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本发明涉及一种低能大束流离子注入系统，属于半导体离子注入工艺设备技术领域，包括有离子束产生模块和离子束注入模块，离子束产生模块的输出侧具有离子束减速机构；离子束注入模块的腔体具有离子束输入口，离子束产生模块的腔体的输出端通过离子束输入口与离...
该专利属于芯嵛半导体（上海）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过芯嵛半导体（上海）有限公司授权不得商用。

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