【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及光刻胶，尤其涉及一种适用于krf光刻胶的光引发剂、制备方法和光刻胶组合物。
技术介绍
1、光刻技术是半导体制造和微电子工程中的关键步骤，用于在硅片或其他基板上形成精细的图案。传统的光刻胶主要由光敏感聚合物基体、光引发剂、稳定剂、溶剂等组成。光刻胶的性能，如分辨率、胶膜均匀性、附着力以及化学稳定性，对于确保高精度和高可靠性的光刻过程至关重要。在紫外光（如krf激光器，248nm）的照射下，光引发剂促使聚合物交联或分解，形成所需图案。
2、尽管传统光刻胶已在许多方面表现出色，但仍存在一些限制。例如，常用的光引发剂如二苯甲酮在特定波长下的光吸收效率有限，这可能影响图案的分辨率和对比度。此外，光刻胶的热稳定性和化学耐受性在某些极端条件下可能不足，这限制了其应用范围。在现有技术中，提高胶膜的均匀性和附着力也是一大挑战。
3、鉴于上述限制，存在改进现有光刻胶配方的需求，特别是在提高光引发效率、热稳定性和化学耐受性方面。新型光引发剂的开发，特别是对于krf激光器（248nm）的应用，成为研究的重点。新型引发剂应具备更高的光吸收效率，以提高分辨率和图案的精确度。同时，光刻胶配方中的其他成分也需优化，以增强胶膜的均匀性、附着力和化学稳定性。
技术实现思路
1、为了解决上述的技术问题，本专利技术的目的是提供一种新型芘基化合物作为光引发剂，专门用于krf（248nm）光刻技术。此化合物设计以增强光吸收效率，并提高聚合物基体的交联密度，从而提升图案的分辨率和对比度。进
2、为了实现上述的目的，本专利技术采用了以下的技术方案：
3、一种适用于krf光刻胶的光引发剂，其具有以下的结构式：
4、；
5、其中r1、r2为c1-c3的烷基，r3为硝基，r4为c1-c3的烷氧基或c1-c3酯基团。
6、作为优选，其中r1为甲基、乙基或丙基，r2为甲基或乙基，r3为硝基，r4为c1-c3烷氧基。
7、作为再优选，其具有以下的结构式：
8、。
9、进一步，本专利技术还公开了所述的光引发剂作为krf光刻胶的光引发剂的应用。
10、进一步，本专利技术还公开了制备述的光引发剂的方法，包括以下的步骤：
11、1）芘的硝化
12、将芘溶解于浓硫酸中，缓慢加入浓硝酸，保持温度在50-60°c，反应时间2-3小时；反应完成后，将混合物倒入冰水中，产物沉淀，过滤，洗涤，并干燥得到硝化芘；
13、2）烷氧基化
14、在二甲基亚砜中溶解硝化芘和碳酸钾，加热至80-100°c，加入醇，反应4-6小时；反应混合物冷却，过滤，产物用水洗涤并干燥；
15、3）丙烯酸酯基团的引入
16、在无水条件下，将烷氧基化的芘、丙烯酸酯、叔丁醇钾混合，于惰性气氛下加热至100°c，反应6-8小时；冷却，过滤，用有机溶剂洗涤产物，蒸发溶剂，纯化；
17、4）二苯胺基团的引入
18、在惰性气氛下，将丙烯酸酯化的芘、二苯胺、钯碳混合于无水dmf中，加热至100°c，反应12-24小时；反应混合物冷却，过滤去除催化剂，溶剂蒸发，产物用有机溶剂洗涤和纯化。
19、进一步，本专利技术还公开了一种krf光刻胶，其光引发剂采用所述的光引发剂。
20、作为优选，所述光刻胶按质量百分比计由以下的组分构成：
21、聚合物基体85%-92%
22、光引发剂2%-4%
23、稳定剂0.1%-0.3%
24、增塑剂0.8%-1.2%
25、表面活性剂0.05%-0.2%；
26、溶剂5%-10%；
27、所述组分之和为100%。
