,所述沟道区上覆盖有保护层;在所述基底上形成导电层图形;对所述沟道区上的保护层去除预设厚度;对去除保护层预设厚度的TFT阵列进行清理。可以看出,本发明专利技术实施例将保护层去除预设厚度,从而可去除一部分含有导电粒子的保护层,减少“浮栅”结构,这样TFT在加负向的栅源电压时,其保护层和沟道界面处聚集的导电粒子将减少,进而有效地降低了TFT的漏电流。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及液晶显示器制造
,更具体地说,涉及薄膜场效应三极管阵列 及液晶显示器制备方法。
技术介绍
薄膜场效应晶体管(Thin Film Transistor, TFT)是制备薄膜场效应晶体管液晶 显示器(TFT-IXD)的重要器件。TFT-IXD的制备流程主要包括TFT阵列制程、组立制程和模 组制程。其中,TFT阵列制程主要是在玻璃基板上形成TFT层,得到TFT玻璃基板,也即TFT 的制备主要在阵列制程中完成。对于背沟道刻蚀型TFT而言,其对应的阵列制程一般包括提供基底,所述基底具有沟道区,所述沟道区上覆盖有保护层;在所述基底上形成导电层图形。在实施本专利技术创造时,专利技术人发现在基底上制备导电层图形时,不可避免的会有 部分导电层的导电粒子扩散或者被注入到沟道区上方的保护层中。上述导电粒子在保护层 中形成“浮栅”结构,进而导致TFT在加负向的栅源电压时,其保护层和沟道界面处聚集较 多的导电粒子,进而导致漏电流(Ioff)增大。而Ioff若过大将影响TFT的开关特性,并进而导致TFT-IXD出现显示不均、发白、 窜扰等显示类缺陷。因此,在制备时就应该从工艺上进行优化,以本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
一种薄膜场效应三极管TFT阵列制备方法,其特征在于,包括提供基底,所述基底具有沟道区,所述沟道区上覆盖有保护层;在所述基底上形成导电层图形;对所述沟道区上的保护层去除预设厚度;对去除保护层预设厚度的TFT阵列进行清理。2.如权利要求1所述的方法,其特征在于,所述对所述沟道区上的保护层去除预设厚度的具体实现方式为 对所述沟道区上的保护层进行反刻以去除预设厚度。3.如权利要求2所述的方法,其特征在于,所述对所述沟道区上的保护层进行反刻以去除预设厚度的具体实现方式为 利用与所述保护层材料相适配的刻蚀液对所述保护层进行腐蚀处理; 所述对去除保护层预设厚度的TFT阵列进行清理的具体实现方式为 使用清洗剂对刻蚀后的TFT阵列进行清洗处理; 对经清洗处理的TFT阵列进行烘干处理。4.如权利要求3所述的方法,其特征在于,所述腐蚀处理包括喷淋处理和浸泡处理中 的至少一种。5.如权利要求4所述的方法,其特征在于,当所述保...

【专利技术属性】
技术研发人员:郝付泼谢凡于春崎何基强
申请(专利权)人:信利半导体有限公司
类型:发明
国别省市:44

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