一种浮动基准电压装置制造方法及图纸

本技术涉及集成电路设计技术领域，具体涉及一种浮动基准电压装置，包括：第一电流单元，包括第一子电流电路，与第一子电流电路完全相同的第二子电流电路，第一子电流电路、第二子电流电路的控制端相连并连接一外部偏置信号；第一子电流电路、第二子电流电路的输入端相连并连接一电源电压；第二电流单元，包括第三子电流电路和第四子电流电路，第三子电流电路的输入端连接第一子电流电路的输出端，第三子电流电路的控制端与第四子电流电路的控制端相连并连接第一子电流电路的输出端，第三子电流电路和第四子电流电路输出端均接地；基准单元，设置于第二子电流电路的输出端与第四子电流电路的输入端之间。

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及集成电路设计，具体涉及一种浮动基准电压装置。

技术介绍

1、带隙基准电路因为能够产生基准参考电压，为多种电路应用或测量提供非常有用的帮助而被广泛运用于模拟、数字、数模混合芯片中。带隙基准电路作用是通过将一个负温度系数的电压和一个正温度系数的电压相叠加，输出一个与工艺和温度都无关，并具有高电源抑制比的零温度系数电压，而且带隙基准电路不仅能产生基准参考电压，还能实现对多通道的参考电压进行精确控制。将产生的基准电压通过电阻分压，得到芯片所需的不同基准。但如果需要不同的基准电压则需要数目更多的电阻，并且普通基准电压无法做到满足不同应用需求的灵活可调。

技术实现思路

1、针对现有技术的不足，本技术提供一种浮动基准电压装置。具体地，

2、一方面，本技术提供一种浮动基准电压装置，其中：包括：

3、第一电流单元，包括第一子电流电路，与所述第一子电流电路完全相同的第二子电流电路，所述第一子电流电路、第二子电流电路的控制端相连并连接一外部偏置信号；所述第一子电流电路、第二子电流电路的输入端相连并本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种浮动基准电压装置，其特征在于：包括：

2.根据权利要求1所述的一种浮动基准电压装置，其特征在于：包括：所述第一子电流电路由第一PMOS管和第二PMOS管形成，所述第一PMOS管和第二PMOS管的栅极相连接并连接所述外部偏置信号，所述第一PMOS管的源极连接电源电压，所述第一PMOS管的漏极连接所述第二PMOS管的源极，所述第二PMOS管的漏极形成所述第一子电流电路的输出端。

3.根据权利要求1所述的一种浮动基准电压装置，其特征在于：包括：所述第二子电流电路由第三PMOS管和第四PMOS管形成，所述第三PMOS管和第四PMOS管的栅极相连接并连接所述外部偏置...

【技术特征摘要】

1.一种浮动基准电压装置，其特征在于：包括：

2.根据权利要求1所述的一种浮动基准电压装置，其特征在于：包括：所述第一子电流电路由第一pmos管和第二pmos管形成，所述第一pmos管和第二pmos管的栅极相连接并连接所述外部偏置信号，所述第一pmos管的源极连接电源电压，所述第一pmos管的漏极连接所述第二pmos管的源极，所述第二pmos管的漏极形成所述第一子电流电路的输出端。

3.根据权利要求1所述的一种浮动基准电压装置，其特征在于：包括：所述第二子电流电路由第三pmos管和第四pmos管形成，所述第三pmos管和第四pmos管的栅极相连接并连接所述外部偏置信号，所述第三pmos管的源极连接电源电压，所述第三pmos管的漏极连接所述第四pmos管的源极，所述第四pmos管的漏极形成所述第二子电流电路的输出端。

【专利技术属性】
技术研发人员：张正旭，
申请(专利权)人：芯弘微电子深圳有限公司，
类型：新型
国别省市：

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