【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于半导体生产制造设备，尤其涉及一种多层衬底原子层沉积装置。
技术介绍
1、原子层沉积（ald），是一种特殊的化学气相沉积技术，是通过将气相前驱体脉冲交替通入反应室并在沉积基体表面发生化学吸附反应形成薄膜的一种方法，具有优异的三维共形性、大面积的均匀性和精确的亚单层膜厚控制等特点。原子层沉积技术经过四十多年的发展，无论是在前驱体和沉积材料的种类，还是具体沉积方法的扩展与改进上，都已经取得了长足的进步，在众多领域展现出令人期待的商业前景。
2、目前，市场上主流垂直流动式反应室，也称顶部喷射式或喷淋式反应室。如图1所示，前驱体蒸汽的入口分布在反应室顶部，均匀性由ald自限制生长机理控制。
3、具体工作原理如下：前驱体a从反应室顶部垂直进入腔室后，通过喷淋头均匀地喷射到暴露的衬底或膜表面发生化学吸附反应a，吹扫气体从反应室顶部吹扫衬底，把未被表面吸附的多余前驱体a和反应副产物吹扫出反应室；前驱体b从反应室顶部垂直进入腔室后，通过喷淋头均匀地喷射到暴露的衬底或膜表面发生化学吸附反应b，吹扫气体从反应室顶部吹扫衬...
【技术保护点】
1.一种多层衬底原子层沉积装置，其特征在于：包括反应外腔体、反应内腔体、进气扩口、集成进气机构以及若干衬底载具，其中：所述反应外腔体处于横向的两端分别设有进气端盖和固定端盖；
2.根据权利要求1所述多层衬底原子层沉积装置，其特征在于：所述机构主体包括流道集成块以及喷嘴端；流道集成块布设在反应外腔体的外侧，喷嘴端密封安装在进气端盖上，且喷嘴端的一端与流道集成块密封拼接成一体，另一端则安装所述的可调节喷嘴；
3.根据权利要求2所述多层衬底原子层沉积装置，其特征在于：所述流道集成块包括依次叠合的第一法兰体、第二法兰体、第三法兰体，所述第一法兰体、第二...
【技术特征摘要】
1.一种多层衬底原子层沉积装置，其特征在于：包括反应外腔体、反应内腔体、进气扩口、集成进气机构以及若干衬底载具，其中：所述反应外腔体处于横向的两端分别设有进气端盖和固定端盖；
2.根据权利要求1所述多层衬底原子层沉积装置，其特征在于：所述机构主体包括流道集成块以及喷嘴端；流道集成块布设在反应外腔体的外侧，喷嘴端密封安装在进气端盖上，且喷嘴端的一端与流道集成块密封拼接成一体，另一端则安装所述的可调节喷嘴；
3.根据权利要求2所述多层衬底原子层沉积装置，其特征在于：所述流道集成块包括依次叠合的第一法兰体、第二法兰体、第三法兰体，所述第一法兰体、第二法兰体、第三法兰体分别设有若干横向通道，若干所述横向通道分别对应连通并形成若干个进气通道；所述第一法兰体设有第一流通环槽，第二法兰体内设有与所述第一流通环槽连通的若干第一旁通道；第二法兰体设有第二流通环槽，第三法兰体内设有与所述第二流通环槽连通的若干个第二旁通道，所述第一、第二旁通道的数量均与所述进气通道数量相同且对应；
4.根据权利要求3所述多层衬底原子层沉积装置，其特征在于：所述第一、第二旁通道中，靠近所述进气通道一端的通道口均小于所述进气通道的通道口。
5.根据权利要求3所述多层衬底原子层沉积装置，其特征在于：主通道通过第一法兰体、第二法兰体、第三法兰体、喷嘴端的中心贯通设有的通道连通形成。
6.根据权利要求3所述多层衬底原子层沉积装置，其特征在于：所述进气端盖的内侧还设有进气法兰，可调节喷嘴的外周侧通过进气法兰连接；
7.根据权利要求1所述多层衬底原子层沉积装置，其特征在于：所述进气栅板上对应可调节喷嘴的位置还设有导流块。
【专利技术属性】
技术研发人员：郑锦，李超，
申请(专利权)人：南京原磊纳米材料有限公司，
类型：发明
国别省市：
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