28、作为优选，聚合物基体选用甲基丙烯酸甲酯-甲基丙烯酸甲酯共聚物；稳定剂选用苯并噻唑衍生物；增塑剂选用丁二酸二(2-乙基己基)酯；表面活性剂选用聚二甲基硅氧烷；溶剂选用丙酮。
29、进一步，本专利技术还公开了所述的一种krf光刻胶的制备方法，该方法包括以下的步骤：
30、1）混合：将聚合物基体、光引发剂、稳定剂、增塑剂和表面活性剂混合；
31、2）溶剂添加：缓慢添加丙酮，持续搅拌以确保均匀混合；
32、3）过滤：通过0.2微米滤器过滤以去除颗粒杂质；
33、4）静置：让配方在室温下静置数小时，以消除气泡。
34、本专利技术由于采用了上述的技术方案具有以下的效果：
35、1.提高光刻效率
36、该化合物设计用于krf（248nm）光刻技术，可以通过其对248nm波长光的高效吸收来提高光刻过程的效率和分辨率。这对于半导体制造和微电子工程中的精密图案化尤为重要。
37、2.提升光引发效率
38、引入丙烯酸酯基团和二苯胺基团可能使这种化合物成为一个高效的光引发剂。在光照射下，这些基团可以迅速引发聚合反应，用于制作精细的聚合物结构。
39、3.增强材料的稳定性
40、通过在芘核心引入硝基和烷氧基团，可以提高化合物的热稳定性和光稳定性，这对于保持光刻过程中的一致性和可靠性至关重要。
41、4.提高解决性和加工性
42、烷氧基团的引入可能有助于提高化合物在光刻胶中的溶解性，从而改善加工性能和涂层质量。
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1.一种适用于KrF光刻胶的光引发剂，其具有以下的结构式：
2.根据权利要求1所述的一种适用于KrF光刻胶的光引发剂，其特征在于，其中R1为甲基、乙基或丙基，R2为甲基或乙基，R3为硝基，R4为C1-C3烷氧基。
3.根据权利要求1所述的一种适用于KrF光刻胶的光引发剂，其特征在于，其具有以下的结构式：
4.权利要求1-3任意一项权利要求所述的光引发剂作为KrF光刻胶的光引发剂的应用。
5.制备权利要求2-3任意一项所述的光引发剂的方法，包括以下的步骤：
6.一种KrF光刻胶，其光引发剂采用权利要求1-3任意一项权利要求所述的光引发剂。
7.根据权利要求6所述的一种KrF光刻胶，其特征在于，所述光刻胶按质量百分比计由以下的组分构成：
8.根据权利要求7所述的一种KrF光刻胶，其特征在于，聚合物基体选用甲基丙烯酸甲酯-甲基丙烯酸甲酯共聚物；稳定剂选用苯并噻唑衍生物；增塑剂选用丁二酸二(2-乙基己基)酯；表面活性剂选用聚二甲基硅氧烷；溶剂选用丙酮。
9.根据权利要求7所述的一种KrF光刻胶
...【技术特征摘要】
1.一种适用于krf光刻胶的光引发剂，其具有以下的结构式：
2.根据权利要求1所述的一种适用于krf光刻胶的光引发剂，其特征在于，其中r1为甲基、乙基或丙基，r2为甲基或乙基，r3为硝基，r4为c1-c3烷氧基。
3.根据权利要求1所述的一种适用于krf光刻胶的光引发剂，其特征在于，其具有以下的结构式：
4.权利要求1-3任意一项权利要求所述的光引发剂作为krf光刻胶的光引发剂的应用。
5.制备权利要求2-3任意一项所述的光引发剂的方法，包括以下的步骤：
<...【专利技术属性】
技术研发人员：张月红，冯芳华，
申请(专利权)人：上海艾深斯科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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