【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及石墨铜生产，尤其涉及一种纳米石墨铜材料的制备方法。
技术介绍
1、随着人们生活水平的提高，人们对3c(computer、communication、consumerelectronics)类产品功能性能要求日益提高，希望产品拥有更强大的运行速度、更持久的续航能力、导热性能以及装配时多种材料复合集成单件应用。
2、目前市场上的石墨铜箔以铜箔涂布石墨工艺居多，因涂布石墨易掉屑且易脆裂，多材料复合造成模具成型工序对位精度差，需加载超薄膜覆盖，增加了成本，同时因垂直方向热传导差，所以散热能力受限，另外，涂布石墨为石墨与树脂做载体混合物，热传导受树脂成分影响极高，加之树脂高温容易劣化，可靠度不佳。
3、为了解决以上问题，本专利技术公开了一种纳米石墨铜材料的制备方法。
技术实现思路
1、为克服现有技术的不足，本专利技术公开了一种纳米石墨铜材料的制备方法。
2、为实现上述目的，本专利技术通过以下技术方案实现：一种纳米石墨铜材料的制备方法，具体包括以下步骤：
3、第一步，材料选择：将铜材作为基材并选取高纯度石墨靶材；
4、第二步，基材清洗：将基材分别放入乙醇、丙酮和去离子水中通过超声波先清洗20min，接着在60℃温度下烘干，最后将其冷却收卷；
5、第三步，抗氧化处理：将基材置于真空腔中，待真空腔中的真空度达到5-3-20-3pa时，先通入一定量的ar气，使真空腔内的压力为1-2pa，在偏压幅值为400-600v
6、第四步，溅射镀膜：将石墨靶材做为碳源，并通过一对孪生交流对钯和一个直流靶材由非平衡磁控溅射单元控制，其中孪生交流对靶的溅射电流为4-8a、直流靶的溅射电流为1-3a，在基底偏压20-60v、沉积气压为0.5-1.0pa的状态溅射在基材上。
7、作为本专利技术的一种优选方式，所述基材为电解铜或者压延铜中的一种。
8、作为本专利技术的一种优选方式，所述石墨靶材的含量为99.9％。
9、作为本专利技术的一种优选方式，所述乙醇和丙酮的浓度均为98％。
10、作为本专利技术的一种优选方式，第四步中的基底保持0.1-0.5m/min的速度反复移动。
11、作为本专利技术的一种优选方式，所述基材的正反两面均溅射有石墨靶材。
12、作为本专利技术的一种优选方式，镀层石墨靶材的厚度为0.05-0.2um。
13、本专利技术实现以下有益效果：
14、采用本专利技术制备出的石墨铜材料能将镀层石墨靶材均匀的与基材铜紧密结合在一起，使其具备不掉屑和脆裂之功效，在后段模切加工过程中可将裸露的石墨不通过超薄pet材料进行包裹，进而使其导热性更好，具有较高的使用性能。
15、至于本专利技术的其它特征和优点将在随后的说明书中阐述，并且部分地从说明书中变得显而易见，或者通过实施本专利技术而了解。本专利技术的目的和其他优点可通过在说明书以及附图中所指出的结构来实现和获得。
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1.一种纳米石墨铜材料的制备方法，其特征在于，具体包括以下步骤：
2.根据权利要求1所述的一种纳米铜材料的制备方法，其特征在于，所述基材为电解铜或者压延铜中的一种。
3.根据权利要求1所述的一种纳米铜材料的制备方法，其特征在于，所述石墨靶材的含量为99.9％。
4.根据权利要求1所述的一种纳米铜材料的制备方法，其特征在于，所述乙醇和丙酮的浓度均为98％。
5.根据权利要求1所述的一种纳米铜材料的制备方法，其特征在于，第四步中的基底保持0.1-0.5m/min的速度反复移动。
6.根据权利要求1所述的一种纳米铜材料的制备方法，其特征在于，所述基材的正反两面均溅射有石墨靶材。
7.根据权利要求6所述的一种纳米铜材料的制备方法，其特征在于，所述镀层石墨靶材的厚度为0.05-0.2um。
【技术特征摘要】
1.一种纳米石墨铜材料的制备方法，其特征在于，具体包括以下步骤：
2.根据权利要求1所述的一种纳米铜材料的制备方法，其特征在于，所述基材为电解铜或者压延铜中的一种。
3.根据权利要求1所述的一种纳米铜材料的制备方法，其特征在于，所述石墨靶材的含量为99.9％。
4.根据权利要求1所述的一种纳米铜材料的制备方法，其特征在于，所述乙醇和丙酮的浓度...
【专利技术属性】
技术研发人员：傅青炫，张东琴，陈先峰，王岩，陈兵，傅羿宁，
申请(专利权)人：隆扬电子昆山股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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