一种低能大束流离子注入系统技术方案

本发明专利技术涉及一种低能大束流离子注入系统，属于半导体离子注入工艺设备技术领域，包括有离子束产生模块和离子束注入模块，离子束产生模块的输出侧具有离子束减速机构；离子束注入模块的腔体具有离子束输入口，离子束产生模块的腔体的输出端通过离子束输入口与离子束注入模块的腔体密封地相连接；在离子束注入模块的腔体内靠近离子束输入口处设置有离子束修正机构；离子束注入模块中还设置有扫描机器人和法拉第杯，法拉第杯位于与离子束输入口相对的一侧，扫描机器人位于离子束修正机构与法拉第杯之间。本方案解决了现有低能大束流离子注入系统中离子束角度及均匀性不佳的问题，实现获得更为理想的均匀离子束，有助于提高离子注入工艺的效果。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于半导体离子注入工艺设备，具体地涉及一种低能大束流离子注入系统。

技术介绍

1、在低能大束流注入机的束线系统中，必须要设有离子束减速机构，从而将离子束的能量降低至所需的低能，例如0.2kev-80kev。现有的离子束减速机构的结构及原理如授权公告号为us8129695b2的美国专利技术专利所示，但其难免会破坏束流的发散角度以及束流分布的均匀性(如该专利附图4b所示)，从离子束减速机构输出的离子束的离子运动角度及分布不均匀，并且能量越低的离子束受影响越大，这将影响离子注入的工艺质量。随着目前工艺要求的提高，现有离子注入设备结构已无法满足工艺需要。

技术实现思路

1、基于现有技术存在的技术问题，本专利技术提供一种低能大束流离子注入系统，解决现有低能大束流离子注入系统中离子减速机构输出的离子束角度及均匀性不佳的问题，实现获得更为理想的均匀离子束，从而能够满足更高标准的工艺要求。

2、依据本专利技术的技术方案，本专利技术提供了一种低能大束流离子注入系统，包括有离子束产生模块和离子束注入模块，离本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种低能大束流离子注入系统，其特征在于，包括有离子束产生模块和离子束注入模块(2)，离子束产生模块的输出侧具有离子束减速机构(14)；离子束注入模块(2)的腔体具有离子束输入口(24)，离子束产生模块的腔体的输出端通过离子束输入口(24)与离子束注入模块(2)的腔体密封地相连接；在离子束注入模块(2)的腔体内靠近离子束输入口(24)处设置有离子束修正机构(21)；离子束注入模块(2)中还设置有扫描机器人(22)和法拉第杯(23)，法拉第杯(23)位于与离子束输入口(24)相对的一侧，扫描机器人(22)位于离子束修正机构(21)与法拉第杯(23)之间；

2.根据权利要求1所...

【技术特征摘要】

1.一种低能大束流离子注入系统，其特征在于，包括有离子束产生模块和离子束注入模块(2)，离子束产生模块的输出侧具有离子束减速机构(14)；离子束注入模块(2)的腔体具有离子束输入口(24)，离子束产生模块的腔体的输出端通过离子束输入口(24)与离子束注入模块(2)的腔体密封地相连接；在离子束注入模块(2)的腔体内靠近离子束输入口(24)处设置有离子束修正机构(21)；离子束注入模块(2)中还设置有扫描机器人(22)和法拉第杯(23)，法拉第杯(23)位于与离子束输入口(24)相对的一侧，扫描机器人(22)位于离子束修正机构(21)与法拉第杯(23)之间；

2.根据权利要求1所述的低能大束流离子注入系统，其特征在于，相对应的两个电磁铁线圈(212)连接同一个电源，电源的总数与一个钢磁极(211)上的电磁铁线圈(212)的数量相同。

3.根据权利要求1所述的低能大束流离子注入系统，其特征在于，每一个电磁铁线圈(212)一一对应地分别连接一个独立的电源，电源的总数与电磁铁线圈(212)的总数相同。

4.根据权利要求1所述的低能大束流离子注入系统，其特征在于，一个钢磁极(211)上分布设置有10～15个电磁铁线圈(212)。

5.根据权利要求1所述的低能大束流离子注入系统，其特征在于，离子束注入模块(2)的腔体内壁设置有安装件(214)，真空外壳(213)为两个具有开口的盒形，每个真空外壳(213)内设置有一个钢磁极(211)，真空外壳(213)的开口侧与安装件(214)相...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈炯，
申请(专利权)人：芯嵛半导体上海有限公司，
类型：发明
国别省市：