【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于半导体离子注入工艺，具体地涉及一种高分辨率电磁铁分析器、离子注入系统及离子束产生方法。
技术介绍
1、随着半导体工业的发展，对于离子注入工艺的要求也更趋于精准。现有的离子注入系统结构例如申请公开号为us5350926a的美国专利技术专利(本专利说明书附图2)所示，其结构复杂且成本较高，并且仅能够产生尺寸为300mm的带状离子束。用于产生离子束的系统中，电磁铁分析器为关键部件之一，要求其能够提供良好的场均匀性，并具有分辨率高、重量轻等特性；现有技术方案尚不能较佳地满足目前高品质先进半导体工艺的要求。
技术实现思路
1、基于现有技术存在的技术问题，本专利技术提供一种高分辨率电磁铁分析器、离子注入系统及离子束产生方法，通过对系统结构及方法的多方面优化改进，提供了边缘场的紧密控制以提供良好的场均匀性，并且实现了电磁铁结构更为紧凑且重量轻等效果。
2、依据本专利技术的技术方案，本专利技术提供了一种高分辨率电磁铁分析器，其用于在带状离子束从所述高分辨率电磁铁分析器内行进通过的...
【技术保护点】
1.一种高分辨率电磁铁分析器，其特征在于，其用于在带状离子束从所述高分辨率电磁铁分析器内行进通过的过程中分离不需要的离子种类；
2.根据权利要求1所述的高分辨率电磁铁分析器，其特征在于，每个环形线圈包括顺序串联的八个导电段，分别为：
3.根据权利要求1所述的高分辨率电磁铁分析器，其特征在于，在所述高分辨率电磁铁分析器的出口一端外设置有具有狭缝的分辨槽，用于使带状离子束传输通过分辨槽的狭缝且从动量不同的污染物离子中分离出所需离子。
4.根据权利要求1所述的高分辨率电磁铁分析器，其特征在于，所述高分辨率电磁铁分析器的磁极的平均间距沿带状...
【技术特征摘要】
1.一种高分辨率电磁铁分析器，其特征在于，其用于在带状离子束从所述高分辨率电磁铁分析器内行进通过的过程中分离不需要的离子种类；
2.根据权利要求1所述的高分辨率电磁铁分析器，其特征在于，每个环形线圈包括顺序串联的八个导电段，分别为：
3.根据权利要求1所述的高分辨率电磁铁分析器，其特征在于，在所述高分辨率电磁铁分析器的出口一端外设置有具有狭缝的分辨槽，用于使带状离子束传输通过分辨槽的狭缝且从动量不同的污染物离子中分离出所需离子。
4.根据权利要求1所述的高分辨率电磁铁分析器，其特征在于，所述高分辨率电磁铁分析器的磁极的平均间距沿带状离子束的行进方向增加，从而使离子束轨道的半径沿离子束的路径增加。
5.根据权利要求3所述的高分辨率电磁铁分析器，其特征在于，弓形磁轭结构的横截面大体呈矩形，且横截面形状能够用于限定磁场的改变，从而改变聚焦特性，由此增加带状离子束的线焦点的纵横比和/或增加带状离子束穿过分辨槽的狭缝的束流量。
6.根据权利要求3所述的高分辨率电磁铁分析器，其特征在于，两个环形线圈的电流能...
【专利技术属性】
技术研发人员：陈炯，
申请(专利权)人：芯嵛半导体上海有限公司，
类型：发明
国别省市：
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